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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第218页 > NDC652
1996年3月
NDC652P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些P沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，如
笔记本电脑的电源管理和其他
电池供电的电路中快速高边开关，
和低线都需要在一个非常小的功率损耗
外形表面贴装封装。
特点
-2.4A ， -30V 。
DS （ ON）
= 0.18
@ V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
= 0.11
@ V
GS
= -10V.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
____________________________________________________________________________________________
4
3
5
2
6
1
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDC652P
-30
-20
-2.4
-10
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
单位
V
V
A
1.6
1
0.8
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A
)
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDC652P D1牧师
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55 C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
T
J
= 125
o
C
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.4 A
T
J
= 125
o
C
V
GS
= -10 V，I
D
= -3.1 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -2.4 A
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
-5
3
-1
-0.7
-1.5
-1.2
0.16
0.22
0.09
o
-30
1
10
100
-100
V
A
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
-3
-2.2
0.18
0.36
0.11
A
S
V
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
290
180
60
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -15 V,
I
D
= -2.4 A，V
GS
= -10 V
V
DD
= -15 V，I
D
= -1 A,
V
根
= -4.5 V ，R
根
= 6
13
26
22
19
10.5
1.5
3.3
20
35
30
30
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
NDC652P D1牧师
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-0.8
-1.3
-1.2
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
b. 125
o
安装在一个0.01 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
c. 156
o
安装在一个0.003 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDC652P D1牧师
典型电气特性
-10
2.5
V
GS
I
D
，漏源电流（A ）
-8
= -10V
漏源导通电阻
-7.0 -6.0 -5.5
-5.0
-4.5
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= -3.0V
2
-3.5
-4.0
-6
-4.0
1.5
-4.5
-5.0
-4
-3.5
1
-2
-3.0
-2.5
-5.5
-6.0
-7.0
-10
0
-2
-4
-6
I
D
，漏电流（ A）
-8
-10
0
0
-0.5
V
DS
-1
-1.5
-2
-2.5
，漏源电压（V ）
-3
0.5
图1.区域特征
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压
1.6
2.5
漏源导通电阻
1.4
V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
归
,
漏源导通电阻
I
D
= -2.4A
V
GS
= -4.5 V
2
R
DS （ ON）
归一化
1.2
T J = 125°C
1.5
1
25°C
0.8
1
-55°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.5
0
-2
-4
-6
I
D
，漏电流（ A）
-8
-10
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化
与漏电流和温度
-10
1.2
T J = -55°C
门源阈值电压
V
DS
= - 10V
-8
125°C
1.1
V
DS
= V
I
D
GS
= -250A
I
D
，漏电流（ A）
-6
V
th
归一化
25°C
1
0.9
-4
0.8
-2
0.7
0
-1
-2
-3
-4
-5
V
GS
，门源电压（ V）
-6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
图5.传输特性
图6.门阈值变化
随温度
NDC652P D1牧师
典型电气特性
（续）
1.1
10
漏源击穿电压
I
D
= -250A
-I
S
，反向漏电流（ A）
1.08
1.06
1.04
1.02
1
0.98
0.96
0.94
-50
5
V
的s
= 0V
T J = 125°C
25°C
-55°C
1
BV
DSS
归一化
0.1
0.01
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图7.击穿电压变化
随温度
图8.体二极管正向电压的变化与
源电流和温度
1000
10
I
D
= -2.4A
-V
GS
，栅源电压（V ）
500
电容（pF）
8
V
DS
= -5V
-15V
-10V
国际空间站
OSS
200
6
4
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
RSS
2
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
-V
，漏源极电压（ V）
DS
30
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
-V
DD
t
D（上）
t
on
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
V
OUT
10%
V
GS
R
根
10%
90%
G
DUT
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
倒
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDC652P D1牧师
1996年3月
NDC652P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些P沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，如
笔记本电脑的电源管理和其他
电池供电的电路中快速高边开关，
和低线都需要在一个非常小的功率损耗
外形表面贴装封装。
特点
-2.4A ， -30V 。
DS （ ON）
= 0.18
@ V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
= 0.11
@ V
GS
= -10V.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
____________________________________________________________________________________________
4
3
5
2
6
1
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDC652P
-30
-20
-2.4
-10
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
单位
V
V
A
1.6
1
0.8
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A
)
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDC652P D1牧师
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55 C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
T
J
= 125
o
C
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.4 A
T
J
= 125
o
C
V
GS
= -10 V，I
D
= -3.1 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -2.4 A
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
-5
3
-1
-0.7
-1.5
-1.2
0.16
0.22
0.09
o
-30
1
10
100
-100
V
A
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
-3
-2.2
0.18
0.36
0.11
A
S
V
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
290
180
60
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -15 V,
I
D
= -2.4 A，V
GS
= -10 V
V
DD
= -15 V，I
D
= -1 A,
V
根
= -4.5 V ，R
根
= 6
13
26
22
19
10.5
1.5
3.3
20
35
30
30
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
NDC652P D1牧师
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-0.8
-1.3
-1.2
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
b. 125
o
安装在一个0.01 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
c. 156
o
安装在一个0.003 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDC652P D1牧师
典型电气特性
-10
2.5
V
GS
I
D
，漏源电流（A ）
-8
= -10V
漏源导通电阻
-7.0 -6.0 -5.5
-5.0
-4.5
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= -3.0V
2
-3.5
-4.0
-6
-4.0
1.5
-4.5
-5.0
-4
-3.5
1
-2
-3.0
-2.5
-5.5
-6.0
-7.0
-10
0
-2
-4
-6
I
D
，漏电流（ A）
-8
-10
0
0
-0.5
V
DS
-1
-1.5
-2
-2.5
，漏源电压（V ）
-3
0.5
图1.区域特征
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压
1.6
2.5
漏源导通电阻
1.4
V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
归
,
漏源导通电阻
I
D
= -2.4A
V
GS
= -4.5 V
2
R
DS （ ON）
归一化
1.2
T J = 125°C
1.5
1
25°C
0.8
1
-55°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.5
0
-2
-4
-6
I
D
，漏电流（ A）
-8
-10
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化
与漏电流和温度
-10
1.2
T J = -55°C
门源阈值电压
V
DS
= - 10V
-8
125°C
1.1
V
DS
= V
I
D
GS
= -250A
I
D
，漏电流（ A）
-6
V
th
归一化
25°C
1
0.9
-4
0.8
-2
0.7
0
-1
-2
-3
-4
-5
V
GS
，门源电压（ V）
-6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
图5.传输特性
图6.门阈值变化
随温度
NDC652P D1牧师
典型电气特性
（续）
1.1
10
漏源击穿电压
I
D
= -250A
-I
S
，反向漏电流（ A）
1.08
1.06
1.04
1.02
1
0.98
0.96
0.94
-50
5
V
的s
= 0V
T J = 125°C
25°C
-55°C
1
BV
DSS
归一化
0.1
0.01
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图7.击穿电压变化
随温度
图8.体二极管正向电压的变化与
源电流和温度
1000
10
I
D
= -2.4A
-V
GS
，栅源电压（V ）
500
电容（pF）
8
V
DS
= -5V
-15V
-10V
国际空间站
OSS
200
6
4
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
RSS
2
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
-V
，漏源极电压（ V）
DS
30
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
-V
DD
t
D（上）
t
on
t
关闭
t
r
90%
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
V
OUT
10%
V
GS
R
根
10%
90%
G
DUT
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
倒
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDC652P D1牧师
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