IXFK 180N15P
IXFX 180N15P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
55
86
7000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2250
515
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 3.3
（外部）
32
150
36
240
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
55
140
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.18 ° C / W
0.15
°
C / W
端子： 1 - 门
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 247
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= 90A ，V
GS
= 0 V,
注1
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
180
380
1.3
150
0.6
A
A
V
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
TO- 264 AA大纲
200纳秒
C
注1 ：脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFK 180N15P
IXFX 180N15P
图。 7.输入上将ittance
250
225
200
100
120
T
J
= -40
C
25
C
150
C
图。 8.跨导
150
125
100
75
50
25
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
T
J
= 150
C
25
C
-40
C
g
F小号
- 西门子
175
I
D
- 安培
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
350
300
250
10
9
8
7
V
DS
= 75V
I
D
= 90A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
200
150
100
50
0
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- 伏特
图。 11.电容
100,000
1000
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
F = 1MHz的
电容 - 皮法
10,000
I
D
- 安培
C
is
R
DS （ ON）
极限
25s
100s
100
1ms
10ms
DC
C
os
1,000
C
rs
T
J
= 175
C
T
C
= 25
C
100
0
5
10
15
10
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V
DS
- 伏特
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXFK 180N15P
IXFX 180N15P
F IG 。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance
1.00
R
T H， J·C
- C / W
0.10
0.01
0.00
0.1
1
10
100
1000
浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s
2006 IXYS所有权利
QQ：2880707522 复制
