Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
N通道，减少的Q
g
， MOSFET与肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.160 @ V
GS
= 4.5 V
0.260 @ V
GS
= 3.0 V
I
D
(A)
"1.9
"1.5
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
F
(v)
二极管的正向电压
0.5 V @ 1
I
F
(A)
1.5
D
K
TSSOP-8
D
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
8
K
A
A
A
S
A
G
Si6820DQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
A，B
150 C)
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
A，B
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
A，B
最大功率耗散（肖特基）
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
极限
20
20
"12
"1.9
"1.5
"8
1.0
1.5
30
1.2
0.76
1.0
0.64
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（T
v
10秒）
a
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
最大
105
125
单位
R
thJA
最大结到环境（ T =稳态）
a
115
130
° C / W
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-1
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.9 A
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.9 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
6
0.085
0.115
5
0.77
1.2
0.160
0.260
W
S
V
0.6
"100
1
25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
3 = 5 V ，R
L
= 11.5
W
3.5 V,
11 5
I
D
^
0.3 A，V
根
4 = 5 V R
G
= 6
W
03A
4.5 V,
V
DS
= 3.5 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.3 A
35V
45V
03
2.1
0.43
0.30
8
10
12
6
31
20
20
25
15
60
ns
3.5
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A，T
J
= 125_C
V
r
= 20 V
民
典型值
0.45
0.36
0.003
0.1
2
62
最大
0.50
单位
V
0.42
0.100
1
10
pF
mA
A
最大R
反向漏电流
M I
L·K
C
I
rm
V
r
= 20 V ，T
J
= 75_C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125_C
结电容
C
T
V
r
= 10 V
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
3V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= 5通3.5 V
2.5 V
6
I
D
- 漏极电流（ A）
8
10
MOSFET
传输特性
6
4
4
T
C
= 125_C
2
25_C
0
–55_C
2
2V
1.5 V
0
0
2
4
6
8
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
- 电容（pF ）
V
GS
= 3.0 V
0.12
V
GS
= 4.5 V
0.08
400
C
国际空间站
300
C
OSS
200
0.04
100
C
RSS
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 3.5 V
I
D
= 0.3 A
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.9 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
1.6
3
1.2
2
0.8
1
0
0
0.5
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.4
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.3
T
J
= 150_C
0.2
I
D
= 1.9 A
0.1
T
J
= 25_C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.8
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.50
I
D
= 250
mA
0.25
V
GS （ TH）
方差（ V）
20
功率（W）的
30
25
单脉冲功率
0.00
15
10
–0.25
5
–0.5
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 115 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
=反向电流（mA ）
3
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
1
T
J
= 150_C
0.1
20 V
10 V
0.01
0.1
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
T
J
=结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
250
电容
C
T
- 结电容（pF ）
200
150
C
国际空间站
100
50
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
P
DM
0.1
0.1
t
1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-5
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
N通道，减少的Q
g
， MOSFET与肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.160 @ V
GS
= 4.5 V
0.260 @ V
GS
= 3.0 V
I
D
(A)
"1.9
"1.5
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
F
(v)
二极管的正向电压
0.5 V @ 1
I
F
(A)
1.5
D
K
TSSOP-8
D
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
8
K
A
A
A
S
A
G
Si6820DQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
A，B
150 C)
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
A，B
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
A，B
最大功率耗散（肖特基）
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
极限
20
20
"12
"1.9
"1.5
"8
1.0
1.5
30
1.2
0.76
1.0
0.64
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（T
v
10秒）
a
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
肖特基
符号
典型
最大
105
125
单位
R
thJA
最大结到环境（ T =稳态）
a
115
130
° C / W
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-1
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.9 A
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.9 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
6
0.085
0.115
5
0.77
1.2
0.160
0.260
W
S
V
0.6
"100
1
25
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
3 = 5 V ，R
L
= 11.5
W
3.5 V,
11 5
I
D
^
0.3 A，V
根
4 = 5 V R
G
= 6
W
03A
4.5 V,
V
DS
= 3.5 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.3 A
35V
45V
03
2.1
0.43
0.30
8
10
12
6
31
20
20
25
15
60
ns
3.5
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 1 A
I
F
= 1 A，T
J
= 125_C
V
r
= 20 V
民
典型值
0.45
0.36
0.003
0.1
2
62
最大
0.50
单位
V
0.42
0.100
1
10
pF
mA
A
最大R
反向漏电流
M I
L·K
C
I
rm
V
r
= 20 V ，T
J
= 75_C
V
r
= 20 V ，T
J
= 125_C
结电容
C
T
V
r
= 10 V
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
3V
8
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= 5通3.5 V
2.5 V
6
I
D
- 漏极电流（ A）
8
10
MOSFET
传输特性
6
4
4
T
C
= 125_C
2
25_C
0
–55_C
2
2V
1.5 V
0
0
2
4
6
8
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
500
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.16
- 电容（pF ）
V
GS
= 3.0 V
0.12
V
GS
= 4.5 V
0.08
400
C
国际空间站
300
C
OSS
200
0.04
100
C
RSS
0
0
2
4
I
D
- 漏极电流（ A）
6
8
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 3.5 V
I
D
= 0.3 A
栅极电荷
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.9 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.0
1.5
2.0
2.5
1.6
3
1.2
2
0.8
1
0
0
0.5
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.4
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.3
T
J
= 150_C
0.2
I
D
= 1.9 A
0.1
T
J
= 25_C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.8
0
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.50
I
D
= 250
mA
0.25
V
GS （ TH）
方差（ V）
20
功率（W）的
30
25
单脉冲功率
0.00
15
10
–0.25
5
–0.5
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 115 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
Si6820DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
=反向电流（mA ）
3
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
1
T
J
= 150_C
0.1
20 V
10 V
0.01
0.1
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
T
J
=结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
250
电容
C
T
- 结电容（pF ）
200
150
C
国际空间站
100
50
0
0
4
8
12
16
20
V
KA
- 反向电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
P
DM
0.1
0.1
t
1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 70790
S- 56936 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-5
QQ：2880707522 复制
