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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1467页 > SD200
公司
高速模拟
N沟道增强模式
DMOS场效应管
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
特点
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0分贝分@ 1 GHz的
低噪声。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大5.0分贝@ 1 GHz的
（ SD202 ， SD203 ， SSTSD203 ）
低间电容
描述
该SD200系列制造利用Calogic的
专有DMOS设计和加工技术。该
设备的设计以及经过1 GHz的工作时
保持良好的频率响应，功率增益和
低噪音。该DMOS结构是固有的低
电容，并产生一个设备非常高的速度设计
该桥梁的JFET和砷化镓产品性能
的特点。
订购信息
部分
SD200DC
SD201DC
SD202DC
SD203DC
SSTSD201
SSTSD203
XSD200
XSD201
XSD202
XSD203
包
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
表面贴装SOT- 143
表面贴装SOT- 143
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
原理图
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
应用
高增益VHF / UHF放大器
振荡器
调音台
引脚配置
(2)
漏
(4)
CASE ， BODY
CD10-1
CD10-2
G
D
情况下，B
S
SD201 ， SD203 ，齐纳保护
SD202 ， SD204 ，非齐纳
(3)
门
(1)
来源
门（3）
漏（2）
部分标志（ SOT -143 ）
P / N
记号
201
203
车身内部连接到消协。
保护二极管ON SD201 / SD203而已。
体（4）
SOT-143
源（1）
SSTSD201
SSTSD203
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
公司
绝对最大额定值
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
参数
击穿
电压
V
DS
V
DB
V
GS
V
GB
V
GD
SD200 SD201 SD202 SD203
单位
I
D
P
T
P
D
T
j
T
s
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
功率耗散（达到或低于T
C
= +25
o
C） 。 。 。 。 1.8 W
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18毫瓦/
o
C
功率耗散（达到或低于T
A
= + 25℃） 。 。 。 360毫瓦
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.6毫瓦/
o
C
工作结
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+175
o
C
+25
+25
±40
±40
±40
+25
+25
-0.3
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
+20
+20
±40
±40
±40
+20
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
V
V
V
V
V
V
V
V
电气特性（T
A
= +25
o
C除非另有说明）
200, 201
符号
参数
民
STATIC
BV
DS
BV
DB
漏源击穿电压
汲极体击穿电压
漏源
关断电流
SD200
门体
泄漏
当前
SD202
SD201
SD203
V
GS （ TH
)
r
DS （ ON）
动态
g
fs
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
G
ps
NF
P
i
共源转发
Transcondconductance
共源输入电容
共源输出电容
共源
反向传输电容
共源功率增益
噪声系数
截取点
8.0
13
14
2.4
1.0
0.2
10
4.5
29
6.0
3.0
1.2
0.3
8.0
17
20
3.0
1.0
0.2
10
dB
4.0
29
5.0
DBM
f
= 2 MHz的
3.6
1.2
0.3
V
DS
= 15 V
F = 1 GHz的
ID = 20毫安
V
SB
= 0
pF
V
GS
= 0
mS
I
D
能力= 20 mA ，V
DS
= 15 V
F = 1千赫，V
SB
= 0
I
D
= 20毫安
V
DS
= 15 V
F = 1 MHz的
V
SB
= 0
栅极阈值电压
漏源导通电阻
0.1
1.0
40
2.0
70
0.1
1.0
35
1.0
1.0
2.0
50
V
欧
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1μA ，V
SB
= 0
V
GS
= 5 V，I
D
= 1毫安， V
SB
= 0
25
25
1.0
1.0
±0.1
±0.1
A
nA
30
20
20
25
V
V
I
D
= 1.0μA ，V
GS
= V
BS
= 0
I
D
= 1.0μA ，V
GB
= 0
源代码开放
V
DS
= 25 V
V
GS
= V
BS
= 0
V
DS
= 20 V
V
GV
=
±40
V
V
DB
= V
SB
= 0
V
GB
= 20 V
典型值
最大
