M28C16A
M28C17A
16千位（ 2K位X8 ）并行EEPROM
快速存取时间：
- 为150ns在5V
- 在为250ns 3V
单电源电压：
– 5V
±
对于M28C16A和M28C17A 10 ％
- 2.7V至3.6V的M28C16 - XXW
低功耗
快速写周期
- 32字节页写操作
- 字节或页写入周期： 5毫秒
写检测的增强END
- READY / BUSY开漏输出
- 数据查询
- 触发位
页面加载定时器状态位
高可靠性单多晶硅，
CMOS技术
- 耐力>100,000擦除/写周期
- 数据保留>40年
JEDEC核准的单字节宽， PIN OUT
描述
该M28C16A和M28C17Aare 2K X8低功耗
并行EEPROM fabricatedwith STMicroelectron-
集成电路proprietarysingle多晶硅CMOS技术。
该器件提供低功耗的快速存取时间
耗散和需要5V或3V的电源。
表1.信号名称
A0-A10
DQ0-DQ7
W
E
G
RB
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
READY / BUSY
电源电压
地
28
1
PDIP28 （BS）的
PLCC32 （ KA ）
28
1
SO28 （MS）的
300密耳
TSOP28 （ NS ）
8 x13.4mm
图1.逻辑图
VCC
11
A0-A10
8
DQ0-DQ7
W
E
M28C16A
M28C17A
RB
G
VSS
AI02109
1998年8月
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M28C16A ， M28C17A
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
V
CC
V
IO
V
I
V
ESD
参数
工作环境温度
存储温度范围
电源电压
输入/输出电压
输入电压
静电放电电压（人体模型）
(2)
价值
- 40-85
- 65 150
- 0.3 6.5
- 0.3 V
CC
+0.6
- 0.3 6.5
3000
单位
°C
°
C
V
V
V
V
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
写
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意：
X = V
IH
或V
IL
E
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
G
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IH
W
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
DQ0 - DQ7
数据输出
DATA IN
高阻
数据输出或Hi -Z
数据输出或Hi -Z
高阻
描述
（续）
该电路被设计成提供了一个灵活
单片机的接口配备硬件
和软件handshakingmode与就绪/忙，
数据轮询和切换位。该M28C16A / 17A
支持32字节页写操作。
PIN DESCRITPION
地址（ A0 - A10 ） 。
地址输入选择
在读或写一个8位的存储器位置
操作。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入必须是
低，以使所有读/写操作。当片
能为高，功耗减小。
输出使能（ G） 。
输出使能输入端接
指令对数据输出缓冲器和用于启动
读操作。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
数据被写入或读
从M28C16A / 17A通过I / O引脚。
写使能（ W） 。
写使能输入控制
数据的M28C16A / 17A的写作。
就绪/忙（ RB ） 。
就绪/忙是一个开漏
输出可以被用来检测的结束
内部写周期。就绪/忙可用于
M28C17A的PDIP ， PLCC和SO封装，并
为M28C16A的TSOP而已。
手术
为了防止数据损坏和意外的
在上电，上电写入操作
复位（ POR ）电路，复位所有内部编程
cicuitry 。在写入模式下对存储器的访问是
如表7规定后，电允许的。
读
该M28C16A / 17Ais像访问一个静态RAM 。
当E和G都是低用W高时，数据
解决的问题是呈现在I / O引脚。在I / O
引脚为高impedancewhen G或E为高。
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M28C16A ， M28C17A
图3.框图
E
G
W
VPP GEN
RESET
控制逻辑
X解码
A6-A10
（页面地址）
地址
LATCH
64K阵列
A0-A5
地址
LATCH
解码
SENSE和数据锁存器
I / O缓冲器
页面加载
定时器状态
切换位
数据轮询
AI01520
DQ0-DQ7
手术
（续）
写
写操作开始时，包括了W和E
低， G是high.The M28C16A / 17Asupports
E和硬件控制的写周期。地址
用E的下降沿或W其中曾经被锁存
最后发生的数据上E的上升沿或
它先出现W的一旦开始写
操作内部定时，直到完成。
页写
页写允许最多32个字节是次连续
tively之前启动一个锁存到存储器
图4.状态位分配
DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 DQ3 DQ2 DQ1 DQ0
DP
TB
PLTS高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
编程周期。所有字节必须位于一个
单页地址，即A 5 - A10必须是
相同的所有字节。页写可以启动
在任何字节写操作。
以下的第一个字节写指令中的主机
可以发送另一个地址和数据到一个马克西
吨的妈妈
万好万家
后E或W的上升沿哪个
先出现。如果E或W的过渡不
T内检测
万好万家
时，内部编程
周期将开始。
单片机控制接口
该M28C16A / 17A提供了两个写操作
状态位和一个状态管脚，可以用来
最大限度地减少了系统的写周期。这些信号是
可用的I / O端口位DQ7的或DQ6
在编程周期内存，或者仅作为
RB信号在一个单独的引脚。
数据轮询位（ DQ7 ） 。
在内部写
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将
生产DQ7上的互补价值
先前锁存位。一旦写周期是装订
ished真正的逻辑值在DQ7中出现
读周期。
DP =数据查询
TB =触发位
PLTS =页面加载定时器状态
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M28C16A ， M28C17A
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
注意，输出高阻被定义为其中的数据将不再被驱动的点。
≤
20ns
0.4V至2.4V
0.8V至2.0V
图5. AC测试输入输出波形
4.5V至5.5V工作电压
2.4V
2.0V
0.8V
图6. AC测试等效负载电路
VCC
0.4V
IOL
设备
下
TEST
IOH
OUT
2.7V至3.6V工作电压
VCC ± 0.3V
0.5 VCC
0V
AI02101B
CL = 30pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI02114
表5.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz）的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注意：
1.采样只，而不是100 ％测试。
表6.读模式DC特性M28C16A和M28C17A
(T
A
= -40至+85 C ，V
CC
= 4.5V至5.5V ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC (1)
I
CC1
I
CC2
(1)
(1)
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流（ TTL和CMOS输入）
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
中，f = 5MHz时，
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.3V
民
最大
10
10
25
1
50
单位
A
A
mA
mA
A
V
V
V
V
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
–0.3
2
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400
A
2.4
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
注意：
1.所有的I / O开路。
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