光电二极管
硅光电二极管
S2386系列
对于可见光到红外的,通用的测光
特点
应用
l
高灵敏度
l
低暗电流
l
高可靠性
l
高线性度
l
分析设备
l
光学测量设备
s
通用等级/绝对最大额定值
型号
尺寸的
外形/
窗口
材料*
/K
/L
/K
/K
/K
包
(mm)
TO-18
TO-5
TO-8
活跃
区大小
(mm)
1.1 × 1.1
2.4 × 2.4
3.6 × 3.6
3.9 × 4.6
5.8 × 5.8
有效
活动区域
(mm
2
)
1.2
5.7
13
17.9
33
30
-40至+100
-55到+125
绝对最大额定值
操作
存储
反向
温度
温度
电压
TOPR
TSTG
V
R
马克斯。
(V)
(°C)
(°C)
S2386-18K
S2386-18L
S2386-5K
S2386-44K
S2386-45K
S2386-8K
s
电气和光学特性(典型值TA = 25 ℃,除非另有说明)
终奌站
黑暗
短路
温度。上升时间的电容并联
电流系数
阻力
tr
当前
Ct
I
D
R
=0 V
RSH
ISC
V
R
= 10米I V
D
V
V
R
=0 V V
R
-10毫伏
型号
100
lx
T
CID
R
L
=1 k
马克斯。
F = 10千赫
间隙H E-的Ne砷化镓
MIN 。 TYP 。
λp
LED激光LE 敏。典型值。
560纳米633纳米930纳米( μA ) ( μA ) ( PA) (次/ ° C) (微秒)
(G) (G)
(纳米)
(纳米)
(PF )
S2386-18K
1
1.3
2
0.4
140
5 100
S2386-18L
4
5.7
S2386-5K
4.4 6.0
5
1.8
730
2 50
320 960 1100 0.6 0.38 0.43 0.59
1.12
S2386-44K
9.6 12
20
3.6
1600 0.5
25
S2386-45K
12
17
30
5.5
2300 0.3
S2386-8K
26
33
50
10
4300 0.2 10
*窗口材料K :高硼硅玻璃, L:镜头类型硼硅玻璃
谱峰
响应灵敏度
波长范围
λ
λp
照片灵敏度
S
( A / W)
NEP
V
R
=0 V
λ=λp
(W / Hz的
1/2
)
6.8 × 10
-16
9.6 × 10
-16
1.4 × 10
-15
2.1 × 10
-15
1
硅光电二极管
S2386-5K/-44K
9.1 ± 0.2
4.1 ± 0.2
S2386系列
S2386-45K
9.1 ± 0.2
8.1 ± 0.1
窗口
5.9 ± 0.1
Y
窗口
5.9 ± 0.1
8.1 ± 0.1
光敏
表面
0.45
领导
2.8
X
20
活动区域
4.1 ± 0.2
2.8
0.4
5.08 ± 0.2
光敏
表面
0.45
领导
连接到外壳
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
5.08 ± 0.2
KSPDA0103EA
CHIP中心CAP中心
-0.7≤X≤-0.1
-0.3≤Y≤+0.3
连接到外壳
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
S2386-8K
13.9 ± 0.2
5.0 ± 0.2
KSPDA0178EA
窗口
10.5 ± 0.1
12.35 ± 0.1
光敏
表面
0.45
领导
1.8
7.5 ± 0.2
MARK ( 1.4 )
连接到外壳
在K型硼硅玻璃
窗口可延伸的最大
为0.2mm以上的上表面
盖的。
KSPDA0104EA
滨松光子学株式会社,固态处
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规格若有变更,恕不另行通知。没有专利权授予任何本文所描述的电路。 2006滨松光子学株式会社
20
4
猫。第KSPD1035E03
2006年8月DN