STS5PF20V
P沟道20V - 0.065Ω - 5A SO- 8
2.5V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS5PF20V
s
s
s
s
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
< 0.080
(@4.5V)
< 0.10
(@2.5V)
I
D
5A
典型
DS
（上） = 0.065Ω
(@4.5V)
典型
DS
（上） = 0.085Ω
(@2.5V)
超低门槛栅极驱动（ 2.5V ）
标准大纲EASY
自动化表面贴装
SO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸
”
条形基础的过程。由此产生的晶体管显示
非常非常低的导通电阻，当驱动
在2.5V 。
内部原理图
应用
s
电源管理CELLULAR
手机
s
DC- DC转换器
s
电池管理游牧
设备
订购代码
产品型号
STS5PF20V
记号
S5PF20V
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2004年3月
1/8
STS5PF20V
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
价值
20
20
±8
5
3.1
20
2.5
单位
V
V
V
A
A
A
W
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
注意：对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
热数据
Rthj - AMB
T
j
T
英镑
热阻结到环境最大
马克斯。工作结温
储存温度
50
-55到150
-55到150
° C / W
°C
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 8V
分钟。
20
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.5 A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 2.5 A
分钟。
0.45
0.065
0.085
0.080
0.10
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 2.5 A
V
DS
= 15 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
6.6
412
179
42.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STS5PF20V
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 10 V，I
D
= 2.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 2.5 V
（见测试电路，图1 ）
V
DD
= 10 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 2.5V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
11
47
4.5
0.73
1.75
6
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10 V，I
D
= 2.5 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 2.5 V
（见测试电路，图1 ）
分钟。
典型值。
39
20
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 16 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
32
12.8
0.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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