S5566B,S5566G,S5566J,S5566N
东芝整流硅扩散型
S5566B,S5566G,S5566J,S5566N
通用整流器应用
l
平均正向电流
: I
F（ AV）
= 1A
l
重复峰值反向电压： V
RRM
= 100, 400, 600, 1000V
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
S5566B
重复峰值
反向电压
S5566G
S5566J
S5566N
平均正向电流
峰值一个周期
奔腾
当前
（不重复）
结温
存储温度范围
S5566B
S5566G
I
FSM
S5566J
S5566N
T
j
T
英镑
I
F（ AV）
V
RRM
符号
等级
100
400
600
1000
1.0
45 （ 50赫兹）
49 （ 60赫兹）
30 （ 50赫兹）
33 （ 60赫兹）
40~150
40~150
°C
°C
A
A
V
单位
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.225克
―
―
33E1A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
峰值正向电压
反向重复峰值电流
符号
V
FM
I
RRM
测试条件
I
FM
= 1.0A
V
RRM
=额定
民
―
―
典型值。
―
―
最大
1.2
10
单位
V
A
记号
1
2001-07-10
S5566B,S5566G,S5566J,S5566N
2
2001-07-10
S5566B,S5566G,S5566J,S5566N
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
3
2001-07-10
S5566B/G/J/N
PRV ： 100 - 1000伏
IO： 1.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
硅整流二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据：
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.339克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 50赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
最大峰值正向浪涌电流单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.0 A
最大重复峰值反向电流
结温范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
S5566B
100
70
100
S5566G
400
280
400
1.0
S5566J
600
420
600
S5566N
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
(50Hz)
(60Hz)
(50Hz)
(60Hz)
I
FSM
V
F
I
RRM
T
J
T
英镑
45
49
1.2
10
30
33
A
V
A
°C
°C
- 40 + 150
- 40 + 150
第1页2
启示录01 ： 2002年4月2日
额定值和特性曲线（ S5566B / G / J / N ）
图1 - 降额曲线输出
整流电流
1.0
50
图2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌
当前，安培
平均正向输出
当前，安培
TJ = 25°C
40
0.8
60赫兹
30
0.6
0.4
20
S5566B
S5566G
50赫兹
S5566J
S5566N
0.2
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
4
6
10
20
40
60
100
环境温度（
°
C)
循环次数在50Hz和60Hz
图3 - 典型正向特性
正向电流，安培
10
10
图4 - 典型的反向特性
T
J
= 100
°C
10
反向电流，
微安
1.0
1.0
T
J
= 25
°C
0.1
T
J
= 25
°C
0.1
0.4
0.01
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压，伏
百分比额定反向
电压， （ ％ ）
第2页2
启示录01 ： 2002年4月2日
S5566B,S5566G,S5566J,S5566N
东芝整流硅扩散型
S5566B,S5566G,S5566J,S5566N
通用整流器应用
l
平均正向电流
: I
F（ AV）
= 1A
l
重复峰值反向电压： V
RRM
= 100, 400, 600, 1000V
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
S5566B
重复峰值
反向电压
S5566G
S5566J
S5566N
平均正向电流
峰值一个周期
奔腾
当前
（不重复）
结温
存储温度范围
S5566B
S5566G
I
FSM
S5566J
S5566N
T
j
T
英镑
I
F（ AV）
V
RRM
符号
等级
100
400
600
1000
1.0
45 （ 50赫兹）
49 （ 60赫兹）
30 （ 50赫兹）
33 （ 60赫兹）
40~150
40~150
°C
°C
A
A
V
单位
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.225克
―
―
33E1A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
峰值正向电压
反向重复峰值电流
符号
V
FM
I
RRM
测试条件
I
FM
= 1.0A
V
RRM
=额定
民
―
―
典型值。
―
―
最大
1.2
10
单位
V
A
记号
1
2001-07-10
S5566B,S5566G,S5566J,S5566N
2
2001-07-10
S5566B,S5566G,S5566J,S5566N
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
3
2001-07-10
QQ：2880707522 复制
