SFH 2030
SFH 2030 F
Silizium - PIN- Fotodiode MIT雅适kurzer Schaltzeit
Silizium - PIN- Fotodiode MIT Tageslichtsperrfilter
硅PIN光电二极管在非常短的开关时间
硅PIN光电二极管与日光过滤器
SFH 2030
SFH 2030 F
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯为400nm双波长1100
（ SFH 2030） UND北880海里（ SFH 2030 F）
q
Kurze Schaltzeit （典型值5纳秒）
q
5毫米- Plastikbauform IM LED - Gehuse
q
奥赫gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
q
Schnelle Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
全方位学习
典型值（ * AB 4/95 ）
Bestellnummer
类型（ *为4/95 ）订购代码
SFH 2030
（ * SFH 203 ）
SFH 2030 F
（ * SFH 203 FA ）
Q62702-P955
Q62702-P956
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1100纳米（ SFH 2030）和
880纳米（ SFH 2030 F）
q
切换时间短（通常为5纳秒）
q
5毫米LED封装胶
q
也可在带
应用
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
q
稳步光反射开关和
不同强度
q
光纤传输系统
Gehuse
包
T1
3
/
4
， klares BZW以Schwarzes环氧Gieβharz ， Lt-
spieβe IM 2.54 - mm的光栅（
1
/
10
),
Kathodenkennzeichnung ： kürzerer Ltspieβ ，弗拉克
上午Gehusebund
透明和黑色环氧树脂，焊接头
2.54 mm (
1
/
10
）引线间距，阴极标记：短
焊片，持平于包
半导体集团
442
SFH 2030
SFH 2030 F
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM
Gehuse entfernt贝Ltzeit
t
≤
3s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（T
≤
3s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung
总功耗
符号
符号
T
op
;
T
英镑
T
S
邂逅相遇，
价值
–55 ... +100
300
统一性
单位
o
C
o
C
V
R
P
合计
50
100
V
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
特征
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
V
R
= 5 V ， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
λ
= 950纳米，
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
范沃特符号
符号价值
SFH 2030
SFH 2030 F
统一性
单位
S
S
λ
s最大
λ
80 (≥ 50)
–
850
400 ...1100
–
25 (≥ 15)
900
800 ... 1100
NA /九
A
nm
nm
A
L
x
B
L
x
W
H
1
1x1
1
1x1
mm
2
mm
4.0 ... 4.6
4.0 ... 4.6
mm
半导体集团
443
SFH 2030
SFH 2030 F
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
特征
bezeichnung
描述
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 20 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung
开路电压
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
Kurzschlustrom
短路电流
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
范沃特符号
符号价值
SFH 2030
I
R
S
λ
η
±
20
1 (≤ 5)
0.62
0.89
SFH 2030 F
±
20
1 (≤ 5)
0.59
0.86
毕业生
度。
nA
/ W
电子
光子
统一性
单位
V
L
V
L
420 (≥ 350)
–
–
370 (≥ 300)
mV
mV
I
K
I
K
80
–
5
–
25
5
A
A
ns
Anstiegs UND Abfallzeit宫Fotostromes
t
r
,
t
f
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50 k;
V
R
= 20 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 80 mA时，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
L
温度COEF网络cient
V
L
Temperaturkoeffizient冯
I
K,
温度COEF网络cient
I
K
Normlicht /标准光A
λ
= 950 nm的
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm的
检出限
V
F
C
0
TC
V
TC
I
1.3
11
–2.6
1.3
11
–2.6
V
pF
毫伏/ K
%/K
0.18
–
NEP
2.9 x 10
–14
–
0.2
2.9 x 10
–14
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
D*
3.5 x 10
12
3.5 x 10
12
半导体集团
444
SFH 203
SFH 203 FA
Silizium - PIN- Fotodiode MIT雅适kurzer Schaltzeit
硅PIN光电二极管在非常短的开关时间
SFH 203
SFH 203 FA
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯为400nm双波长1100
（ SFH 203 ） UND北880海里（ SFH 203 FA ）
q
Kurze Schaltzeit （典型值5纳秒）
q
5毫米- Plastikbauform IM LED - Gehuse
q
奥赫gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
q
Schnelle Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
全方位学习
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 203
（ * SFH 2030）
SFH 203 FA
（ * SFH 2030 F）
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P955
Q62702-P956
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1100纳米（ SFH 203）和
880纳米（ SFH 203 FA ）
q
切换时间短（通常为5纳秒）
q
5毫米LED封装胶
q
也可在带
应用
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
q
光中断
q
光纤传输系统
半导体集团
1
03.96
feof6645
feo06645
SFH 203
SFH 203 FA
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM
Gehuse entfernt贝Ltzeit
t
≤
3 s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（
t
≤
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung
总功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
V
R
P
合计
50
100
V
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
V
R
= 5 V ， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
λ
= 950纳米，
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
符号
符号
SFH 203
邂逅相遇，
价值
SFH 203 FA
统一性
单位
S
S
λ
s最大
λ
80 (≥ 50)
–
850
–
50 (≥ 30)
900
NA /九
A
nm
nm
400 ... 1100 800 ... 1100
A
L
×
B
L
×
W
H
1
1
×
1
1
1
×
1
mm
2
mm
×
mm
4.0 ... 4.6
4.0 ... 4.6
mm
半导体集团
2
SFH 203
SFH 203 FA
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
描述
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 20 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung
开路电压
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
Kurzschlustrom
短路电流
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
T
= 2856 K
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
;
V
R
= 20 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 80 mA时，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Normlicht /标准光A
λ
= 950 nm的
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm的
检出限
符号
符号
SFH 203
±
20
1 (≤ 5)
0.62
0.89
邂逅相遇，
价值
SFH 203 FA
±
20
1 (≤ 5)
0.59
0.86
毕业生
度。
nA
/ W
电子
光子
统一性
单位
I
R
S
λ
η
V
O
V
O
420 (≥ 350)
–
–
370 (≥ 300)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
80
–
5
–
25
5
A
A
ns
V
F
C
0
TC
V
1.3
11
– 2.6
1.3
11
– 2.6
V
pF
毫伏/ K
TC
I
NEP
0.18
–
–
0.2
%/K
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
2.9
×
10
– 14
2.9
×
10
– 14
D*
3.5
×
10
12
3.5
×
10
12
半导体集团
3
QQ：2881677436 复制
