NSS12200WT1G
12 V ， 3 A，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
特点
http://onsemi.com
12伏特
3.0安培
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
163毫瓦
集热器
1, 2, 5, 6
3
BASE
4
辐射源
高电流能力（ 3 A）
高功率处理（最多650毫瓦）
低V
CE （S ）
（ 170 mV的典型@ 1 ）
小型
这是一个Pb - Free设备
好处
高比电流和功率容量减少所需PCB面积
降低寄生损耗增加电池寿命
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
12
12
5.0
2.0
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
1
SC88/SOT363
CASE 419B
20风格
器件标识
6
V2
M
G
1
V2 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
HBM 3级
MM C级
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
设备
NSS12200WT1G
包
航运
SOT- 363 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版0
出版订单号：
NSS12200W/D
NSS12200WT1G
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE V
D
e
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
6
5
4
H
E
1
2
3
E
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
E
M
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
A3
C
A
风格20 ：
PIN 1.集热器
2.收集
3. BASE
4.发射器
5.集热器
6.集热器
A1
L
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
NSS12200WT1G
12 V ， 3 A，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
特点
http://onsemi.com
12伏特
3.0安培
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
163毫瓦
集热器
1, 2, 5, 6
3
BASE
4
辐射源
高电流能力（ 3 A）
高功率处理（最多650毫瓦）
低V
CE （S ）
（ 170 mV的典型@ 1 ）
小型
这是一个Pb - Free设备
好处
高比电流和功率容量减少所需PCB面积
降低寄生损耗增加电池寿命
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
12
12
5.0
2.0
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
1
SC88/SOT363
CASE 419B
20风格
器件标识
6
V2
M
G
1
V2 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
HBM 3级
MM C级
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
设备
NSS12200WT1G
包
航运
SOT- 363 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版0
出版订单号：
NSS12200W/D
NSS12200WT1G
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE V
D
e
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
6
5
4
H
E
1
2
3
E
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
E
M
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
A3
C
A
风格20 ：
PIN 1.集热器
2.收集
3. BASE
4.发射器
5.集热器
6.集热器
A1
L
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
