MM54HC85 MM74HC85 4位幅度比较
1995年11月
MM54HC85 MM74HC85
4位数值比较器
概述
该MM54HC85 MM74HC85是一个4位幅度compara-
器，它利用先进的硅栅CMOS技术它
是专为两个4位字高的速度对比
该电路有八个比较输入端4，用于每个字
三级输入（A
k
B一
l
B一
e
B）和三个决策
锡安输出（A
k
B一
l
B一
e
B）的一个比较的结果
表示由一个高层次上的决定，输出之一
因此，可确定一个字是否是'更大
比''''小于' '或' '等于' '的其他词通过CON-
necting所述至少显著级的输出到磁带式
大于4位的下一个阶段的话杜松输入
可以比另外的至少显著阶段
必须施加到A高电平
e
B输入端和一个低
等级至A
k
B和A
l
B输入
比较器的输出可驱动10个低功率肖特基
TTL （ LS -TTL ），相当于负载和在功能和引脚
相当于54LS85 74LS85所有输入的保护
从损坏是由于静电放电由二极管V
CC
和
地
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟27纳秒
工作电压范围宽2 - 6V
低输入电流1
mA
最大
低静态电流80
mA
最大（ 74HC系列）
输出驱动能力10 LS- TTL负载
接线图
双列直插式封装
TL F 5205 - 1
订单号MM54HC85或MM74HC85
真值表
比较
输入
A3 B3
A3
l
B3
A3
k
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A3
e
B3
A2 B2
X
X
A2
l
B2
A2
k
B2
A2
e
B2
A2
e
B2
A2
e
B2
A2
e
B2
A2
e
B2
A2
e
B2
A2
e
B2
A2
e
B2
A2
e
B2
A1 B1
X
X
X
X
A1
l
B1
A1
k
B1
A1
e
B1
A1
e
B1
A1
e
B1
A1
e
B1
A1
e
B1
A1
e
B1
A1
e
B1
A0 B0
X
X
X
X
X
X
A0
l
B0
A0
k
B0
A0
e
B0
A0
e
B0
A0
e
B0
A0
e
B0
A0
e
B0
A
l
B
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
X
H
L
级联
输入
A
k
B
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
H
L
A
e
B
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
L
L
A
l
B
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
H
输出
A
k
B
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
A
e
B
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
C
1995年全国半导体公司
TL F 5205
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
g
25毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
50毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
