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Si9100
Vishay Siliconix公司
3 -W的高电压开关模式稳压器
特点
D
10至70 V输入范围
D
电流模式控制
D
片150 -V , 5 -W MOSFET开关
D
参考选择
Si9100
"1%
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
D
关机和重设
描述
该Si9100的高电压开关模式稳压器
单片BIC / DMOS集成电路包含大部分
必要的组件以实现高效率的
直流 - 直流转换器最多3瓦。它们既可以被操作
从低电压直流电源,也可以直接从10到70 -V的
未经调节的直流电源。该Si9100可与使用
适当的变压器来实现大多数的单端
隔离电源转换器拓扑结构(即,反激式和正)
或通过使用一个电平移位电路可产生一个+ 5V的或一
5-V
从非隔离的输出
48-V
源。
该Si9100可在标准和铅(Pb ) - 免费
14引脚塑料DIP和20引脚PLCC封装这是
指定工作在工业温度范围
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
14 (20)
错误
扩音器
V
REF
10 (14)
+
4 V (1%)
REF
2V
+
+
1.2 V
BIAS
1 (2)
当前
来源
To
国内
电路
C / L
比较
电流模式
比较
COMP
13 (18)
放电
9 (12)
OSC
IN
8 (11)
OSC
OUT
7 (10)
OSC
时钟(
1
/
2 OSC
)
R
Q
S
3 (5)
5 (8)
V
IN
( BODY )
4 (7)
V
CC
11 (16)
12 (17)
V
CC
6 (9)
来源
+V
IN
2 (3)
8.8 V
+
9.4 V
+
欠压比较器
Q
S
R
关闭
RESET
注:图中括号代表了20 -pin的封装引脚数。
应用程序的信息,请参阅AN702和AN713 。
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
www.vishay.com
1
Si9100
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150 V
I
D
(峰)(注: 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5 A
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫安
逻辑输入( RESET ,
关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)
a
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至70 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到7V的
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
p
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用) ,R
L
= 10毫瓦
房间
房间
房间
3.92
15
70
4.0
30
100
0.5
4.08
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330千瓦,见备注:F
R
OSC
= 150千瓦,见备注:F
DF /女
= F ( 13.5 V)
楼( 9.5 V) / F( 9.5 V)
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源(V
FB
= 3.4 V)
水槽(V
FB
= 4.5 V)
OSC IN =
V
IN
( OSC禁用)
OSC IN =
V
IN
( OSC禁用)
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN,
V
FB
= 4 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
3.96
4.00
25
"15
80
1
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.04
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
W
mA
dB
2
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
Si9100
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
200
V
ns
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器
关断阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲Widthv300
ms
V
CC
= V
UVLO
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
9.4
8.8
0.6
9.7
9.2
V
70
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲Widthe
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流,输入电压高
输入电流,输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
ns
50
100
V
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
g
流掉泄漏电流
漏极电容
V
( BR ) DSS
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
I
= 100
mA
V
来源
= 0 V,I
= 100毫安
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
V
= 100 V
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
房间
房间
房间
35
150
180
3
5
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
克。为r的温度系数
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
www.vishay.com
3
Si9100
Vishay Siliconix公司
时序波形
来源
0
V
CC
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
t
SW
50%
t
LW
50%
50%
t
RW
50%
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
VS + I
IN
在启动时
V
CC
=
V
IN
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT (赫兹)
15
+I
IN
(MA )
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
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4
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
Si9100
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PDIP-14
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
引脚说明
功能
BIAS
+V
IN
来源
V
IN
V
CC
OSC OUT
OSC IN
放电
14引脚DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
20引脚PLCC *
2
3
5
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
PLCC-20
3
2
1
20 19
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13
顶视图
18
17
16
15
14
V
REF
关闭
RESET
COMP
FB
*引脚1 ,4,6 ,13,15 ,和19 = N / C
订购信息
标准
产品型号
Si9100DJ02
Si9100DN02
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9100DJ02—E3
Si9100DN02—E3
温度
范围
40
85
_C
40
PDIP-14
PLCC-20
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9100的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
将以此为
恒定电流。此电流的大小来确定
由一个高压耗尽型MOSFET器件是
连接+ V之间
IN
和V
CC
。这起振电路
提供初始功率给IC通过充电的外部旁路
电容连接至V
CC
引脚。恒定电流是
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
残疾人当V
CC
超过9.4 V.如果V
CC
不强制
超过9.4 -V的阈值,则V
CC
将被调节到一个
9.4 V由预调节器电路的标称值。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
输出MOSFET关闭,直到V
CC
超过
欠压锁定阈值(通常为8.8 V) 。这
保证了控制逻辑将被正常
并且有足够的栅极驱动电压是可用的前
MOSFET导通。该集成电路的设计是这样的
欠压锁定阈值将不超过
预调节器关断电压。功耗可
通过提供外部电源到V最小化的
CC
这样
该恒流源总是被禁用。
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5
Si9100
Vishay Siliconix公司
3 -W的高电压开关模式稳压器
特点
D
10至70 V输入范围
D
电流模式控制
D
片150 -V , 5 -W MOSFET开关
D
参考选择
Si9100
"1%
