【NTD14N03R功率MOSFET14安培， 25伏N沟道DPAK特点平面HD3e工艺的快速开关性能】,IC型号NTD14N03R,NTD14N03R PDF资料,NTD14N03R经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTD14N03R

功率MOSFET

14安培， 25伏

N沟道DPAK

特点

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

优化的高边开关要求

高效率DC -DC转换器

http://onsemi.com

14安培， 25伏

R

DS （ ON）

= 70.4毫瓦（典型值）

N沟道

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

热电阻 - 结到外壳

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25 ℃，芯片

- 连续@ T

A

= 25 ℃，包装有限公司

- 单脉冲（ TP

≤

10

女士）

热电阻 - 结到环境

（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

热电阻 - 结到环境

（注2 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

R

QJC

P

D

I

D

I

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

T

J

, T

英镑

T

L

价值

25

±20

6.0

20.8

14

11.4

28

80

1.56

3.1

120

1.04

2.5

-55

150

260

单位

V

dc

V

dc

° C / W

W

A

° C / W

W

A

° C / W

W

A

°C

1 2

3

CASE 369C

DPAK

（表面贴装）

方式2

S

4

G

1

2

3

CASE 369D

DPAK

（直引线）

方式2

标记图

＆放大器;引脚分配

4漏

YWW

T14

N03

4漏

YWW

T14

N03

3

来源

1

门

2

漏

3

来源

包

DPAK

直引线

DPAK

航运

75单位/铁

2500磁带&卷轴

出版订单号：

NTD14N03R/D

1.当表面安装用0.5平方的FR4电路板。在焊盘尺寸。

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

尺寸。

1

门

2

漏

14N03

Y

WW

=器件代码

=年

=工作周

订购信息

设备

NTD14N03R

NTD14N03R1

NTD14N03RT4

半导体元件工业有限责任公司， 2003

1

2003年10月 - 第3版

NTD14N03R

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流

(V

GS

=

±20

VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 5 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 5 ADC）

正向跨导（注3 ）

(V

DS

= 10 VDC ，我

D

= 5 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 5 ADC ，

V

DS

= 10 VDC ）（注3 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 5 ADC ，V

GS

= 0伏）（注3）

(I

S

= 5 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

V

SD

t

rr

(I

S

= 5 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

t

a

t

b

Q

RR

0.93

0 93

0.82

6.6

4.75

1.88

0.002

1.2

12

mC

VDC

(V

GS

= 10 VDC ，V

DD

= 10 VDC ，

I

D

= 5 ADC ，R

G

= 3

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

3.8

27

9.6

2.0

1.8

0.8

0.7

nC

ns

(

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

,

)

