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MSFC25
可控硅/二极管模块
V
RRM
/ V
DRM
I
FAV
/ I
TAV
应用
电源转换器
照明控制
DC电机控制和驱动
热量和温度控制
800 1600V
25Amp
电路
特点
国际标准套餐
高浪涌能力
玻璃钝化芯片
安装简单
通过三氧化二铝的传热
DBC陶瓷隔离的金属底板
UL E243882批准
模块类型
TYPE
MSFC25-08
MSFC25-12
MSFC25-16
V
RRM /
V
DRM
800V
1200V
1600V
V
RSM
900V
1300V
1700V
●二极管
最大额定值
符号
I
D
I
FSM
i
2
t
VISOL
TVJ
TSTG
Mt
Ms
重量
Tc=85℃
条件
T = 10毫秒TVJ = 45 ℃
a.c.50HZ;r.m.s.;1min
25
550
1500
3000
-40到+125
-40到+125
3±15%
5±15%
100
单位
A
A
A
2
s
V
Nm
Nm
g
输出电流( D.C )。
正向电流浪涌
电路熔断思考
绝缘击穿电压( R.M.S )
工作结温
储存温度
安装力矩
模块(大约)
端子( M5 )
到散热器( M6 )
热特性
符号
R
日(J -C )
热阻抗,最大。
RTH ( C-S )
热阻抗,最大。
条件
结到外壳
案件散热器
0.45
0.10
单位
℃/W
℃/W
电气特性
符号
V
FM
正向压降,最大。
重复峰值反向电流,
马克斯。
条件
中T = 25 ℃I
F
=75A
T
vj
=25℃ V
RD
=V
RRM
T
vj
=125℃ V
RD
=V
RRM
分钟。
典型值。
≤0.5
≤6
马克斯。
1.80
单位
V
mA
mA
I
RRM
MSFC25 - 牧师0
十月, 2011
www.Microsemi.com
1/4
MSFC25
●晶闸管
最大额定值
符号
I
TAV
I
TSM
i
2
t
VISOL
TVJ
TSTG
Mt
Ms
的di / dt
dv / dt的
a
对国家崛起的临界速度
当前
崛起的断态临界速率
电压,最小值。
最大允许的加速度
o
条件
正弦波180 TC = 85 ℃
T
VJ
= 45 ℃ T = 10ms时,正弦
T
VJ
= 125 ℃ T = 10ms时,正弦
T
VJ
= 45 ℃ T = 10ms时,正弦
T
VJ
= 125 ℃ T = 10ms时,正弦
a.c.50HZ;r.m.s.;1min
25
550
480
1500
1150
3000
-40到+125
-40到+125
3±15%
5±15%
150
1000
50
单位
A
A
A2s
V
Nm
Nm
A /美
V /美
M / S
2
平均通态电流
浪涌通态电流
电路熔断思考
绝缘击穿电压( R.M.S )
工作结温
储存温度
安装力矩
端子( M5 )
到散热器( M6 )
T
VJ
= T
VJM
, 2/3V
DRM
,I
G
=500mA
Tr<0.5us,tp>6us
T
J
=T
VJM
,2/3V
DRM
线性电压上升
热特性
符号
热阻抗,最大。
R
日(J -C )
RTH ( C-S )
热阻抗,最大。
条件
结到外壳
案件散热器
0.90
0.20
单位
℃/W
℃/W
电气特性
符号
V
TM
I
RRM
/I
DRM
峰值通态电压,最大。
重复峰值反向电流,
最大。 /重复峰值断态
目前,马克斯。
在状态的阈值电压
对状态值
斜率电阻。最大
门极触发电压,最大。
门极触发电流,最大。
非触发栅极电压,最大值
非触发栅极电流,最大值。
擎住电流,最大。
保持电流,最大。
门控延时
整流电路关断时间
条件
中T = 25 ℃I
T
=75A
T
VJ
=T
VJM
,V
R
=V
RRM
,V
D
=
V
DRM
对于功率损耗
仅计算
(T
VJ
=125℃)
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=25℃ , V
D
=6V
T
VJ
=25℃ , V
D
=6V
T
VJ
=125℃,V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=125℃, V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=25℃ , R
G
= 33
T
VJ
=25℃ , V
D
=6V
TVJ=25℃,
IG = 1A ,挖/ DT = 1A /美国
T
VJ
=T
VJM
分钟。典型值。马克斯。
1.80
10
单位
V
mA
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
TGD
tq
0.9
12
2.5
150
0.25
5
250
100
1
80
400
200
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
MSFC25 - 牧师0
十月, 2011
www.Microsemi.com
2/4
MSFC25
性能曲线
75
W
sin.180
rec.120
DC
50
A
40
DC
50
rec.30
rec.60
30
sin.180
20
25
10
P
TAV
0
0 I
TAV
10
20
30
A
40
I
TAVM
0
rec.120
rec.60
rec.30
0锝
50
100
130
Fig1 。功耗
1.2
℃/
W
Z
日( J-
S
)
1000
A
Fig2.Forward电流降额曲线
50HZ
0.8
Z
日( J-
C
)
500
0.4
0
0
0.001 t 0.01
0.1
1
10
S 100
10
100
MS 1000
Fig3 。瞬态热阻抗
100
A
75
典型值
.
图四。最大非重复正向浪涌
当前
50
最大
.
25
I
T
0
0 V
TM
0.5
1.0
1.5
2.0
V
2.5
25℃
- - -125℃
Fig5 。正向特性
MSFC25 - 牧师0
十月, 2011
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3/4
MSFC25
100
V
20V;20
10
V
GT
PG (TP)
1/2·
MSFC25
1
T
vj
V
GD125
I
GD125
0.001 I
G
0.01
-40℃
25℃
125℃
V
G
0.1
I
GT
0.1
1
10
A 100
Fig6 。门极触发特性
封装外形信息
案例: F1
×
尺寸(mm)
MSFC25 - 牧师0
十月, 2011
www.Microsemi.com
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    MSFC25-12
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