4兆位（ X8 ）小扇区闪存
SST29SF040 / SST29VF040
SST29SF / VF0404Mb （ X8 ）字节编程，小扇区闪存
数据表
产品特点：
组织为512K ×8
单电压读写操作
- 4.5-5.5V ，仅供SST29SF040
- 2.7-3.6V的SST29VF040
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流：
30 μA （典型值）的SST29SF040
1 μA （典型值）的SST29VF040
扇区擦除功能
- 统一的128字节扇区
快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST29SF040
- 55 ns到70 ns的为SST29VF040
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：8秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
TTL I / O的SST29SF040兼容性
为SST29VF040 CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
产品说明
该SST29SF040和SST29VF040是512K ×8 CMOS
小扇区闪存（ SSF ）与SST的propri-制造
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST29SF040设备写
（编程或擦除）以4.5-5.5V的电源。该
SST29VF040设备写（编程或擦除）用2.7
3.6V电源。这些器件符合JEDEC
标准引脚为x8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST29SF040和SST29VF040设备提供了马克西
20微秒的妈妈字节编程时间。为了防止
无意中写的，他们有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造，
并测试了广泛的应用，这些光谱
器件还具有一个保证续航能力，在
至少10,000次。数据保留的额定功率为大于
100年。
该SST29SF040和SST29VF040器件适用
对于需要方便和经济的应用
更新程序，配置或数据存储器。为
所有的系统应用程序，它们显著改善perfor-
曼斯和可靠性，同时降低功耗。
他们擦除和亲时会本能地使用更少的能源
克比其他闪存技术。的总能量
消耗是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
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1
SuperFlash技术的编程电流小，
具有擦除时间更短，总的能量消耗能很好地协同
荷兰国际集团的任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。他们还提高了灵活性，同时低
化工e圈的成本为程序，数据和配置存储
应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29SF040和SST29VF040器件提供32位
引脚PLCC和32引脚TSOP封装。见图1
和2引脚分配。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
4兆位小部门的Flash
SST29SF040 / SST29VF040
数据表
读
该SST29SF040的读操作和
SST29VF040设备通过CE＃和OE ＃控制，
既要低的系统，以获得从所述数据
输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为
高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置
SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻
状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读
对于进一步的细节周期的时序图（图3） 。
芯片擦除操作
该SST29SF040和SST29VF040设备提供
芯片擦除操作，其允许用户擦除
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的时候
整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
第一。在内部擦除操作，唯一有效的读
是翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令
序列，图9为时序图，图18为
的流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
字节编程操作
该SST29SF040和SST29VF040器件亲
编程在逐字节的基础。编程之前，
其中字节存在的扇区必须完全擦除。该
程序操作完成三个步骤。第一
步骤是软件数据亲的3字节装入序列
保护。第二步骤是要加载的字节地址和字节
数据。在字节编程操作时，地址
被锁存， CE＃或WE＃的下降沿，
为准过去。该数据被锁存的上升
任CE ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该
第三步是内部编程操作，这是initi-
后ated的第4个WE ＃或CE ＃ ，上升沿，而─
先出现。编程操作，一旦启动，将
完成，在20微秒。请参阅图4和图5为WE＃
和CE ＃控制的编程操作时序图
图15的流程图。在程序操作
化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
在内部编程操作，主机可以自由地
执行其他任务。在写任何命令
内部编程操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST29SF040和SST29VF040设备提供
两种软件方法来检测完成一撇
（编程或擦除）循环中，为了优化系统
写周期时间。该软件的检测包括两个
状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
).
