纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话： 408-935-7777 ，传真： 408-935-7770
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N32T1630C1C
32MB超低功耗CMOS异步SRAM伪
W /页模式操作（ 2M ×16位）
概观
该N32T1630C1C是一个集成的内存
使用内置含有32兆位的SRAM器件
自刷新DRAM阵列组织为2097152
字由16位。本设备被设计和
使用纳安先进的CMOS制造
技术，以提供高速
性能和超低功耗。它被设计成
在操作和接口的标准相同
6T SRAMS 。字节控制（ UB和LB ）允许
上部和下部的字节将被访问
独立地，也可以用来取消
该设备。该N32T1630C1C提供了一个非常高的
为提高速度页面模式操作
性能和运行功耗。该
装置最适合于各种应用，其中
低功耗是关键的，例如备用电池和
手持设备。此外，还包括几
省电模式：深度睡眠模式，
其中，数据被保持在部分阵列刷新模式
该阵列的一部分。该装置可工作在
-25一个很宽的温度范围
o
C至+ 85
o
C
并且是在一个JEDEC标准VFRBGA可用
包装与其它标准的2Mb ×16兼容
的SRAM 。
特点
双电压为获得最佳性能：
VCCQ - 2.7至3.6伏特
VCC - 2.7至3.6伏特（VCC
≤
VCCQ ）
快速随机存取时间
在为70ns 2.7V
非常快页模式存取时间
25ns的页面周期和访问
- 极低的待机电流
80μA V（典型值）
极低的工作电流
在1μs的1.0毫安（典型值）
简单的存储控制
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
自动关机进入待机模式
PAR和RMS省电模式
深度休眠选项
TTL兼容的三态输出驱动器
产品系列
产品型号
包
TYPE
操作
温度
动力
供应
2.7V - 3.6V (V
CC
)
速度
70ns
待机
电流（I
SB
),
最大
操作
电流（ Icc的） ，
最大
N32T1630C1CZ 48 VFRBGA -25
o
C至+ 85
o
C
135
A
@ 3.3V 3毫安@ 1MHz的
引脚配置（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
20
WE
CE
OE
UB ， LB
ZZ
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
SSQ
DNU
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
字节使能输入
深度睡眠输入
数据输入/输出
核心动力
I / O电源
地
I / O接地
不要使用
2
OE
UB
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU /
VSS
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
ZZ
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
A
20
V
SSQ
I / O
11
V
CCQ
I / O
12
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A
18
A
19
A
8
48球VFRBGA
6毫米x 8毫米
（ DOC ＃ 14-02-005版本C ECN 01-0918 ）
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
纳安解决方案公司
功能框图
N32T1630C1C
字
地址
输入
A0 - A3
页面
地址
输入
A4 - A20
字
地址
解码
逻辑
页面
地址
解码
逻辑
128K的页面
×16字
x 16位
RAM阵列
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
I / O0 - I / O7
I / O8 - I / O15
CE
ZZ
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE
H
X
L
L
L
X
ZZ
H
H
H
H
H
L
WE
X
X
L
H
H
X
OE
X
X
X
3
L
H
X
UB
X
H
L
1
L
1
L
X
LB
X
H
L
1
L
1
L
X
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
高Z
模式
待机
2
待机
2
写
读
活跃
深度睡眠
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
深度睡眠
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
6
8
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
（ DOC ＃ 14-02-005版本C ECN 01-0918 ）
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2
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绝对最大额定值
1
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
N32T1630C1C
等级
-0.2到V
CCQ
+0.3
-0.2 4.0
500
-55至125
-25至+85
240
o
C， 10秒（仅适用于铅）
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
1.强调大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
电源电压的I / O
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写操作电源
目前@ 1
s
周期
2
读/写操作电源
电流@ 70纳秒周期时间
2
最大待机电流
3
符号
V
CC
V
CCQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
= 3.3V, V
IN
= CMOS水平 -
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 3.3V, V
IN
= CMOS电平
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
= 3.3V, V
IN
= CMOS电平
芯片已禁用
80
V
CC
=
V
CCQ
（注4 ）
测试条件
分钟。
2.7
2.7
0.8V
CCQ
–0.2
0.8VccQ
0.2
0.5
0.5
3.0
25.0
135.0
典型值
1
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
V
CCQ
+0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加所需的电流
驱动器的输出电容预期在实际系统中。
3.本装置假设待机模式下，如果芯片被禁止（或CE高或两者UB和LB的高点） 。为了实现低
待机电流所有的输入必须在VCC或VSS的0.2V
4.在测试过程中， VCC = VCCQ 。
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3
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电初始化时序
2.7V
设备初始化
100
s
N32T1630C1C
VCC
VCCQ
设备准备就绪
正常工作
该装置将需要100
s至完成其自我初始化过程。在初始化期间， CE＃
引脚应保持高电平。
图1 ：输出负载电路
V
CCQ
14.5K
I / O
14.5K
30 pF的
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4
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N32T1630C1C
定时
项
读周期时间
地址访问时间
页面模式读取周期时间
页模式访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
页面模式写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
页面模式写入数据的时间重叠
从时间写数据保持
从写时间页模式数据保持
结束写入低-Z输出
CE预充电
最大页面模式周期
符号
t
RC
t
AA
t
PC
t
PA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
LBZ
, t
UBZ
t
HZ
t
OHZ
t
LBHZ
, t
UBHZ
t
OH
t
WC
t
PWC
t
CW
t
AW
t
LBW
, t
UBW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
PDW
t
DH
t
PDH
t
OW
t
CP
t
PGMAX
25
20
0
0
5
10
20000
10
5
10
0
0
0
5
70
25
60
60
60
55
0
0
20
20000
20000
20
20
20
25
70ns
分钟。
70
70
20000
25
70
20
70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ DOC ＃ 14-02-005版本C ECN 01-0918 ）
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