M14C16 ， M14C04
图2. D20联系人的连接
高手确认收到的数据字节
以同样的方式。数据传输是通过终止
在确认之后，停止条件的写入和自动对焦
之三的Noack为READ 。
上电复位： V
CC
锁定写保护
为了防止数据损坏和意外的
在上电期间写操作，上电重
集（POR）电路被包括在内。内部复位
保持有效，直到V
CC
电压已达到
POR阈值，并且所有的操作都显示
体健 - 该设备将不会对任何的COM回应
命令。以同样的方式，当V
CC
从下降
工作电压低于POR阈值，
所有的操作都被禁止，该设备将无法
响应任何命令。一个稳定，有效的V
CC
施加任何逻辑信号之前必须应用。
信号说明
串行时钟（ SCL ）
SCL输入引脚用于同步所有数据
中和从存储器中。一个上拉电阻即可
从SCL线V连接
CC
。 （图3 IN-
dicates怎样的上拉电阻器的值可以是
计算） 。
串行数据（ SDA ）
SDA引脚是双向的，而且是用来反式
或缩小存储器的FER数据。这是一个漏极开路
输出可能是线或运算与其他开放
漏，或在公共汽车上集电极开路信号。上拉
电阻必须从SDA总线连接
到V
CC
。 （图3表示的是如何的价值
上拉电阻可以计算） 。
写控制（ WC ）
硬件写控制触点（ WC ）是非常有用的
用于保护存储器的全部内容
防止意外擦除/写操作。写控制
信号用于使能（WC = V
IL
）或禁用
VCC
WC
GND
SCL
SDA
AI02168
使用一个双向数据总线和串行时钟。该
存储器带有一个内置的7位唯一设备类型
标识符代码（ 1010xxx ，对于M14C16 ，并
101000x ，对于M14C04 ，如表3所示）
根据我
2
C总线定义。只有一个
存储器可连接到每个I
2
C总线。
内存表现为在I从站设备
2
C
协议中，所有的内存操作同步
由串行时钟。读取和写入操作
通过启动条件启动，通过所产生的
总线主控器。启动条件之后
它是由一个设备选择代码
的7个比特（ 1010xxx ，对于M14C16 ，并流
101000x ，对于M14C04 ，如表3所示） ，
加1的读/写位（R / W）和被终止
一个应答位。
当将数据写入存储器，存储器IN-
serts的9时应答位
th
位时，
继总线主控器的8位传输。
当数据总线主机，总线读
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
V
IO
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
输入或输出范围
电源电压
价值
0到70
晶圆形式
模块形式
-65到150
-40℃120
-0.6 6.5
-0.3 6.5
4000
400
单位
°C
°C
V
V
V
V
静电放电电压（人体模型）
2
静电放电电压（机器型号）
3
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100 pF的， 1500
)
3. EIAJ IC- 121 （条件C ） （ 200 pF的， 0
)
2/13
M14C16 ， M14C04
图4.我
2
C总线协议
SCL
SDA
开始
条件
SDA
输入
SDA
变化
停止
条件
SCL
1
2
3
7
8
9
SDA
最高位
确认
开始
条件
SCL
1
2
3
7
8
9
SDA
最高位
确认
停止
条件
AI00792
写操作
在开始状态之后，主机发送一个
设备与RW选择代码位设置为“0” ，如
示于表4。存储器承认它
并等待一个字节的地址，提供可以
塞斯到存储区域。收到AD-后
礼服，内存再次与响应
应答，并等待数据字节。写作
在存储器中，如果输入引脚的WC是可以抑制
采取高。
与WC = 1（在一个周期中的所有写入命令
从时间的起始条件，直到结束
地址）不会修改存储器内容，并
将不被确认的数据字节，如
在图5中示出。
表3.设备选择代码
1
器件代码
b7
M14C16选择
M14C04选择
1
1
b6
0
0
b5
1
1
b4
0
0
b3
A10
0
芯片使能
b2
A9
0
b1
A8
A8
RW
b0
RW
RW