民
典型值
最大
202, 203
单位
测试条件
I
D（关闭）
I
GBS
A
公司
高速模拟
N沟道增强模式
DMOS场效应管
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
特点
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0分贝分@ 1 GHz的
低噪声。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大5.0分贝@ 1 GHz的
（ SD202 ， SD203 ， SSTSD203 ）
低间电容
描述
该SD200系列制造利用Calogic的
专有DMOS设计和加工技术。该
设备的设计以及经过1 GHz的工作时
保持良好的频率响应，功率增益和
低噪音。该DMOS结构是固有的低
电容，并产生一个设备非常高的速度设计
该桥梁的JFET和砷化镓产品性能
的特点。
订购信息
部分
SD200DC
SD201DC
SD202DC
SD203DC
SSTSD201
SSTSD203
XSD200
XSD201
XSD202
XSD203
包
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
表面贴装SOT- 143
表面贴装SOT- 143
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
原理图
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
应用
高增益VHF / UHF放大器
振荡器
调音台
引脚配置
(2)
漏
(4)
CASE ， BODY
CD10-1
CD10-2
G
D
情况下，B
S
SD201 ， SD203 ，齐纳保护
SD202 ， SD204 ，非齐纳
(3)
门
(1)
来源
门（3）
漏（2）
部分标志（ SOT -143 ）
P / N
记号
201
203
车身内部连接到消协。
保护二极管ON SD201 / SD203而已。
体（4）
SOT-143
源（1）
SSTSD201
SSTSD203
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
公司
绝对最大额定值
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
参数
击穿
电压
V
DS
V
DB
V
GS
V
GB
V
GD
SD200 SD201 SD202 SD203
单位
I
D
P
T
P
D
T
j
T
s
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
功率耗散（达到或低于T
C
= +25
o
C） 。 。 。 。 1.8 W
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18毫瓦/
o
C
功率耗散（达到或低于T
A
= + 25℃） 。 。 。 360毫瓦
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.6毫瓦/
o
C
工作结
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+175
o
C
+25
+25
±40
±40
±40
+25
+25
-0.3
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
+20
+20
±40
±40
±40
+20
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
V
V
V
V
V
V
V
V
电气特性（T
A
= +25
o
C除非另有说明）
200, 201
符号
参数
民
STATIC
BV
DS
BV
DB
漏源击穿电压
汲极体击穿电压
漏源
关断电流
SD200
门体
泄漏
当前
SD202
SD201
SD203
V
GS （ TH
)
r
DS （ ON）
动态
g
fs
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
G
ps
NF
P
i
共源转发
Transcondconductance
共源输入电容
共源输出电容
共源
反向传输电容
共源功率增益
噪声系数
截取点
8.0
13
14
2.4
1.0
0.2
10
4.5
29
6.0
3.0
1.2
0.3
8.0
17
20
3.0
1.0
0.2
10
dB
4.0
29
5.0
DBM
f
= 2 MHz的
3.6
1.2
0.3
V
DS
= 15 V
F = 1 GHz的
ID = 20毫安
V
SB
= 0
pF
V
GS
= 0
mS
I
D
能力= 20 mA ，V
DS
= 15 V
F = 1千赫，V
SB
= 0
I
D
= 20毫安
V
DS
= 15 V
F = 1 MHz的
V
SB
= 0
栅极阈值电压
漏源导通电阻
0.1
1.0
40
2.0
70
0.1
1.0
35
1.0
1.0
2.0
50
V
欧
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1μA ，V
SB
= 0
V
GS
= 5 V，I
D
= 1毫安， V
SB
= 0
25
25
1.0
1.0
±0.1
±0.1
A
nA
30
20
20
25
V
V
I
D
= 1.0μA ，V
GS
= V
BS
= 0
I
D
= 1.0μA ，V
GB
= 0
源代码开放
V
DS
= 25 V
V
GS
= V
BS
= 0
V
DS
= 20 V
V
GV
=
±40
V
V
DB
= V
SB
= 0
V
GB
= 20 V
典型值
最大
民
典型值
最大
202, 203
单位
测试条件
I
D（关闭）
I
GBS
A
公司
高速模拟
N沟道增强模式
DMOS场效应管
