IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
20
3.3
11
单身
S
特点
1.5
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR9220 / SiHFR9220 ）
直铅（ IRFUFU9220 / SiHFU9220 ）
可用磁带和卷轴
P沟道
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
描述
G
D
P沟道MOSFET
第三功率MOSFET技术的关键是威世
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220PbF
SiHFR9220-E3
IRFR9220
SiHFR9220
DPAK （ TO- 252 ）
IIRFR9220TRLPbF
a
SiHFR9220TL-E3
a
IRFR9220TRL
a
SiHFR9220TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220TRRPbF
a
SiHFR9220TR-E3
a
IRFR9220TRR
a
SiHFR9220TR
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220TRPbF
a
SiHFR9220T-E3
a
IRFR9220TR
a
SiHFR9220T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9220PbF
SiHFU9220-E3
IRFU9220
SiHFU9220
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 200
± 20
- 3.6
- 2.3
- 14
0.33
0.020
310
- 3.6
4.2
42
2.5
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
I
AR
重复性雪崩电流
a
E
AR
重复性雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
e
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 35 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 3.6 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 3.9 A， di / dt的
≤
95 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91283
S- 81411 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
www.vishay.com
1
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 2.2 A
b
- 200
-
- 2.0
-
-
-
-
1.1
-
- 0.22
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
1.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 2.2 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
340
110
33
-
-
-
8.8
27
7.3
19
4.5
7.5
-
-
-
20
3.3
11
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 3.9 A，V
DS
= - 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 100 V，I
D
= - 3.9 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 24
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
150
0.97
- 3.6
A
- 14
- 6.3
300
2.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 3.6 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 3.9 ， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
www.vishay.com
2
文档编号： 91283
S- 81411 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91283
S- 81411 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
3
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
文档编号： 91283
S- 81411 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
- 10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
V
DD
图。 10A - 开关时间测试电路
t
D（上）
V
GS
10
%
t
r
t
D（关闭）
t
f
90
%
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 91283
S- 81411 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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5
IRFR9220 ， IRFU9220
数据表
1999年7月
网络文件编号
4015.3
3.6A ， 200V ， 1.500欧姆， P沟道功率
MOSFET的
这些先进的功率MOSFET设计，测试和
保证承受的能量在一个特定的C级
操作雪崩击穿模式。这些都是
P沟道增强型硅栅功率音响eld-
效应晶体管设计的应用程序，例如开关
稳压器，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，
和驱动大功率双极开关晶体管
需要高速和低栅极驱动电源。这些类型
可以直接从集成电路操作。
以前发育类型TA17502 。
特点
3.6A ， 200V
r
DS （ ON）
= 1.500
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
IRFR9220
IRFU9220
包
TO-252AA
TO-251AA
BRAND
IF9220
IF9220
G
注：订货时请使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得在磁带和卷轴，例如， IRFR92209A的TO- 252AA变种。
S
包装
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
门
来源
漏极（法兰）
漏极（法兰）
JEDEC TO- 252AA
4-89
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRFR9220 ， IRFU9220
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFR9220 ， IRFU9220
-200
-200
±20
3.6
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
42
0.33
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
gd
Q
gs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
GS
= 0至-10V
V
DD
= -160V,
I
D
= 3.9A,
R
L
= 41
I
G（ REF ）
= 1.45毫安
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
= 2.2A ，V
GS
= -10V （图9 ）
V
DD
= -100V ，我
D
= 3.9A,
R
L
= 24, V
GS
= -10V,
R
GS
= 18
（图13 ，16， 17）的
民
-200
-2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
8.8
27
7.3
19
-
20
11
3.3
550
110
33
-
-
最大
-
-4.0
-25
-250
±100
1.500
50
-
-
-
-
50
-
-
-
-
-
-
3.00
100
单位
V
V
A
A
nA
W
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅漏电荷
门源费
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= -3.6A
I
SD
= -3.6A ，二
SD
/ DT = -100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
150
0.97
最大
-6.3
300
2.0
单位
V
ns
C
4-90
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
20
3.3
11
单身
S
特点
1.5
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR9220 / SiHFR9220 ）
直铅（ IRFUFU9220 / SiHFU9220 ）
可用磁带和卷轴
P沟道
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
描述
G
D
