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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第246页 > SI4511DY-T1
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
20
20
20
特点
r
DS （ ON）
(W)
0.0145 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
0.033 @ V
GS
=
4.5
V
0.050 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
9.6
8.6
6.2
5
D
TrenchFETr功率MOSFET
应用
D
电平转换
D
负荷开关
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4511DY
Si4511DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4511DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4511DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
S
1
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P沟道
10秒。
稳定状态
20
"12
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒。
稳定状态
20
"16
单位
V
9.6
7.7
40
1.7
2
1.3
7.2
5.8
0.9
1.1
0.7
6.2
4.9
40
1.7
2
1.3
55
150
4.6
3.7
0.9
1.1
0.7
W
_C
A
热电阻额定值
N沟道
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳态
稳态
P-通道
典型值
50
90
30
符号
R
thJA
R
thJF
典型值
50
85
30
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
35
单位
° C / W
C / W
1
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （H ）
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"16
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.6 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.2
A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.6 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
5
A
正向跨导
b
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.6 A
V
DS
=
15
V，I
D
=
6.2
A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
40
40
0.0115
0.022
0.0135
0.035
33
17
0.8
0.8
1.2
1.2
0.0145
0.033
0.017
0.050
S
W
0.6
0.6
1.8
1.4
"100
"100
1
1
5
5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体
门体漏
nA
二极管的正向电压
b
V
动态
a
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
d
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
CH
l
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
P沟道
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.6 A
P沟道
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V I
D
=
6.2
A
10 V
4 5 V,
62
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
11.5
17
3.7
4.1
3.3
4.3
12
25
12
30
55
70
15
50
50
40
20
40
20
45
85
105
25
75
100
80
ns
18
20
nC
栅极 - 源
门源电荷
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
2
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通4 V
32
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
3V
32
40
N沟道
传输特性
24
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
55_C
8
2V
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.020
2000
电容
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
V
GS
= 10 V
0.010
C
电容（pF）
0.015
1600
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
1200
800
C
RSS
C
OSS
0.005
400
0.000
0
8
16
24
32
40
I
D
漏电流（ A）
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
V
DS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.4
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
3
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.05
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 9.6 A
0.03
I
D
= 3 A
0.02
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.01
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
0.2
0.4
0.6
0.8
50
I
D
= 250
mA
30
25
20
单脉冲功率
15
10
5
0
10
2
25
0
25
50
75
100
125
150
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
www.vishay.com
4
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
N沟道
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗，结到脚
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 5通3.5 V
32
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
3V
32
40
P沟道
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
24
2.5 V
24
125_C
16
2V
8
1.5 V
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
16
8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
5
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
20
20
20
特点
r
DS （ ON）
(W)
0.0145 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
0.033 @ V
GS
=
4.5
V
0.050 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
9.6
8.6
6.2
5
D
TrenchFETr功率MOSFET
应用
D
电平转换
D
负荷开关
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4511DY
Si4511DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4511DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4511DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
S
1
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P沟道
10秒。
稳定状态
20
"12
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒。
稳定状态
20
"16
单位
V
9.6
7.7
40
1.7
2
1.3
7.2
5.8
0.9
1.1
0.7
6.2
4.9
40
1.7
2
1.3
55
150
4.6
3.7
0.9
1.1
0.7
W
_C
A
热电阻额定值
N沟道
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳态
稳态
P-通道
典型值
50
90
30
符号
R
thJA
R
thJF
典型值
50
85
30
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
35
单位
° C / W
C / W
1
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （H ）
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"16
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.6 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.2
A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.6 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
5
A
正向跨导
b
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.6 A
V
DS
=
15
V，I
D
=
6.2
A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
40
40
0.0115
0.022
0.0135
0.035
33
17
0.8
0.8
1.2
1.2
0.0145
0.033
0.017
0.050
S
W
0.6
0.6
1.8
1.4
"100
"100
1
1
5
5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体
门体漏
nA
二极管的正向电压
b
V
动态
a
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
d
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
CH
l
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
P沟道
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.6 A
P沟道
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V I
D
=
6.2
A
10 V
4 5 V,
62
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