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
特点
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0分贝分@ 1 GHz的
低噪声。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大5.0分贝@ 1 GHz的
（ SD202 ， SD203 ， SSTSD203 ）
低间电容
描述
该SD200系列制造利用Calogic的
专有DMOS设计和加工技术。该
设备的设计以及经过1 GHz的工作时
保持良好的频率响应，功率增益和
低噪音。该DMOS结构是固有的低
电容，并产生一个设备非常高的速度设计
该桥梁的JFET和砷化镓产品性能
的特点。
订购信息
部分
SD200DC
SD201DC
SD202DC
SD203DC
SSTSD201
SSTSD203
XSD200
XSD201
XSD202
XSD203
包
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
表面贴装SOT- 143
表面贴装SOT- 143
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
原理图
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
应用
高增益VHF / UHF放大器
振荡器
调音台
引脚配置
(2)
漏
(4)
CASE ， BODY
CD10-1
CD10-2
G
D
情况下，B
S
SD201 ， SD203 ，齐纳保护
SD202 ， SD204 ，非齐纳
(3)
门
(1)
来源
门（3）
漏（2）
部分标志（ SOT -143 ）
P / N
记号
201
203
车身内部连接到消协。
保护二极管ON SD201 / SD203而已。
体（4）
SOT-143
源（1）
SSTSD201
SSTSD203
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
公司
绝对最大额定值
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
参数
击穿
电压
V
DS
V
DB
V
GS
V
GB
V
GD
SD200 SD201 SD202 SD203
单位
I
D
P
T
P
D
T
j
T
s
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
功率耗散（达到或低于T
C
= +25
o
C） 。 。 。 。 1.8 W
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18毫瓦/
o
C
功率耗散（达到或低于T
A
= + 25℃） 。 。 。 360毫瓦
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.6毫瓦/
o
C
工作结
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+175
o
C
+25
+25
±40
±40
±40
+25
+25
-0.3
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
+20
+20
±40
±40
±40
+20
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
V
V
V
V
V
V
V
V
电气特性（T
A
= +25
o
C除非另有说明）
200, 201
符号
参数
民
STATIC
BV
DS
BV
DB
漏源击穿电压
汲极体击穿电压
漏源
关断电流
SD200
门体
泄漏
当前
SD202
SD201
SD203
V
GS （ TH
)
r
DS （ ON）
动态
g
fs
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
G
ps
NF
P
i
共源转发
Transcondconductance
共源输入电容
共源输出电容
共源
反向传输电容
共源功率增益
噪声系数
截取点
8.0
13
14
2.4
1.0
0.2
10
4.5
29
6.0
3.0
1.2
0.3
8.0
17
20
3.0
1.0
0.2
10
dB
4.0
29
5.0
DBM
f
= 2 MHz的
3.6
1.2
0.3
V
DS
= 15 V
F = 1 GHz的
ID = 20毫安
V
SB
= 0
pF
V
GS
= 0
mS
I
D
能力= 20 mA ，V
DS
= 15 V
F = 1千赫，V
SB
= 0
I
D
= 20毫安
V
DS
= 15 V
F = 1 MHz的
V
SB
= 0
栅极阈值电压
漏源导通电阻
0.1
1.0
40
2.0
70
0.1
1.0
35
1.0
1.0
2.0
50
V
欧
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1μA ，V
SB
= 0
V
GS
= 5 V，I
D
= 1毫安， V
SB
= 0
25
25
1.0
1.0
±0.1
±0.1
A
nA
30
20
20
25
V
V
I
D
= 1.0μA ，V
GS
= V
BS
= 0
I
D
= 1.0μA ，V
GB
= 0
源代码开放
V
DS
= 25 V
V
GS
= V
BS
= 0
V
DS
= 20 V
V
GV
=
±40
V
V
DB
= V
SB
= 0
V
GB
= 20 V
典型值
最大
民
典型值
最大
202, 203
单位
测试条件
I
D（关闭）
I
GBS
A
公司
高速模拟
N沟道增强模式
DMOS场效应管
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
特点
