【N沟道100V - 0.065- 4A SO- 8的STripFET II功率MOSFETTYPES】,IC型号STS4NF100,STS4NF100 PDF资料,STS4NF100经销商,ic,电子元器件-51电子网

N沟道100V - 0.065

- 4A SO- 8

的STripFET II功率MOSFET

TYPE

STS4NF100

DSS

100 V

DS （ ON）

<0.070

典型

（上） = 0.065

DV dt能力EXCEPTIONAL /

100％的雪崩测试

面向应用

表征

描述

这实现了与意法半导体MOSFET系列产品

独特的STripFET进程专门设计

以减少输入电容和栅极电荷。这是

因此适合作为先进的高初级开关

效率，高频隔离型DC- DC转换器

电信和计算机应用。它也意

与低栅极驱动要求的任何应用程序。

SO-8

内部原理图

应用

高效率的DC -DC转换器

UPS和电机控制

绝对最大额定值

符号

DGR

()

合计

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续的）在T

= 25°C

漏电流（连续的）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

价值

100

± 20

2.5

单位

()

脉冲宽度有限的安全工作区。

2001年7月

1/8

STS4NF100

热数据

Rthj - AMB

英镑

（ * ）热阻结到环境

热工作结到环境

储存温度

单一化经营

-55到150

° C / W

°C

(*)

安装在FR- 4电路板（T

[

10秒）

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值牛逼

= 125°C

= ± 20 V

分钟。

100

±100

典型值。

马克斯。

单位

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 250 A

= 2 A

分钟。

典型值。

0.065

马克斯。

0.070

单位

动态

符号

飞秒（*）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

＆ GT ;我

D（上）

DS （ ON）最大值

= 2 A

= 25V ， F = 1兆赫，V

= 0

分钟。

典型值。

870

125

马克斯。

单位

2/8

STS4NF100

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 4 A

= 50 V

= 4.7

= 10 V

（阻性负载，图3 ）

= 80V我

= 4A V

=10V

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 4 A

= 50 V

= 4.7,

= 10 V

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM （

)

SD （*）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 4 A

= 0

100

375

7.5

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

的di / dt = 100A / μs的

= 4 A

= 30 V

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

(*)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

(

)

脉冲宽度有限的安全工作区。

安全工作区

热阻抗

3/8

STS4NF100

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/8

STS4NF100

归栅极阈值电压与温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

5/8

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