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
D
关机和重设
描述
该Si9100的高电压开关模式稳压器
单片BIC / DMOS集成电路包含大部分
必要的组件以实现高效率的
直流 - 直流转换器最多3瓦。它们既可以被操作
从低电压直流电源,也可以直接从10到70 -V的
未经调节的直流电源。该Si9100可与使用
适当的变压器来实现大多数的单端
隔离电源转换器拓扑结构(即,反激式和正)
或通过使用一个电平移位电路可产生一个+ 5V的或一
5-V
从非隔离的输出
48-V
源。
该Si9100可在标准和铅(Pb ) - 免费
14引脚塑料DIP和20引脚PLCC封装这是
指定工作在工业温度范围
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
14 (20)
错误
扩音器
V
REF
10 (14)
+
4 V (1%)
REF
2V
+
+
1.2 V
BIAS
1 (2)
当前
来源
To
国内
电路
C / L
比较
电流模式
比较
COMP
13 (18)
放电
9 (12)
OSC
IN
8 (11)
OSC
OUT
7 (10)
OSC
时钟(
1
/
2 OSC
)
R
Q
S
3 (5)
5 (8)
V
IN
( BODY )
4 (7)
V
CC
11 (16)
12 (17)
V
CC
6 (9)
来源
+V
IN
2 (3)
8.8 V
+
9.4 V
+
欠压比较器
Q
S
R
关闭
RESET
注:图中括号代表了20 -pin的封装引脚数。
应用程序的信息,请参阅AN702和AN713 。
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
www.vishay.com
1
Si9100
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150 V
I
D
(峰)(注: 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5 A
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫安
逻辑输入( RESET ,
关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)
a
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至70 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到7V的
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
p
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用) ,R
L
= 10毫瓦
房间
房间
房间
3.92
15
70
4.0
30
100
0.5
4.08
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330千瓦,见备注:F
R
OSC
= 150千瓦,见备注:F
DF /女
= F ( 13.5 V)
楼( 9.5 V) / F( 9.5 V)
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源(V
FB
= 3.4 V)
水槽(V
FB
= 4.5 V)
OSC IN =
V
IN
( OSC禁用)
OSC IN =
V
IN
( OSC禁用)
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN,
V
FB
= 4 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
3.96
4.00
25
"15
80
1
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.04
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
W
mA
dB
2
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
Si9100
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
200
V
ns
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器
关断阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲Widthv300
ms
V
CC
= V
UVLO
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
9.4
8.8
0.6
9.7
9.2
V
70
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲Widthe
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流,输入电压高
输入电流,输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
ns
50
100
V
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
g
流掉泄漏电流
漏极电容
V
( BR ) DSS
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
I
= 100
mA
V
来源
= 0 V,I
= 100毫安
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
V
= 100 V
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
房间
房间
房间
35
150
180
3
5
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
克。为r的温度系数
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
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3
Si9100
Vishay Siliconix公司
时序波形
来源
0
V
CC
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
t
SW
50%
t
LW
50%
50%
t
RW
50%
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
VS + I
IN
在启动时
V
CC
=
V
IN
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT (赫兹)
15
+I
IN
(MA )
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
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4
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
Si9100
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PDIP-14
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
引脚说明
功能
BIAS
+V
IN
来源
V
IN
V
CC
OSC OUT
OSC IN
放电
14引脚DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
20引脚PLCC *
2
3
5
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
PLCC-20
3
2
1
20 19
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13
顶视图
18
17
16
15
14
V
REF
关闭
RESET
COMP
FB
*引脚1 ,4,6 ,13,15 ,和19 = N / C
订购信息
标准
产品型号
Si9100DJ02
Si9100DN02
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9100DJ02—E3
Si9100DN02—E3
温度
范围
40
85
_C
40
PDIP-14
PLCC-20
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9100的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
将以此为
恒定电流。此电流的大小来确定
由一个高压耗尽型MOSFET器件是
连接+ V之间
IN
和V
CC
。这起振电路
提供初始功率给IC通过充电的外部旁路
电容连接至V
CC
引脚。恒定电流是
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
残疾人当V
CC
超过9.4 V.如果V
CC
不强制
超过9.4 -V的阈值,则V
CC
将被调节到一个
9.4 V由预调节器电路的标称值。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
输出MOSFET关闭,直到V
CC
超过
欠压锁定阈值(通常为8.8 V) 。这
保证了控制逻辑将被正常
并且有足够的栅极驱动电压是可用的前
MOSFET导通。该集成电路的设计是这样的
欠压锁定阈值将不超过
预调节器关断电压。功耗可
通过提供外部电源到V最小化的
CC
这样
该恒流源总是被禁用。
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5
Si9100
Vishay Siliconix公司
3 -W的高电压开关模式稳压器
特点
D
10至70 V输入范围
D
电流模式控制
D
片150 -V , 5 -W MOSFET开关
D
参考选择
Si9100
"1%
D
高效率的操作( > 80%)
D
内部的启动电路
D
内部振荡器( 1兆赫)
D
关机和重设
描述
该Si9100的高电压开关模式稳压器
单片BIC / DMOS集成电路包含大部分
必要的组件以实现高效率的
直流 - 直流转换器最多3瓦。它们既可以被操作
从低电压直流电源,也可以直接从10到70 -V的