高增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0分贝分@ 1 GHz的
低噪声。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大5.0分贝@ 1 GHz的
（ SD202 ， SD203 ， SSTSD203 ）
低间电容
描述
该SD200系列制造利用Calogic的
专有DMOS设计和加工技术。该
设备的设计以及经过1 GHz的工作时
保持良好的频率响应，功率增益和
低噪音。该DMOS结构是固有的低
电容，并产生一个设备非常高的速度设计
该桥梁的JFET和砷化镓产品性能
的特点。
订购信息
部分
SD200DC
SD201DC
SD202DC
SD203DC
SSTSD201
SSTSD203
XSD200
XSD201
XSD202
XSD203
包
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
4引脚TO -52封装
表面贴装SOT- 143
表面贴装SOT- 143
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
原理图
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
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C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
应用
高增益VHF / UHF放大器
振荡器
调音台
引脚配置
(2)
漏
(4)
CASE ， BODY
CD10-1
CD10-2
G
D
情况下，B
S
SD201 ， SD203 ，齐纳保护
SD202 ， SD204 ，非齐纳
(3)
门
(1)
来源
门（3）
漏（2）
部分标志（ SOT -143 ）
P / N
记号
201
203
车身内部连接到消协。
保护二极管ON SD201 / SD203而已。
体（4）
SOT-143
源（1）
SSTSD201
SSTSD203
SD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203
公司
绝对最大额定值
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
参数
击穿
电压
V
DS
V
DB
V
GS
V
GB
V
GD
SD200 SD201 SD202 SD203
单位
I
D
P
T
P
D
T
j
T
s
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
功率耗散（达到或低于T
C
= +25
o
C） 。 。 。 。 1.8 W
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18毫瓦/
o
C
功率耗散（达到或低于T
A
= + 25℃） 。 。 。 360毫瓦
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.6毫瓦/
o
C
工作结
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+175
o
C
+25
+25
±40
±40
±40
+25
+25
-0.3
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
+20
+20
±40
±40
±40
+20
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
-0.3
+20
V
V
V
V
V
V
V
V
电气特性（T
A
= +25
o
C除非另有说明）
200, 201
符号
参数
民
STATIC
BV
DS
BV
DB
漏源击穿电压
汲极体击穿电压
漏源
关断电流
SD200
门体
泄漏
当前
SD202
SD201
SD203
V
GS （ TH
)
r
DS （ ON）
动态
g
fs
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
G
ps
NF
P
i
共源转发
Transcondconductance
共源输入电容
共源输出电容
共源
反向传输电容
共源功率增益
噪声系数
截取点
8.0
13
14
2.4
1.0
0.2
10
4.5
29
6.0
3.0
1.2
0.3
8.0
17
20
3.0
1.0
0.2
10
dB
4.0
29
5.0
DBM
f
= 2 MHz的
3.6
1.2
0.3
V
DS
= 15 V
F = 1 GHz的
ID = 20毫安
V
SB
= 0
pF
V
GS
= 0
mS
I
D
能力= 20 mA ，V
DS
= 15 V
F = 1千赫，V
SB
= 0
I
D
= 20毫安
V
DS
= 15 V
F = 1 MHz的
V
SB
= 0
栅极阈值电压
漏源导通电阻
0.1
1.0
40
2.0
70
0.1
1.0
35
1.0
1.0
2.0
50
V
欧
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1μA ，V
SB
= 0
V
GS
= 5 V，I
D
= 1毫安， V
SB
= 0
25
25
1.0
1.0
±0.1
±0.1
A
nA
30
20
20
25
V
V
I
D
= 1.0μA ，V
GS
= V
BS
= 0
I
D
= 1.0μA ，V
GB
= 0
源代码开放
V
DS
= 25 V
V
GS
= V
BS
= 0
V
DS
= 20 V
V
GV
=
±40
V
V
DB
= V
SB
= 0
V
GB
= 20 V
典型值
最大
民
典型值
最大
202, 203
单位
测试条件
I
D（关闭）
I
GBS
A
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