11.5
17
3.7
4.1
3.3
4.3
12
25
12
30
55
70
15
50
50
40
20
40
20
45
85
105
25
75
100
80
ns
18
20
nC
栅极 - 源
门源电荷
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
2
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通4 V
32
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
3V
32
40
N沟道
传输特性
24
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
55_C
8
2V
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.020
2000
电容
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
V
GS
= 10 V
0.010
C
电容（pF）
0.015
1600
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
1200
800
C
RSS
C
OSS
0.005
400
0.000
0
8
16
24
32
40
I
D
漏电流（ A）
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
V
DS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.4
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
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3
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.05
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 9.6 A
0.03
I
D
= 3 A
0.02
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.01
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
0.2
0.4
0.6
0.8
50
I
D
= 250
mA
30
25
20
单脉冲功率
15
10
5
0
10
2
25
0
25
50
75
100
125
150
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
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4
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
N沟道
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗，结到脚
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 5通3.5 V
32
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
3V
32
40
P沟道
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
24
2.5 V
24
125_C
16
2V
8
1.5 V
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
16
8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
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5
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
20
20
20
特点
r
DS （ ON）
(W)
0.0145 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
0.033 @ V
GS
=
4.5
V
0.050 @ V
GS
=
2.5
V
I
D
(A)
9.6
8.6
6.2
5
D
TrenchFETr功率MOSFET
应用
D
电平转换
D
负荷开关
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4511DY
Si4511DY -T1 （带编带和卷轴）
Si4511DY -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si4511DY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
S
1
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P沟道
10秒。
稳定状态
20
"12
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒。
稳定状态
20
"16
单位
V
9.6
7.7
40
1.7
2
1.3
7.2
5.8
0.9
1.1
0.7
6.2
4.9
40
1.7
2
1.3
55
150
4.6
3.7
0.9
1.1
0.7
W
_C
A
热电阻额定值
N沟道
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳态
稳态
P-通道
典型值
50
90
30
符号
R
thJA
R
thJF
典型值
50
85
30
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
35
单位
° C / W
C / W
1
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （H ）
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"16
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
导通状态
在国家漏极电流
b
I
D( )
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.6 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
b
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.2
A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.6 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
5
A
正向跨导
b
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.6 A
V
DS
=
15
V，I
D
=
6.2
A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
40
40
0.0115
0.022
0.0135
0.035
33
17
0.8
0.8
1.2
1.2
0.0145
0.033
0.017
0.050
S
W
0.6
0.6
1.8
1.4
"100
"100
1
1
5
5
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
门体
门体漏
nA
二极管的正向电压
b
V
动态
a
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
d
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
CH
l
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
P沟道
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.6 A
P沟道
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V I
D
=
6.2
A
10 V
4 5 V,
62
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
11.5
17
3.7
4.1
3.3
4.3
12
25
12
30
55
70
15
50
50
40
20
40
20
45
85
105
25
75
100
80
ns
18
20
nC
栅极 - 源
门源电荷
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
www.vishay.com
2
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
Si4511DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通4 V
32
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
3V
32
40
N沟道
传输特性
24
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
55_C
8
2V
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.020
2000
电容
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
V
GS
= 10 V
0.010
C
电容（pF）
0.015
1600
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
1200
800
C
RSS
C
OSS
0.005
400
0.000
0
8
16
24
32
40
I
D
漏电流（ A）
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
V
DS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.4
V
GS
= 10 V
I
D
= 9.6 A
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
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3
Si4511DY
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.05
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 9.6 A
0.03
I
D
= 3 A
0.02
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.01
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
0.2
0.4
0.6
0.8
50
I
D
= 250
mA
30
25
20
单脉冲功率
15
10
5
0
10
2
25
0
25
50
75
100
125
150
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
N沟道
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗，结到脚
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 5通3.5 V
32
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
3V
32
40
P沟道
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
24
2.5 V
24
125_C
16
2V
8
1.5 V
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
16
8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
文档编号： 72223
S- 41496 -REV 。 B， 09 - 8 - 04
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
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