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

115

62

33

pF

V

GS （ TH）

1.0

R

DS （ ON）

g

FS

7.0

117

70.4

130

95

姆欧

1.5

2.0

VDC

毫伏/°C的

mW

V（ BR ）

DSS

25

I

DSS

I

GSS

1.0

10

±100

NADC

28

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

ns

http://onsemi.com

2

NTD14N03R

14

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

12

10

8

6

4

3V

2

V

GS

= 2.5 V

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

0

1

2

3

4

5

6

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

10 V

8V

7V

6V

14

5V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

12

10

8

6

T

J

= 25°C

4

2

T

J

= 125°C

T

J

= 55°C

V

DS

≥

10 V

4.5 V

4V

3.5 V

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.20

V

GS

= 10 V

0.16

0.20

T

J

= 125°C

0.16

T

J

= 25°C

0.12

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0.12

0.08

T

J

= 55°C

0.04

0

2

4

6

8

10

12

14

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

0.04

V

GS

= 4.5 V

0

2

4

6

8

10

12

14

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

10

25

0

25

50

75

100

125

150

0

I

D

= 5 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 125°C

5

10

15

20

25

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTD14N03R

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

200

V

DS

= 0 V V

GS

= 0 V

C，电容（pF ）

160

C

国际空间站

C

RSS

120

T

J

= 25°C

8

6

Q

T

4

Q

1

Q

2

V

GS

C

国际空间站

80

C

OSS

C

RSS

40

0

10

5

V

GS

0 V

DS

5

10

15

2

I

D

= 5 A

T

J

= 25°C

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

20

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

100

I

S

，源电流（安培）

V

DS

= 10 V

I

D

= 5 A

V

GS

= 10 V

t

r

T， TIME （ NS ）

70

V

GS

= 0 V

60

50

40

30

T

J

= 150°C

20

10

0

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.2

0.4

0.6

T

J

= 25°C

0.8

1.0

10

t

D（关闭）

t

D（上）

t

f

1

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

推荐足迹对于表面安装应用

表面贴装电路板布局是总的关键部分

设计。占地面积为半导体封装必须

是正确的大小，以确保适当的焊接连接

6.20

0.244

电路板和封装之间的接口。与

正确的垫几何，包会自我调整的时候

经受回流焊接工艺。

3.0

0.118

2.58

0.101

5.80

0.228

1.6

0.063

6.172

0.243

尺度3:1

mm

英寸

http://onsemi.com

4

NTD14N03R

包装尺寸

DPAK （SINGLE GAUGE ）

CASE 369C

发行

注意事项：

1.尺寸和公差

符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

英寸

民

最大

0.235 0.245

0.250 0.265

0.086 0.094

0.027 0.035

0.018 0.023

0.037 0.045

0.180 BSC

0.034 0.040

0.018 0.023

0.102 0.114

0.090 BSC

0.180 0.215

0.025 0.040

0.020

0.035 0.050

0.155

MILLIMETERS

民

最大

5.97

6.22

6.35

6.73

2.19

2.38

0.69

0.88

0.46

0.58

0.94

1.14

4.58 BSC

0.87

1.01

0.46

0.58

2.60

2.89

2.29 BSC

4.57

5.45

0.63

1.01

0.51

0.89

1.27

3.93

T

B

V

R

4

座位

飞机

C

E

A

S

1

2

3

Z

U

K

F

L

D

G

2 PL

J

H

0.13 (0.005)

M

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

R

S

U

V

Z

T

方式2 ：

PIN 1. GATE

2.漏

3.源

4.漏

DPAK （SINGLE GAUGE ）

CASE 369D

发行

比例为1 ： 1

B

V

R

4

C

E

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

英寸

民

最大

0.235 0.245

0.250 0.265

0.086 0.094

0.027 0.035

0.018 0.023

0.037 0.045

0.090 BSC

0.034 0.040

0.018 0.023

0.350 0.380

0.180 0.215

0.025 0.040

0.035 0.050

0.155

MILLIMETERS

民

最大

5.97

6.35

6.73

2.19

2.38

0.69

0.88

0.46

0.58

0.94

1.14

2.29 BSC

0.87

1.01

0.46

0.58

8.89

9.65

4.45

5.45

0.63

1.01

0.89

1.27

3.93

Z

A

3

S

T

座位

飞机

1

2

K

F

D

G

3 PL

J

H

0.13 (0.005)

M

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

R

S

V

Z

T

方式2 ：

PIN 1. GATE

2.漏

3.源

4.漏

http://onsemi.com

5

NTD14N03R

功率MOSFET

14安培， 25伏

N沟道DPAK

特点

http://onsemi.com

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

优化的高边开关要求

高效率的DC -DC转换器

无铅包可用

14安培， 25伏

R

DS （ ON）

= 70.4毫瓦（典型值）

N沟道

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

热电阻 - 结到外壳

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25 ℃，芯片

- 连续@ T

A

= 25 ℃，包装有限公司

- 单脉冲（ TP

≤

10

女士）

热阻，结到环境

（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

热阻，结到环境

（注2 ）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

A

= 25°C

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

R

QJC

P

D

I

D

I

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

R

qJA

P

D

I

D

T

J

, T

英镑

T

L

价值

25

±20

6.0

20.8

14

11.4

28

80

1.56

3.1

120

1.04

2.5

-55

150

260

单位

VDC

° C / W

W

A

° C / W

W

A

° C / W

W

A

°C

G

S

4

1 2

3

1

2

3

CASE 369D

DPAK-3

（直引线）

方式2

CASE 369C

DPAK

（表面贴装）

方式2

标记图

＆放大器;引脚分配

4漏

YWW

T14

N03G

4漏

YWW

T14

N03G

3

来源

1

门

2

漏

3

来源

出版订单号：

NTD14N03R/D

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.当表面安装用0.5平方的FR4电路板。在焊盘尺寸。

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

尺寸。

1

门

2

漏

Y

WW

14N03

G

=年

=工作周

=器件代码

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第4页。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

1

2007年10月 - 修订版5

NTD14N03R

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流

(V

GS

=

±20

VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 5 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 5 ADC）

