摩托罗拉
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通过MCM6226BB / D
128K ×8位静态随机
存取存储器
该MCM6226BB是组织了1,048,576位静态随机存取存储器
作为8位131,072字。静态设计，无需外部时钟
或定时选通，而CMOS电路降低功耗和提供
对于更高的可靠性。
该MCM6226BB配备两个芯片使能（ E1和E2 ）和输出
使能（ G）引脚，允许更大的系统灵活性和消除总线conten-
化的问题。
该MCM6226BB是300万和400万， 32引脚表面贴装可
SOJ封装。
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
快速访问时间： 15/17/20/25/35 NS
平等的地址和芯片使能访问时间
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
低功耗工作： 190/180/165/150/130 mA最大，交流活动
框图
MCM6226BB
XJ包装
400万SOJ
CASE 857A -02
EJ套餐
300万SOJ
CASE 857-02
引脚分配
NC
A
A
A
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A
E2
W
A
A
A
A
G
A
E1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
A
A
A
A
A
A
A
A
ROW
解码器
存储矩阵
512排x
2048柱
A
A
A
A
A
A
DQ
DQ
DQ
VSS
DQ
DQ
输入
数据
控制
列I / O
列解码器
引脚名称
一。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
E1，E2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使
DQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
E1
E2
W
G
A
A
A
A
A
A
A
A
REV 2
10/31/96
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉快速SRAM
MCM6226BB
1
真值表
E1
H
X
L
L
L
E2
X
L
H
H
H
G
X
X
H
L
X
W
X
X
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
周期
—
—
—
读
写
当前
ISB1 ， ISB2
ISB1 ， ISB2
ICCA
ICCA
ICCA
H =高， L =低，X =无关
绝对最大额定值
（见注）
等级
电源电压相对于Vss的
电压相对于VSS的任何引脚
除了VCC
输出电流（每个I / O）
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
价值
- 0.5 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
1.0
- 10至+ 85
0至+ 70
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
正常的预防措施，以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压为这些高阻抗
电路。
该CMOS存储器电路已经DE-
签署，以满足DC和AC规格
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
TSTG
- 55至+ 150
°C
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
* VIL （分钟） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒） 。
** VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒） 。
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.5
2.2
– 0.5*
最大
5.5
VCC + 0.3 **
0.8
单位
V
V
V
直流特性和供电电流
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（ E * = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
活动交流电源电流（IOUT = 0 mA时，所有输入=
VIL或VIH ， VIL = 0 ， VIH
≥
3 V ，周期时间
≥
tAVAV分钟，
VCC =最大值）
MCM6226BB -15： tAVAV = 15纳秒
MCM6226BB - 17 ： tAVAV = 17纳秒
MCM6226BB - 20 ： tAVAV = 20纳秒
MCM6226BB - 25 ： tAVAV = 25纳秒
MCM6226BB - 35 ： tAVAV = 35纳秒
MCM6226BB -15： tAVAV = 15纳秒
MCM6226BB - 17 ： tAVAV = 17纳秒
MCM6226BB - 20 ： tAVAV = 20纳秒
MCM6226BB - 25 ： tAVAV = 25纳秒
MCM6226BB - 35 ： tAVAV = 35纳秒
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
ICCA
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.4
最大
±
1
±
1
195
180
165
150
130
45
40
35
30
25
5
0.4
—
单位
A
A
mA
AC待机电流（ VCC =最大， E * = VIH ， F = FMAX ）
ISB1
mA
CMOS待机电流（ E *