注：1， A10， A9和A8对应于存储器阵列的地址字的最高显著位。
4/13
M14C16 ， M14C04
字节写
在字节写模式下，设备后，选择
代码和地址，主机发送一个数据
字节。若该位置被写保护
在WC针，内存回复一个诺亚克，
和位置不会被修改。相反，如果所述的WC
销已被保持在0时，如图6所示，
内存回复一个ACK 。主termi-
通过产生一个停止条件止数据传输
化。
页写
页写模式允许最多16个字节是
写在单个写入循环中，条件是它们
都位于内存中的同一个“行”中：
这是最显著存储器地址的位
（ B10 - B4为M14C16和B8 -B4为
M14C04 ）是相同的。主机发送的
1到16个字节的数据，其中每一个处于激活
由存储器knowledged如果WC引脚为低电平。如果
了WC引脚为高电平时，每一个数据字节之后是
诺亚克和位置不会被修改。在每个
字节传送，内部字节地址国家
之三（四至少显著只比特）是递增
mented 。传输由主终止
产生一个停止条件。必须小心
为了避免地址计数器'翻车'可能重新
SULT中的数据被覆盖。需要注意的是，对于任何
字节或页写模式中，生成由
大师的停止条件启动内部
内存程序循环。此停止条件触发
蒙古包的内部存储器中的程序循环仅当
停止条件在内部立即解码
后的ACK位;任何停止条件解码
出了这"10
th
bit"时隙将不会触发在 -
ternal编程周期。所有的输入被禁止
直到完成这个周期和存储器的
将不响应任何请求。
最大限度地减少系统延迟投票站在ACK
在内部写周期，内存断开
nects本身从总线，并拷贝从数据
其内部锁存器的存储单元中。马克西
妈妈写时间（t
w
）表示在表5中，但
与WC = 1图5.写模式序列
WC
确认
字节写
开始
DEV SEL
读/写
确认
无应答
DATA IN
停止
确认
无应答
IN 1数据
BYTE ADDR
WC
确认
页写
开始
DEV SEL
读/写
无应答
数据在3
BYTE ADDR
IN 2数据
WC （续）
无应答
页写
（续）
无应答
数据的N
停止
AI02803B
5/13
M14C16 ， M14C04
图2. D20联系人的连接
高手确认收到的数据字节
以同样的方式。数据传输是通过终止
在确认之后，停止条件的写入和自动对焦
之三的Noack为READ 。
上电复位： V
CC
锁定写保护
为了防止数据损坏和意外的
在上电期间写操作，上电重
集（POR）电路被包括在内。内部复位
保持有效，直到V
CC
电压已达到
POR阈值，并且所有的操作都显示
体健 - 该设备将不会对任何的COM回应
命令。以同样的方式，当V
CC
从下降
工作电压低于POR阈值，
所有的操作都被禁止，该设备将无法
响应任何命令。一个稳定，有效的V
CC
施加任何逻辑信号之前必须应用。
信号说明
串行时钟（ SCL ）
SCL输入引脚用于同步所有数据
中和从存储器中。一个上拉电阻即可
从SCL线V连接
CC
。 （图3 IN-
dicates怎样的上拉电阻器的值可以是
计算） 。
串行数据（ SDA ）
SDA引脚是双向的，而且是用来反式
或缩小存储器的FER数据。这是一个漏极开路
输出可能是线或运算与其他开放
漏，或在公共汽车上集电极开路信号。上拉
电阻必须从SDA总线连接
到V
CC
。 （图3表示的是如何的价值
上拉电阻可以计算） 。
写控制（ WC ）
硬件写控制触点（ WC ）是非常有用的
用于保护存储器的全部内容
防止意外擦除/写操作。写控制
信号用于使能（WC = V
IL
）或禁用
VCC
WC
GND
SCL
SDA
AI02168
使用一个双向数据总线和串行时钟。该
存储器带有一个内置的7位唯一设备类型
标识符代码（ 1010xxx ，对于M14C16 ，并
101000x ，对于M14C04 ，如表3所示）
根据我
2
C总线定义。只有一个
存储器可连接到每个I
2
C总线。
内存表现为在I从站设备
2
C
协议中，所有的内存操作同步
由串行时钟。读取和写入操作
通过启动条件启动，通过所产生的
总线主控器。启动条件之后
它是由一个设备选择代码
的7个比特（ 1010xxx ，对于M14C16 ，并流
101000x ，对于M14C04 ，如表3所示） ，
