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超高频微波SUPER超突变结
变容二极管
描述
在KV 1900系列超级超突变变容二
颂诗结合了高比例的调整低压。他们
成长特征结台面工艺最高
Q市售的。钝化是我们的致密万
规格二氧化硅为最低的1 / f噪声和低
在极端温度下泄漏均匀。它们可用
能够在很宽的范围内封装形式，包括芯片
（样式00 ）和其他大多数传统的陶瓷微
波包。订购时，请指定所需
通过增加其编号为后缀的基本情况风情
型号。有关更多表面贴装细节超
超突变变容二极管看到表面贴装器件
部分。
应用
从UHF低电压/电池供电设备
通过Ku波段，包括：
宽带VCO的
电压可调滤波器
移相器
调制器
VCXO的
评分：
最小击穿电压： 12 V @ 10
A
最大漏电流为：
结工作温度：
存储温度：
50 nA的@ 10 V / 25℃
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C到+ 200℃
电气规格：吨
A
=25°C
模型
KV1911A
KV1951A
KV1921A
KV1931A
KV1941A
KV1961A
KV1971A
KV1981A
KV1991A
C
J
@ 1 V （PF ）
>36.00
>26.00
>17.00
>13.00
> 9.00
> 3.80
> 1.65
> 1.20
> 0.60
C
J
@ 2.5 V （PF ）
18 - 27
13 - 20
8.3 - 12.8
6.3 - 9.8
4.3 - 6.3
1.8 - 2.8
0.9 - 1.35
0.6 - 0.9
0.3 - 0.6
C
J
@ 4 V （PF ）
<11.80
< 8.80
< 5.80
< 4.30
< 2.80
< 1.30
< 0.60
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.25
C
J
@ 8 V （PF ）
<6.00
<4.50
<3.00
<2.50
<1.50
<0.80
<0.35
<0.30
<0.15
Q@4V/
50兆赫
400
500
600
750
900
1200
1400
1600
1800
半导体操作
75 T
童占梅驱动器？洛厄尔， MA 01851 ？牛逼
EL ： 978-442-5600 ？传真： 978-937-3748
39
KV1911A - KV1991A
TM
变容二极管
超高频微波超级超突变结
符合RoHS
描述
在KV1900系列超级超突变变容二极管结合了低
电压高的比例调整。它们的特点是生长结台面
技术商用的最高Q值。钝化是我们的
坚韧MIL -SPEC陶瓷玻璃最低泄漏，即使在温度
极端或致密的SiO
2
最低为1 / f噪声。它们可在很宽的
各种封装形式，包括芯片（样式00 ）和大多数其他
传统的陶瓷微波包。
订货时，加入其编号为指定所需的封装类型
后缀的基本型号。有关KV19x1A超详细
超突变变容二极管在流行的高性能表面贴装
包，看到KV19x2A & KV19x3A系列产品。
主要特点
作为封装器件或
作为芯片的混合应用
典型的4 ： 1调谐范围
超Q
值的UHF频率
通过X波段。
www.Microsemi.com
应用
该KV19x1A系列是专为低电压电池的理想选择供应
压控振荡器到12 GHz的频率范围为UHF 。他们是
在模拟移相器和相位调制器中的微波广泛使用
通信。它们也可用于更高泛音极好的选择，高
拉VCXO和TCXO应用。
应用/优势
宽带VCO.s
电压可调滤波器
移相器
调制器
压控石英振荡器
绝对最大额定值在25°
（除非另有规定编）
等级
最大工作电压
漏电流@ V
R
= 10V
储存温度
工作温度
符号
V
R
I
R
T
英镑
T
OP
价值
12
50
-65到+150
-55到+125
单位
V
nA
C
C
温度补偿晶体振荡器
KV1911A-KV1991A
KV1911A-KV1991A
重要提示：
有关最新资料，请咨询我们的网站：
www.Microsemi.com
规格如有变更。咨询工厂的最新信息
.
这些设备ESD敏感，必须使用防静电措施进行处理。
除非另有规定，这些产品
用合适的黄金终端提供
对于符合RoHS标准的组件。
1
版权
2007
冯： 2009-02-03
Microsemi的
微波产品
第1页
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
KV1911A - KV1991A
TM
变容二极管
超高频微波超级超突变结
符合RoHS
微波超突变变容二极管
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
模型
数
KV1911A - 00
KV1951A - 00
KV1921A - 00
KV1931A - 00
KV1941A - 00
KV1961A - 00
KV1971A - 00
KV1981A - 00
KV1991A - 00
笔记
1.
2.
Q是在V确定
R
= 4V ， = 50 MHz的经
C
J
（PF ）
2
= 1兆赫
V
R
= 1V
民
36
26
17
13
9
3.8
1.65
1.2
0.6
V
R
= 2.5V
最小 - 最大
V
R
= 4V
最大
11.8
8.8
5.8
4.3
2.8
1.3
0.6
0.45
0.25
V
R
= 8V
最大
6
4.5
3
2.5
1.5
0.8
0.35
0.3
0.15
调音
2
比
C
J(-1V)
/ C
J(-8V)
典型值
6.0
5.8
5.7
5.6
5.4
5.1
4.7
4.3
3.9
质量
因素
1
典型值。
400
500
600
750
900
1200
1400
1600
1800
www.Microsemi.com
18 - 27
13 - 20
8.3 - 12.8
6.3 - 9.8
4.3 - 6.3
1.8 - 2.8
0.9 - 1.35
0.6 - 0.9
0.3 - 0.6
1 / 2
fRsCj
包装样式00
规范适用于-00 （芯片）的版本。有些限制适用于包装的版本。有关详细信息，请咨询厂家。
CJ VS电压
100.0
KV1911A
KV1941A
10.0
KV1971A
C
J
（PF ）
1.0
KV1991A
0.1
0.0
0.1
1
10
V
R
(V)
维
公称
0.015”
0.015”
0.005”
取决于零件编号
咨询工厂详情
Microsemi的提供了多种选择的封装选择
根据您的应用电路。详情请咨询
工厂寻求帮助。
A
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C
D
版权
2007
冯： 2009-02-03
Microsemi的
微波产品
第2页
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
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