≥
VCC - 0.2 V ，输入电压
≤
VSS + 0.2 V
or
≥
VCC - 0.2 V ， VCC =最大， F = 0兆赫）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
* E1和E2用E本数据表中表示。 E2为极性相反的E1 。
ISB2
VOL
VOH
mA
V
V
MCM6226BB
2
摩托罗拉快速SRAM
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
特征
输入电容
I / O容量
所有的输入，除了时钟和DQS
E 1，E ，G和W
DQ
符号
CIN
CCK
CI / O
典型值
4
5
5
最大
6
8
8
单位
pF
pF
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a
读周期时序
（见注1 ， 2 ，3）
6226BB–15
参数
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址输出保持
变化
使能低到输出有效
输出使能低到输出
活跃
能高到输出高阻
输出使能高到输出
高-Z
符号
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
民
15
—
—
—
3
5
0
—
—
最大
—
15
15
6
—
—
—
6
6
6226BB–17
民
17
—
—
—
3
5
0
—
—
最大
—
17
17
7
—
—
—
7
7
6226BB–20
民
20
—
—
—
3
5
0
—
—
最大
—
20
20
7
—
—
—
7
7
6226BB–25
民
25
—
—
—
3
5
0
—
—
最大
—
25
25
8
—
—
—
8
8
6226BB–35
民
35
—
—
—
3
5
0
—
—
最大
—
35
35
8
—
—
—
8
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
5
笔记
4
注意事项：
1， W为高读周期。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线CON-的
在读写周期张力条件。
3. E1和E2用E本数据表中表示。 E2为极性相反的E1 。
4.所有的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
5.地址有效之前或重合为E变低。
6.在任何给定的电压和温度， tEHQZ max小于tELQX分钟， tGHQZ max小于tGLQX分钟，既对于给定的设备
和从设备到设备。
7.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。
8.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
9.设备不断选择（E
≤
VIL ，G
≤
VIL ） 。
时序极限值
+5 V
产量
Z0 = 50
RL = 50
VL = 1.5 V
产量
255
5 pF的
480
定时值的表显示任一
最小或最大极限为每个参
安静。输入要求从指定
视外部系统点。因此， AD-
着装设置时间被示为最小
因为系统必须提供至少是
多的时间。另一方面，响应
从存储器被从DE-指定
副观点。因此，访问时间是
示为最大，因为该设备从未
超过该时间后提供的数据。
(a)
(b)
图1. AC测试负载
摩托罗拉快速SRAM
MCM6226BB
3
写周期1
（W控制，见注1 ， 2 ， 3 ， 4 ）
6226BB–15
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写低到数据高阻
写高到输出有效
写恢复时间
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tWLWH ，
TWLEH
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tWHAX ALE低
民
15
0
12
12
7
0
—
5
0
最大
—
—
—
—
—
—
6
—
—
6226BB–17
民
17
0
14
14
8
0
—
5
0
最大
—
—
—
—
—
—
7
—
—
6226BB–20
民
20
0
15
15
9
0
—
5
0
最大
—
—
—
—
—
—
7
—
—
6226BB–25
民
25
0
17
17
10
0
—
5
0
最大
—
—
—
—
—
—
8
—
—
6226BB–35
民
35
0
20
20
11
0
—
5
0
最大
—
—
—
—
—
—
8
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6, 7, 8
6, 7, 8
笔记
5
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线CON-的
在读写周期张力条件。
3. E1和E2用E本数据表中表示。 E2为极性相反的E1 。
4.若G的推移或之后W变为低电平低电平一致时，输出将保持在高阻抗状态。
5.所有的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
6.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。
7.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
8.在任何给定的电压和温度， tWLQZ max小于tWHQX分钟都对于给定的设备和从设备到设备。
写周期1
（W受控见注1 ， 2 ， 3 ， 4 ）
tAVAV
A（地址）
tAVWH
E（ CHIP ENABLE ）
tWLWH
TWLEH
tWHAX ALE低
W（写使能）
tAVWL
D（ DATA IN ）
TWLQZ
Q（ DATA OUT ）
高-Z
高-Z
tDVWH
数据有效
TWHQX
tWHDX
摩托罗拉快速SRAM
MCM6226BB
5
QQ：2881677436 复制