写操作结束检测模式的利培后启用
的WE＃的边沿启动内部程序或
擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。该SST29SF040和
SST29VF040提供扇区擦除模式。部门架构设计师用手工
tecture是基于128字节均匀的扇区大小。该
通过执行一个六字节级启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 20H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。部门
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 20H）被锁定在上升
第六WE ＃脉冲的边缘。内部擦除操作
第六WE ＃脉冲之后开始。最终擦除的操作
化可以通过数据＃查询或翻转确定
位的方法。参见图8的时序波形。所有的COM
在扇区擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。
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4兆位小部门的Flash
SST29SF040 / SST29VF040
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST29SF040和SST29VF040设备
在内部编程操作，任何尝试读取
DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生
真正的数据。请注意，即使DQ
7
可能有合法
数据立即完成内部的下面
写操作时，剩余的数据输出仍然可能是
无效：整个数据总线上的有效数据将出现在
1间隔之后的后续读周期
微秒。在内部擦除操作，任何尝试读取
DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部擦除操作
完成后， DQ的
7
将产生一个'1'。该数据＃查询
之后的第4个WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿有效脉冲
对于编程操作。对于扇区或芯片擦除时，
数据＃查询后的第6个WE ＃上升沿有效
（或CE ＃）脉冲。参见图6数据＃投票时间dia-
克和图16为一个流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST29SF040和SST29VF040提供JEDEC
对所有数据已批准的软件的数据保护方案
修改操作，即编程和擦除。任何亲
克操作需要包含一系列的三
字节序列。这三个字节装入序列用于
启动编程操作，提供最佳的保护
防止意外写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
包括六个字节装入序列。这些设备是
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止设备读取模式， T内
RC 。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
SST29SF040或SST29VF040和制造商为SST。
这种模式可以由软件操作来访问。用户
可以使用该软件产品的识别操作，以
识别部分（即使用设备ID ），使用多的时候
PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表4对软件的操作，图10为软件ID
进入和读取时序图，图17为软
洁具ID进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST29SF040
SST29VF040
0000H
0001H
0001H
数据
BFH
13H
14H
T1.2 1160
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交替'0'
和'1' ，即0和1之间切换。当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE ＃上升沿触发位是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于部门或削片
擦除，切换位之后第六个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲。参见图7翻转位时序dia-
克和图16为一个流程图。
数据保护
该SST29SF040和SST29VF040器件提供
硬件和软件功能来保护非易失性数据
意外写操作。
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
请注意，该软件ID退出命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码，图11为时序波形
形成，并且图17为一个流程图。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
低于2.5V的SST29SF040 。该
写操作被禁止时， V
DD
小于1.5V 。为
SST29VF040.
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
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2兆位/ 4兆位（ X8 ）小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
SST29SF / VF020 / 0402Mb / 4Mb的（ X8 ）
字节编程，小扇区闪存
数据表
产品特点：
组织为256K ×8 / 512K ×8
单电压读写操作
= 4.5-5.5V的SST29SF020 / 040
- 2.7-3.6V的SST29VF020 / 040
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流：
30 μA （典型值） SST29SF020 / 040
1 μA （典型值）的SST29VF020 / 040
扇区擦除功能
- 统一的128字节扇区
快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST29SF020 / 040
- 70纳秒的SST29VF020 / 040
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
4秒（典型值） SST29SF / VF020
8秒（典型值） SST29SF / VF040
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
TTL的I / SST29SF020 O兼容性/ 040
为SST29VF020 / 040 CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040顷256K
X8 / X8 512K CMOS小扇区闪存（ SSF ）制造
捕获的原始图像与SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。分裂栅单元设计
厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST29SF020 / 040设备写（编程或擦除）
用4.5-5.5V电源。该SST29VF020 / 040
设备写（编程或擦除）与电源2.7-3.6V
供应量。这些器件符合JEDEC标准引脚
分配X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040器件亲
韦迪20微秒的最大字节编程时间。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用，这些光谱
器件还具有一个保证续航能力至少
10,000次。数据保留的额定功率为大于100
年。
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
适合于和适用于需要方便的生态
程序，配置或数据存储器的nomical更新
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ORY 。对于所有的系统应用程序，它们显著改善
性能和可靠性，同时降低功率消耗
化。他们擦除过程中会本能地使用更少的能源，
程序比其他闪存技术。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。因为对于任何给定的电压
范围， SuperFlash技术使用更少的电流亲
克，并且具有擦除时间更短，总的能源消
SUMED任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。他们还可以提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和配置
存储的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克次独立的擦除/编程次数
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040器件
在32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。该
引脚分配示于图2和图3 。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
6个WE ＃脉冲，而命令（ 20H ）被锁存，
第六WE ＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。对于时序波形，参见
图9.扇区擦除期间发出的任何命令
操作将被忽略。
芯片擦除操作
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
提供一个片擦除操作，其允许用户
擦除整个存储器阵列的“1”状态。这是使用 -
FUL当整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
第一。在内部擦除操作，唯一有效的读
是翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令
序列，图10为时序图，以及图19
对于流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
读
在SST29SF020的/读操作040和
SST29VF020 / 040设备通过CE＃和控制
OE＃ ，二者都为低电平的系统，以获得从数据
的输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为
高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置
SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻
状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读
在图4中进一步的细节周期时序图。
字节编程操作
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
被编程在逐字节的基础。编程前
明，其中存在的字节必须完全擦除扇区。
程序操作完成三个步骤。该
第一步是软件数据的3字节装入序列
保护。第二步骤是要加载的字节地址和
字节的数据。在字节编程操作，
地址锁存，无论是CE＃下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的利培
荷兰国际集团的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。该
第三步是内部编程操作，这是initi-
后ated的第4个WE ＃或CE ＃ ，上升沿，而─
先出现。编程操作，一旦启动，将
完成，在20微秒。参见图5和6为WE＃
和CE ＃控制的编程操作时序图
图16为流程图。在程序操作
化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
在内部编程操作，主机可以自由地
执行其他任务。在写任何命令
内部编程操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
提供了两种软件的手段来检测完成的
写（编程或擦除）循环中，为了优化
系统的写入周期时间。软件检测包含
两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
).