加1的读/写位（R / W）和被终止
一个应答位。
当将数据写入存储器，存储器IN-
serts的9时应答位
th
位时，
继总线主控器的8位传输。
当数据总线主机，总线读
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
V
IO
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
输入或输出范围
电源电压
价值
0到70
晶圆形式
模块形式
-65到150
-40℃120
-0.6 6.5
-0.3 6.5
4000
400
单位
°C
°C
V
V
V
V
静电放电电压（人体模型）
2
静电放电电压（机器型号）
3
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100 pF的， 1500
)
3. EIAJ IC- 121 （条件C ） （ 200 pF的， 0
)
2/13
M14C16 ， M14C04
图4.我
2
C总线协议
SCL
SDA
开始
条件
SDA
输入
SDA
变化
停止
条件
SCL
1
2
3
7
8
9
SDA
最高位
确认
开始
条件
SCL
1
2
3
7
8
9
SDA
最高位
确认
停止
条件
AI00792
写操作
在开始状态之后，主机发送一个
设备与RW选择代码位设置为“0” ，如
示于表4。存储器承认它
并等待一个字节的地址，提供可以
塞斯到存储区域。收到AD-后
礼服，内存再次与响应
应答，并等待数据字节。写作
在存储器中，如果输入引脚的WC是可以抑制
采取高。
与WC = 1（在一个周期中的所有写入命令
从时间的起始条件，直到结束
地址）不会修改存储器内容，并
将不被确认的数据字节，如
在图5中示出。
表3.设备选择代码
1
器件代码
b7
M14C16选择
M14C04选择
1
1
b6
0
0
b5
1
1
b4
0
0
b3
A10
0
芯片使能
b2
A9
0
b1
A8
A8
RW
b0
RW
RW
注：1， A10， A9和A8对应于存储器阵列的地址字的最高显著位。
4/13
M14C16 ， M14C04
字节写
在字节写模式下，设备后，选择
代码和地址，主机发送一个数据
字节。若该位置被写保护
在WC针，内存回复一个诺亚克，
和位置不会被修改。相反，如果所述的WC
销已被保持在0时，如图6所示，
内存回复一个ACK 。主termi-
通过产生一个停止条件止数据传输
化。
页写
页写模式允许最多16个字节是
写在单个写入循环中，条件是它们
都位于内存中的同一个“行”中：
这是最显著存储器地址的位
（ B10 - B4为M14C16和B8 -B4为
M14C04 ）是相同的。主机发送的
1到16个字节的数据，其中每一个处于激活
由存储器knowledged如果WC引脚为低电平。如果
了WC引脚为高电平时，每一个数据字节之后是
诺亚克和位置不会被修改。在每个
字节传送，内部字节地址国家
之三（四至少显著只比特）是递增
mented 。传输由主终止
产生一个停止条件。必须小心
为了避免地址计数器'翻车'可能重新
SULT中的数据被覆盖。需要注意的是，对于任何
字节或页写模式中，生成由
大师的停止条件启动内部
内存程序循环。此停止条件触发
蒙古包的内部存储器中的程序循环仅当
停止条件在内部立即解码
后的ACK位;任何停止条件解码
出了这"10
th
bit"时隙将不会触发在 -
ternal编程周期。所有的输入被禁止
直到完成这个周期和存储器的
将不响应任何请求。
最大限度地减少系统延迟投票站在ACK
在内部写周期，内存断开
nects本身从总线，并拷贝从数据
其内部锁存器的存储单元中。马克西
妈妈写时间（t
w
）表示在表5中，但
与WC = 1图5.写模式序列
WC
确认
字节写
开始
DEV SEL
读/写
确认
无应答
DATA IN
停止
确认
无应答
IN 1数据
BYTE ADDR
WC
确认
页写
开始
DEV SEL
读/写
无应答
数据在3
BYTE ADDR
IN 2数据
WC （续）
无应答
页写
（续）
无应答
数据的N
停止
AI02803B
5/13
