MCP6061/2/4
60 μA ，高精度运算放大器
特点
低失调电压：
±
150 μV （最大值）
低静态电流： 60 μA （典型值）
轨至轨输入和输出
宽电源电压范围： 1.8V至6.0V
增益带宽积： 730千赫（典型值）
单位增益稳定
扩展级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
无相位反转
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6061 / 2/ 4系列
运算放大器（运放）具有低输入失调
电压（
±
150 μV ，最大值）和轨到轨输入和
输出操作。此系列为单位增益稳定，
730千赫（典型值）的增益带宽积。
这些器件具有单电源电压工作
低至1.8V ，同时提请低静态电流每
放大器（ 60 μA ，典型值） 。这些特点使
系列运算放大器非常适合于单电源，高
精度，电池供电applicaitons 。
在MCP6061 / 2/4系列提供单
（ MCP6061 ） ，双（ MCP6062 ）和四（ MCP6064 ）
精读网络gurations 。
在MCP6061 / 2/4的设计中采用了Microchip
先进的CMOS工艺。所有设备都可用
在扩展级温度范围，与电源
范围为1.8V至6.0V 。
应用
汽车
便携式仪表
传感器调节
电池供电系统
医疗器械
测试设备
模拟滤波器
封装类型
MCP6061
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
模拟演示和评估板
应用笔记
MCP6062
SOIC
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
MCP6061
的2x3 TDFN *
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
EP
9
8 NC
7 V
DD
5 NC
MCP6062
的2x3 TDFN *
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
SS
4
EP
9
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
典型用途
R
L
Z
IN
MCP6061
C
Z
IN
= R
L
+ j
ω
L
L = R
L
RC
R
回转
V
OUT
6 V
OUT
V
INA
+ 3
MCP6064
SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
*包括裸露的散热焊盘（ EP ） ;看
表3-1 。
2009年Microchip的科技公司
DS22189A第1页
MCP6061/2/4
1.0
1.1
电动
特征
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ....... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+
, V
IN
-
) .......... V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................不断
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
).......................... +150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
................ ≥
4千伏; 400V
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的这种操作列表说明
规范是不是暗示。置身于最大额定
长时间会影响器件的荷兰国际集团的条件
可靠性。
SEE
4.1.2 “输入电压和电流限制”
1.2
特定网络阳离子
DC电气规格
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 10 kΩ到V
L
。 （参考
图1-1） 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
ΔV
OS
/ΔT
A
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
I
B
I
B
I
B
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
V
CMR
V
CMR
CMRR
V
SS
0.2
V
SS
0.3
72
74
72
74
注1 ：
—
—
89
91
87
89
V
DD
+0.2
V
DD
+0.3
—
—
—
—
V
V
dB
dB
dB
dB
V
DD
= 1.8V
（注1 ）
V
DD
= 6.0V
（注1 ）
V
CM
= -0.15V至1.95V ，
V
DD
= 1.8V
V
CM
= -0.3V至6.3V ，
V
DD
= 6.0V
V
CM
= 3.0V至6.3V ，
V
DD
= 6.0V
V
CM
= -0.3V至3.0V ，
V
DD
= 6.0V
I
OS
Z
CM
Z
差异
—
—
—
—
—
—
±1.0
60
1100
±1.0
10
13
||6
10
13
||6
100
—
5000
—
—
—
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
PSRR
-150
—
—
70
—
±1.5
±4.0
87
+150
—
—
—
V
V
DD
= 3.0V,
V
CM
= V
DD
/3
符号
民
典型值
最大
单位
条件
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 85°C ，
V
DD
= 3.0V, V
CM
= V
DD
/3
μV / ° （C T）
A
= + 85 ° C至+ 125°C ，
V
DD
= 3.0V, V
CM
= V
DD
/3
dB
V
CM
= V
SS
图2-13
展示了如何V
CMR
在整个温度变化。
2009年Microchip的科技公司
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