未经调节的直流电源。该Si9100可与使用
适当的变压器来实现大多数的单端
隔离电源转换器拓扑结构(即,反激式和正)
或通过使用一个电平移位电路可产生一个+ 5V的或一
5-V
从非隔离的输出
48-V
源。
该Si9100可在标准和铅(Pb ) - 免费
14引脚塑料DIP和20引脚PLCC封装这是
指定工作在工业温度范围
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
14 (20)
错误
扩音器
V
REF
10 (14)
+
4 V (1%)
REF
2V
+
+
1.2 V
BIAS
1 (2)
当前
来源
To
国内
电路
C / L
比较
电流模式
比较
COMP
13 (18)
放电
9 (12)
OSC
IN
8 (11)
OSC
OUT
7 (10)
OSC
时钟(
1
/
2 OSC
)
R
Q
S
3 (5)
5 (8)
V
IN
( BODY )
4 (7)
V
CC
11 (16)
12 (17)
V
CC
6 (9)
来源
+V
IN
2 (3)
8.8 V
+
9.4 V
+
欠压比较器
Q
S
R
关闭
RESET
注:图中括号代表了20 -pin的封装引脚数。
应用程序的信息,请参阅AN702和AN713 。
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
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1
Si9100
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150 V
I
D
(峰)(注: 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5 A
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫安
逻辑输入( RESET ,
关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散(包)
a
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至70 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到7V的
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
p
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用) ,R
L
= 10毫瓦
房间
房间
房间
3.92
15
70
4.0
30
100
0.5
4.08
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
R
OSC
= 330千瓦,见备注:F
R
OSC
= 150千瓦,见备注:F
DF /女
= F ( 13.5 V)
楼( 9.5 V) / F( 9.5 V)
房间
房间
房间
房间
1
80
160
3
100
200
10
200
120
240
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压增益
e
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源(V
FB
= 3.4 V)
水槽(V
FB
= 4.5 V)
OSC IN =
V
IN
( OSC禁用)
OSC IN =
V
IN
( OSC禁用)
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN,
V
FB
= 4 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.12
50
60
3.96
4.00
25
"15
80
1
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
4.04
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
W
mA
dB
2
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
Si9100
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
200
V
ns
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦,R
OSC
= 330千瓦
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器
关断阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲Widthv300
ms
V
CC
= V
UVLO
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
9.4
8.8
0.6
9.7
9.2
V
70
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲Widthe
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流,输入电压高
输入电流,输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
ns
50
100
V
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
g
流掉泄漏电流
漏极电容
V
( BR ) DSS
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
I
= 100
mA
V
来源
= 0 V,I
= 100毫安
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
V
= 100 V
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
房间
房间
房间
35
150
180
3
5
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
克。为r的温度系数
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
文档编号: 70000
S- 42041 -REV 。 G, 15月, 04
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3
Si9100
Vishay Siliconix公司
时序波形
来源
0
V
CC
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
t
SW
50%
t
LW
50%
50%
t
RW
50%
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
140
120
100
+ V中(V)的
80
60
40
20
0
10
+V
IN
VS + I
IN
在启动时
V
CC
=
V
IN
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT (赫兹)
15
+I
IN
(MA )
20
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
图5中。
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4
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Si9100
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PDIP-14
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
引脚说明
功能
BIAS
+V
IN
来源
V
IN
V
CC
OSC OUT
OSC IN
放电
14引脚DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
20引脚PLCC *
2
3
5
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
PLCC-20
3
2
1
20 19
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13
顶视图
18
17
16
15
14
V
REF
关闭
RESET
COMP
FB
*引脚1 ,4,6 ,13,15 ,和19 = N / C
订购信息
标准
产品型号
Si9100DJ02
Si9100DN02
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9100DJ02—E3
Si9100DN02—E3
温度
范围
40
85
_C
40
PDIP-14
PLCC-20
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9100的低静态电流的要求
控制电路,偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源,从外部调节
低电压供电,或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中, + V首先施加
IN
将以此为
恒定电流。此电流的大小来确定
由一个高压耗尽型MOSFET器件是
连接+ V之间
IN
和V
CC
。这起振电路
提供初始功率给IC通过充电的外部旁路
电容连接至V
CC
引脚。恒定电流是
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残疾人当V
CC
超过9.4 V.如果V
CC
不强制
超过9.4 -V的阈值,则V
CC
将被调节到一个
9.4 V由预调节器电路的标称值。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下,一个内部欠压( UV)锁定电路保持
输出MOSFET关闭,直到V
CC
超过
欠压锁定阈值(通常为8.8 V) 。这
保证了控制逻辑将被正常
并且有足够的栅极驱动电压是可用的前
MOSFET导通。该集成电路的设计是这样的
欠压锁定阈值将不超过
预调节器关断电压。功耗可
通过提供外部电源到V最小化的
CC
这样
该恒流源总是被禁用。
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