Si1407DL
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.130 @ V
GS
= –4.5 V
–12
12
0.170 @ V
GS
= –2.5 V
0.225 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
–1.8
–1.5
–1.3
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
D
标识代码
OC
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
D
2
5
D
G
3
4
S
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
–0.8
0.625
0.400
-55到150
–1.4
–5
–0.8
0.568
W
0.295
_C
–1.2
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
–12
"8
单位
V
–1.8
–1.6
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
165
180
105
最大
200
220
130
单位
° C / W
2-1
Si1407DL
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.8 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –1.5 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –0.8 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= -0.8 A，V
GS
= 0 V
–2
0.105
0.140
0.185
4.3
–0.77
–1.1
0.130
0.170
0.225
S
V
W
–0.45
"100
–1
–5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -0.8 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -6 V ，R
L
= 10
W
6 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V R
G
= 6
W
1A
4 5 V,
V
DS
= –6 V, V
GS
= -4.5 V I
D
= –1.8 A
6V
4 5 V,
18
5.5
0.95
1.10
8
33
32
29
20
12
50
50
45
40
ns
7.0
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
5
V
GS
= 5通2 V
4
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
3.2
4.0
传输特性
3
2.4
2
1.5 V
1
1V
0
0
1
2
3
4
5
1.6
T
C
= 125_C
0.8
25_C
–55_C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2-2
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
Si1407DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1000
Vishay Siliconix公司
电容
0.3
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
0.4
800
C
国际空间站
600
0.2
V
GS
= 2.5 V
400
C
OSS
0.1
V
GS
= 4.5 V
200
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 1.8 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.8 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
5
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
I
D
= 1.8 A
0.3
I
D
= 0.8 A
0.2
1
T
J
= 25_C
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
Si1407DL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
10
单脉冲功率，结到环境
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
8
6
0.1
4
0.0
2
–0.1
–0.2
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 180℃ / W的
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
Si1407DL
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.130 @ V
GS
= –4.5 V
–12
12
0.170 @ V
GS
= –2.5 V
0.225 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
–1.8
–1.5
–1.3
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
D
标识代码
OC
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
D
2
5
D
G
3
4
S
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
–0.8
0.625
0.400
-55到150
–1.4
–5
–0.8
0.568
W
0.295
_C
–1.2
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
–12
"8
单位
V
–1.8
–1.6
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
165
180
105
最大
200
220
130
单位
° C / W
2-1
Si1407DL
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.8 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –1.5 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –0.8 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= -0.8 A，V
GS
= 0 V
–2
0.105
0.140
0.185
4.3
–0.77
–1.1
0.130
0.170
0.225
S
V
W
–0.45
"100
–1
–5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -0.8 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -6 V ，R
L
= 10
W
6 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V R
G
= 6
W
1A
4 5 V,
V
DS
= –6 V, V
GS
= -4.5 V I
D
= –1.8 A
6V
4 5 V,
18
5.5
0.95
1.10
8
33
32
29
20
12
50
50
45
40
ns
7.0
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
5
V
GS
= 5通2 V
4
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
3.2
4.0
传输特性
3
2.4
2
1.5 V
1
1V
0
0
1
2
3
4
5
1.6
T
C
= 125_C
0.8
25_C
–55_C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2-2
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
Si1407DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1000
Vishay Siliconix公司
电容
0.3
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
0.4
800
C
国际空间站
600
0.2
V
GS
= 2.5 V
400
C
OSS
0.1
V
GS
= 4.5 V
200
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 1.8 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.8 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
5
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
I
D
= 1.8 A
0.3
I
D
= 0.8 A
0.2
1
T
J
= 25_C
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
Si1407DL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
10
单脉冲功率，结到环境
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
8
6
0.1
4
0.0
2
–0.1
–0.2
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 180℃ / W的
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
Si1407DL
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.130 @ V
GS
= –4.5 V
–12
12
0.170 @ V
GS
= –2.5 V
0.225 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
–1.8
–1.5
–1.3
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
D
标识代码
OC
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
D
2
5
D
G
3
4
S
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
–0.8
0.625
0.400
-55到150
–1.4
–5
–0.8
0.568
W
0.295
_C
–1.2
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
–12
"8
单位
V
–1.8
–1.6
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
165
180
105
最大
200
220
130
单位
° C / W
2-1
Si1407DL
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –9.6 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.8 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –1.5 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –0.8 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= -0.8 A，V
GS
= 0 V
–2
0.105
0.140
0.185
4.3
–0.77
–1.1
0.130
0.170
0.225
S
V
W
–0.45
"100
–1
–5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -0.8 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -6 V ，R
L
= 10
W
6 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V R
G
= 6
W
1A
4 5 V,
V
DS
= –6 V, V
GS
= -4.5 V I
D
= –1.8 A
6V
4 5 V,
18
5.5
0.95
1.10
8
33
32
29
20
12
50
50
45
40
ns
7.0
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
5
V
GS
= 5通2 V
4
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
3.2
4.0
传输特性
3
2.4
2
1.5 V
1
1V
0
0
1
2
3
4
5
1.6
T
C
= 125_C
0.8
25_C
–55_C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2-2
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
Si1407DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1000
Vishay Siliconix公司
电容
0.3
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
0.4
800
C
国际空间站
600
0.2
V
GS
= 2.5 V
400
C
OSS
0.1
V
GS
= 4.5 V
200
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 1.8 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.8 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
5
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
I
D
= 1.8 A
0.3
I
D
= 0.8 A
0.2
1
T
J
= 25_C
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71074
S- 01561 -REV 。 C， 17 -JUL- 00
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S
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2-3
Si1407DL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
10
单脉冲功率，结到环境
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
8
6
0.1
4
0.0
2
–0.1
–0.2
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 180℃ / W的
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 71074
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