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SEMiX453GB12E4s
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
683
526
450
1350
-20 ... 20
10
-40 ... 175
544
407
450
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
1350
2430
-40 ... 175
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX453GB12E4s
T
j
= 175 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
I
C
= 150 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
27.9
1.74
1.53
2550
1.67
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
336
80
45
615
130
66.5
0.065
1.8
2.2
0.8
0.7
2.2
3.3
5.8
0.1
2.05
2.4
0.9
0.8
2.6
3.6
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
动态值适用于
以下电阻组合：
R
坤，主
= 1,0
R
高夫，主
= 1,0
R
G，X
= 2,2
R
E，X
= 0,5
V
GE
=V
CE
, I
C
= 18毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 600 V
I
C
= 450 A
T
j
= 150 °C
R
G于
= 1.9
T
j
= 150 °C
R
克OFF
= 1.9
的di / dt
on
= 4000 A / μs的牛逼
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 5000 A / μs的牛逼
j
= 150 °C
每个IGBT
GB
由赛米控
第4版 - 2009年12月16日
1
SEMiX453GB12E4s
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
20
0.7
1
0.04
5
5
300
T
c
= 100 ° C（R
25
=5 k)
R
(T)
=R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/T
100
)];
T [ K] ;
493 ± 5%
3550
±2%
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
K
g
I
F
= 450 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 5000 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
1.1
0.7
1.4
2.2
分钟。
典型值。
2.1
2.1
1.3
0.9
1.9
2.6
350
70
28
马克斯。
2.46
2.4
1.5
1.1
2.1
2.8
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMiX的
3s
沟道IGBT模块
SEMiX453GB12E4s
0.11
K / W
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
动态值适用于
以下电阻组合：
R
坤，主
= 1,0
R
高夫，主
= 1,0
R
G，X
= 2,2
R
E，X
= 0,5
GB
2
第4版 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX453GB12E4s
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第4版 - 2009年12月16日
3
SEMiX453GB12E4s
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第4版 - 2009年12月16日
由赛米控
SEMiX453GB12E4s
SEMiX的3S
Spring配置
由赛米控
第4版 - 2009年12月16日
5
SEMiX453GB12E4s
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
683
526
450
1350
-20 ... 20
10
-40 ... 175
544
407
450
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
1350
2430
-40 ... 175
600
-40 ... 125
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的3S
沟道IGBT模块
SEMiX453GB12E4s
T
j
= 175 °C
I
fnom的
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认证，文件编号。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
I
C
= 450 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
27.9
1.74
1.53
2550
1.67
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
336
80
45
615
130
66.5
0.065
1.8
2.2
0.8
0.7
2.2
3.3
5.8
0.1
2.05
2.4
0.9
0.8
2.6
3.6
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
动态值适用于
以下电阻组合：
R
坤，主
= 1,0
R
高夫，主
= 1,0
R
G，X
= 2,2
R
E，X
= 0,5
V
GE
=V
CE
, I
C
= 18毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 600 V
I
C
= 450 A
T
j
= 150 °C
R
G于
= 1.9
T
j
= 150 °C
R
克OFF
= 1.9
的di / dt
on
= 4000 A / μs的牛逼
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 5000 A / μs的
T
j
= 150 °C
每个IGBT
GB
由赛米控
第0版 - 2010年5月5日
1
SEMiX453GB12E4s
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
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I
RRM
Q
rr
E
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R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
水库，终端芯片
每个模块
到散热器（M5）
到终端（ M6）的
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
20
0.7
1
0.04
5
5
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25
=5 k)
R
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=R
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100/125
(1/T-1/T
100
)];
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493 ± 5%
3550
±2%
nH
m
m
K / W
Nm
Nm
Nm
w
。温度传感器
R
100
B
100/125
K
g
I
F
= 450 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 5000 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
1.1
0.7
1.4
2.2
分钟。
典型值。
2.1
2.1
1.3
0.9
1.9
2.6
350
70
28
马克斯。
2.46
2.4
1.5
1.1
2.1
2.8
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 450 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMiX的
3s
沟道IGBT模块
SEMiX453GB12E4s
0.11
K / W
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认证，文件编号。 E63532
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
备注
外壳温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
产品可靠性的结果是有效的
T
j
=150°C
动态值适用于
以下电阻组合：
R
坤，主
= 1,0
R
高夫，主
= 1,0
R
G，X
= 2,2
R
E，X
= 0,5
GB
2
第0版 - 2010年5月5日
由赛米控
SEMiX453GB12E4s
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第0版 - 2010年5月5日
3
SEMiX453GB12E4s
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第0版 - 2010年5月5日
由赛米控
SEMiX453GB12E4s
SEMiX的3S
Spring配置
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。
由赛米控
第0版 - 2010年5月5日
5
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S29CD032J1MFFI033
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SN74S194D
ST72F324LJ6T6
SRAF1660
STM1001MWX6F
SI9100
SDR5811CT/5
SCTA.B.C.D.H104K50
SC-D1420-FREQ
SN471M035ST
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