写操作结束检测模式的利培后启用
的WE＃的边沿启动内部程序或
擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。该SST29SF020 /
040和SST29VF020 / 040提供扇区擦除模式。该
扇区结构是基于128均匀扇区大小
字节。通过执行启动扇区擦除操作
与扇区擦除的COM一个6字节的命令序列
命令（ 20H）和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。
扇区地址被锁存的下降沿
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2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040
设备内部程序运行过程中，
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后，
DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使DQ
7
可能有立即的有效数据完成以下
在内部写操作的，其余数据输出
可能仍然是无效的：在整个数据总线上的有效数据将
出现在后的后续读周期
间隔1微秒。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
数据＃查询后的第4个WE ＃上升沿有效
（或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或
芯片擦除，数据＃查询后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为
数据＃查询时序图和图17的液流 -
图。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
低于2.5V的SST29SF020 /
040的写入操作被禁止时， V
DD
小于
1.5V 。为SST29VF020 / 040 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040提供
在JEDEC批准的软件数据保护方案
所有数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含一个6字节装入序列。这些
设备附带的软件数据保护per-
manently启用。具体的软件命令代码
示于表4中。在SDP命令序列
无效命令会中止器件读取模式，内
T
RC 。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交替'0'
和'1' ，即0和1之间切换。当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE ＃上升沿触发位是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于部门或削片
擦除，切换位之后第六个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲。参见图8的翻转位时序dia-
克和图17的流程图。
数据保护
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
同时提供硬件和软件功能来保护
从意外写入非易失性数据。
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2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
数据表
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
SST29SF020,
SST29SF040
和
SST29VF020,
SST29VF040和制造商为SST。此模式可
可以通过软件来操作的访问。用户可以使用
软件产品标识操作来识别一部分
（即，使用设备ID ），当使用多个manufactur-
ERS在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表4的软件
操作时，图11为软件ID进入和读取
时序图，图18为软件ID进入
命令序列流程图。
表1 ：产品标识
地址
制造商ID
器件ID
SST29SF020
SST29VF020
SST29SF040
SST29VF040
0001H
0001H
0001H
0001H
24H
25H
13H
14H
T1.3 1160
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
请注意，该软件ID退出命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码，图12为时序波形
形成，并且图18为一个流程图。
数据
BFH
0000H
X解码器
超快闪
内存
内存
地址
地址缓冲器&锁存器
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ7 - DQ0
1160 B1.0
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
图1 ：功能框图
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2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
数据表
SST29SF / VF020 SST29SF / VF040
WE＃
WE＃
VDD
A12
A15
A16
A18
VDD
A12
A15
A16
SST29SF / VF040 SST29SF / VF020
A17
SST29SF / VF020 SST29SF / VF040
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
SST29SF / VF040 SST29SF / VF020
4
3
2
1
NC
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VSS
1160 32 - PLCC NH P1.2
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
图2 ：引脚分配为32引脚PLCC
SST29SF / VF040 SST29SF / VF020
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE＃
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1160 32 - TSOP WH P2.2
DQ6
SST29SF / VF020 SST29SF / VF040
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
标准引脚
顶视图
死亡最多
图3 ：引脚分配为32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
2005硅存储技术公司
S71160-13-000
10/06
5
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