NB7L86M
2.5V / 3.3V 12 Gb / s的差分
时钟/数据Smartgate的用
CML输出和内部
终止
该NB7L86M是一个多功能差分逻辑门，这
可以被配置为一个AND / NAND，OR / NOR ，XOR / XNOR ，或2：1的
MUX 。该器件是GigaComm系列高的一部分
高性能硅锗产品。该NB7L86M是
以12 Gb / s的最大数据速率超低抖动多的逻辑门
和8 GHz的输入时钟频率适用于数据通信
系统，电信系统，光纤通道，千兆以太网和应用。
差分输入包括内部50
W
终端电阻
并接受LVNECL （负ECL ） ， LVPECL （正ECL ）
LVCMOS ， LVTTL ， CML或LVDS 。差分16毫安CML
输出提供内部匹配50
W
终止，并且400毫伏
输出摆幅，当外部终止50
W
到V
CC
.
该器件采用低调的3x3毫米16引脚QFN封装。
应用笔记，模型和支持文档可
上www.onsemi.com 。
特点
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记号
图*
16
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
NB7L
86M
ALYWG
G
A
L
Y
W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
最大输入时钟频率高达8 GHz的
最大输入数据速率高达12 Gb / s的典型
< 0.5 ps的均方根时钟抖动
< 10 ps的数据相关抖动
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
30 ps的典型的上升和下降时间
90 ps的典型传播延迟
2 ps的典型设备内斜
经营范围： V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
CML输出电平（ 400 mV峰峰值输出）差分输出
50
W
内部输入和输出端接电阻
在功能上兼容现有的2.5 V / 3.3 V LVEL ， LVEP ， EP
和SG设备
无铅包可用
VTD0
D0
D0
VTD0
50
W
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
Q
50
W
50
W
Q
VTD1
D1
D1
VTD1
50
W
50
W
SEL
50
W
VTSEL
SEL
图1.简化的逻辑图
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年1月，
第3版
1
出版订单号：
NB7L86M/D
NB7L86M
VTD0 D0
16
V
CC
SEL
SEL
VTSEL
1
2
NB7L86M
3
4
5
6
7
8
10
9
Q
V
CC
15
D0 VTD0裸露焊盘（ EP ）
14
13
12
11
V
EE
Q
VTD1 D1
D1 VTD1
图2.引脚配置
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
1, 9
2
3
4
5
6
7
8
10
11
12
13
14
15
16
名字
V
CC
SEL
SEL
V
TSEL
V
TD1
D1
D1
V
TD1
Q
Q
V
EE
V
TD0
D0
D0
V
TD0
EP
I / O
电源
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS输入
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS输入
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS输入
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS输入
CML输出
CML输出
电源
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS输入
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS输入
描述
正电源电压。所有V
CC
引脚必须从外部连接到电源
供应，以保证正常运行。
倒差分选择逻辑输入。
非反转差动选择逻辑输入。
常见的内部50
W
终止引脚SEL / SEL 。见表6。（注1 ）
内部50
W
终止引脚D1 。见表6。（注1 ）
非反相差分时钟/数据输入D1 。 （注1 ）
倒差分时钟/数据输入D1 。 （注1 ）
内部50
W
终止引脚D1 。见表6。（注1 ）
非反相输出端与内部50
W
源端接电阻器。 （注2 ）
反向输出与内部50
W
源端接电阻器。 （注2 ）
负电源电压。所有V
EE
引脚必须从外部连接到电源
供应，以保证正常运行。
内部50
W
终止引脚D0 。 （注1 ）
非反相差分时钟/数据输入D0 。 （注1 ）
非反相差分时钟/数据输入D0 。 （注1 ）
内部50
W
终止引脚D0 。 （注1 ）
裸露焊盘。在封装底部的散热焊盘必须被连接到一个
散热导管，提高热传递。因此建议以连接EP
向低电位（Ⅴ
EE
).