正向跨导（注3 ）

(V

DS

= 10 VDC ，我

D

= 5 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 5 ADC ，

V

DS

= 10 VDC ）（注3 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 5 ADC ，V

GS

= 0伏）（注3）

(I

S

= 5 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

V

SD

-

t

rr

(I

S

= 5 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

t

a

t

b

Q

RR

-

0.93

0.82

6.6

4.75

1.88

0.002

1.2

-

mC

VDC

(V

GS

= 10 VDC ，V

DD

= 10 VDC ，

I

D

= 5 ADC ，R

G

= 3

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

-

3.8

27

9.6

2.0

1.8

0.8

0.7

-

nC

ns

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

-

115

62

33

-

pF

V

GS （ TH）

1.0

-

R

DS （ ON）

-

g

FS

-

7.0

-

117

70.4

130

95

姆欧

1.5

-

2.0

-

VDC

毫伏/°C的

mW

V（ BR ）

DSS

25

-

I

DSS

-

I

GSS

-

1.0

10

±100

NADC

28

-

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

ns

http://onsemi.com

2

NTD14N03R

14

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

12

10

8

6

4

3V

2

V

GS

= 2.5 V

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

0

1

2

3

4

5

6

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

10 V

8V

7V

6V

14

5V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

12

10

8

6

T

J

= 25°C

4

2

T

J

= 125°C

T

J

= -55°C

V

DS

≥

10 V

4.5 V

4V

3.5 V

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.20

V

GS

= 10 V

0.16

0.20

T

J

= 125°C

0.16

T

J

= 25°C

0.12

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= -55°C

0.12

0.08

T

J

= -55°C

0.04

0

2

4

6

8

10

12

14

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

0.04

V

GS

= 4.5 V

0

2

4

6

8

10

12

14

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

-50

10

-25

0

25

50

75

100

125

150

I

D

= 5 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 125°C

0

5

10

15

20

25

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTD14N03R

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

200

V

DS

= 0 V V

GS

= 0 V

C，电容（pF ）

160

C

国际空间站

C

RSS

120

T

J

= 25°C

8

6

Q

T

4

Q

1

Q

2

V

GS

C

国际空间站

80

C

OSS

C

RSS

40

0

10

5

V

GS

0 V

DS

5

10

15

2

I

D

= 5 A

T

J

= 25°C

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

20

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和

漏极至源极电压与总充电

100

I

S

，源电流（安培）

V

DS

= 10 V

I

D

= 5 A

V

GS

= 10 V

t

r

T， TIME （ NS ）

70

V

GS

= 0 V

60

50

40

30

T

J

= 150°C

20

10

0

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.2

0.4

0.6

T

J

= 25°C

0.8

1.0

10

t

D（关闭）

t

D（上）

t

f

1

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

订购信息

设备

NTD14N03R

NTD14N03RG

NTD14N03R-001

NTD14N03R-1G

NTD14N03RT4

NTD14N03RT4G

包

DPAK

（无铅）

DPAK-3

（无铅）

DPAK

（无铅）

航运

75单位/铁

2500磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

4

NTD14N03R

包装尺寸

DPAK

（单表/表面贴装）

CASE 369C

发行

-T-

B

V

R

4

座位

飞机

C

E

注意事项：

1.尺寸和公差

符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

英寸

民

最大

0.235 0.245

0.250 0.265

0.086 0.094

0.027 0.035

0.018 0.023

0.037 0.045

0.180 BSC

0.034 0.040

0.018 0.023

0.102 0.114

0.090 BSC

0.180 0.215

0.025 0.040

0.020

---

0.035 0.050

0.155

---

MILLIMETERS

民

最大

5.97

6.22

6.35

6.73

2.19

2.38

0.69

0.88

0.46

0.58

0.94

1.14

4.58 BSC

0.87

1.01

0.46

0.58

2.60

2.89

2.29 BSC

4.57

5.45

0.63

1.01

0.51

---

0.89

1.27

3.93

---

A

S

1

2

3

Z

U

K

F

L

D

G

2 PL

J

H

0.13 (0.005)

T

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

R

S

U

V

Z

M

方式2 ：

PIN 1. GATE

2.漏

3.源

4.漏

焊接足迹*

6.20

0.244

2.58

0.101

3.0

0.118

5.80

0.228

1.6

0.063

6.172

0.243

尺度3:1

mm

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

http://onsemi.com

5