1.在差分配置中，当输入端接销（Ⅴ
TDX
, V
TDX
, V
TSEL
）被连接到一个共同的终止电压或左
开，并且，如果没有信号被施加于霉素，霉素， SEL和SEL然后该装置将易受自激振荡。
2. CML输出需要50
W
接收端接电阻到VCC正常工作。
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2
NB7L86M
VTD0
VT或
V
BB
V
CC
VTD0
VTD1
50
W
D0
D0
50
W
50
W
Q
Q
D1
D1
50
W
50
W
50
W
V
EE
V
CC
SEL
D0
0
0
0
0
表2 AND / NAND真值表
（注3）
∝
D1
0
0
1
1
b
SEL
0
1
0
1
∝
和B
Q
0
0
0
1
m
VTD1
R
D
3. D0，D1， SEL是D0，D1， SEL除非互补
另有规定。
VTSEL
SEL
b
图3.配置与/非功能
50
W
D0
D0
50
W
VTD1
V
CC
VT或V
BB
VTD1
50
W
50
W
D1
D1
50
W
50
W
Q
Q
VTD0
m
VTD0
表3. OR / NOR真值表
（注4 ）
m
D0
0
0
1
1
D1
1
1
1
1
b
SEL
0
1
0
1
m
or
b
Q
0
1
1
1
4. D0，D1， SEL是D0，D1， SEL除非互补
另有规定。
VTSEL
SEL
b
SEL
图4.配置OR / NOR功能
VTD0
50
W
D0
D0
50
W
Q
Q
D1
D1
m
VTD0
表4. XOR / XNOR真值表
（注5 ）
m
D0
0
0
1
50
W
1
D1
1
1
0
0
b
SEL
0
1
0
1
m
XOR
b
Q
0
1
1
0
VTD1
50
W
VTD1
50
W
50
W
VTSEL
SEL
5. D0，D1， SEL是D0，D1， SEL除非互补
另有规定。
SEL
b
图5.配置XOR / XNOR功能
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3
NB7L86M
VTD0
D0
D0
VTD0
50
W
VTD1
D1
D1
VTD1
50
W
50
W
50
W
50
W
Q
Q
50
W
表5. 2 ： 1 MUX真值表
（注6 ）
SEL
1
0
Q
D1
D0
6. D0，D1， SEL是D0，D1， SEL互补
除非另有规定。
SEL
VTSEL
SEL
图6.配置为2： 1复用器功能
表6. ATTRIBUTES
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
QFN16
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
7.有关其他湿度敏感的信息，请参考应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
LEVEL 1
价值
> 1500 V
> 50 V
> 500 V
无铅PKG
LEVEL 1
湿气敏感度（注7 ）
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
400
表7.最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
INPP
I
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
正电源。
输入电压
差分输入电压| D
D|
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
（注8）
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
2S2P （注8 ）
QFN16
QFN16
QFN16
条件1
V
EE
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
V
EE
≥
V
CC
V
EE
＆ LT ;
连续
浪涌
连续
浪涌
QFN16
2.8 V
2.8 V
V
EE
≤
V
I
≤
V
CC
条件2
等级
3.6
3.6
2.8
|V
CC
V
EE
|
25
50
25
50
40
+85
65
+150
42
36
3至4个
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
8. JEDEC标准多层电路板
2S2P （ 2信号， 2个电源） 。
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4
NB7L86M
表8. DC特性
(
V
CC
= 2.375 V至3.465 V ，V
EE
= 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85°C ）
符号
I
CC
V
OH
V
OL
V
th
V
IH
V
IL
V
IHD
V
ILD
V
CMR
V
ID
I
IH
I
IL
R
TIN
R
TOUT
R
温度COEF
特征
电源电流（输入和输出打开）
输出高电压（注9和10）
输出低电压（注9和10 ）
输入阈值的基准电压范围（注11 ）
单端输入高电压（注12 ）
单端输入低电压（注12 ）
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围（差分配置）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
输入高电流
输入低电平电流
内部输入终端电阻
内部输出终端电阻
内部I / O终端电阻温度系数
D0/D0/D1/D1
SEL / SEL
D0/D0/D1/D1
SEL / SEL
V
CC
60
V
CC
460
1125
V
th
+ 75
V
EE
1200
V
EE
1163
75
0
0
50
50
45
45
50
20
50
20
50
50
6.38
民
典型值
38
V
CC
30
V
CC
400
最大
50
V
CC
V
CC
310
V
CC
75
V
CC
V
CC
150
V
CC
V
CC
75
V
CC
– 38
2500
150
150
100
100
55
55
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
W
W
毫瓦/°C的
差分输入单端驱动（见图16 & 18 ）
差分输入差分驱动（见图17 & 19 ）
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路板时
在保持气流大于500 LFPM 。电气参数都保证只对申报工作温度范围。
设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制值分别应用
在正常操作条件和同时无效。
9. CML输出需要50
W
接收端接电阻到V
CC
正确操作。
10.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
11. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
12. V
CMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
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5
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