P沟道MOSFET
第三功率MOSFET技术的关键是威世
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220PbF
SiHFR9220-E3
IRFR9220
SiHFR9220
DPAK （ TO- 252 ）
IIRFR9220TRLPbF
a
SiHFR9220TL-E3
a
IRFR9220TRL
a
SiHFR9220TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220TRRPbF
a
SiHFR9220TR-E3
a
IRFR9220TRR
a
SiHFR9220TR
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220TRPbF
a
SiHFR9220T-E3
a
IRFR9220TR
a
SiHFR9220T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9220PbF
SiHFU9220-E3
IRFU9220
SiHFU9220
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 200
± 20
- 3.6
- 2.3
- 14
0.33
0.020
310
- 3.6
4.2
42
2.5
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
脉冲漏
I
DM
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
重复性雪崩电流
I
AR
a
E
AR
重复性雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
e
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 35 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 3.6 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 3.9 A， di / dt的
≤
95 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
www.kersemi.com
1
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 2.2 A
b
- 200
-
- 2.0
-
-
-
-
1.1
-
- 0.22
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
1.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 2.2 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
340
110
33
-
-
-
8.8
27
7.3
19
4.5
7.5
-
-
-
20
3.3
11
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 3.9 A，V
DS
= - 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 100 V，I
D
= - 3.9 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 24
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
150
0.97
- 3.6
A
- 14
- 6.3
300
2.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 3.6 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 3.9 ， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
www.kersemi.com
3
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
- 10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
V
DD
图。 10A - 开关时间测试电路
t
D（上）
V
GS
10
%
t
r
t
D（关闭）
t
f
90
%
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
20
3.3
11
单身
S
特点
1.5
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR9220 / SiHFR9220 ）
直铅（ IRFUFU9220 / SiHFU9220 ）
可用磁带和卷轴
P沟道
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
描述
G
D
P沟道MOSFET
第三功率MOSFET技术的关键是威世
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220PbF
SiHFR9220-E3
IRFR9220
SiHFR9220
DPAK （ TO- 252 ）
IIRFR9220TRLPbF
a
SiHFR9220TL-E3
a
IRFR9220TRL
a
SiHFR9220TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220TRRPbF
a
SiHFR9220TR-E3
a
IRFR9220TRR
a
SiHFR9220TR
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220TRPbF
a
SiHFR9220T-E3
a
IRFR9220TR
a
SiHFR9220T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9220PbF
SiHFU9220-E3
IRFU9220
SiHFU9220
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 200
± 20
- 3.6
- 2.3
- 14
0.33
0.020
310
- 3.6
4.2
42
2.5
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
脉冲漏
I
DM
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
重复性雪崩电流
I
AR
a
E
AR
重复性雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
e
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 35 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 3.6 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 3.9 A， di / dt的
≤
95 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
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1
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 2.2 A
b
- 200
-
- 2.0
-
-
-
-
1.1
-
- 0.22
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
1.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 2.2 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
340
110
33
-
-
-
8.8
27
7.3
19
4.5
7.5
-
-
-
20
3.3
11
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 3.9 A，V
DS
= - 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 100 V，I
D
= - 3.9 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 24
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
150
0.97
- 3.6
A
- 14
- 6.3
300
2.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 3.6 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 3.9 ， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
- 10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
V
DD
图。 10A - 开关时间测试电路
t
D（上）
V
GS
10
%
t
r
t
D（关闭）
t
f
90
%
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
20
3.3
11
单身
S
特点
1.5
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR9220 / SiHFR9220 ）
直铅（ IRFUFU9220 / SiHFU9220 ）
可用磁带和卷轴
P沟道
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
描述
G
D
P沟道MOSFET
第三功率MOSFET技术的关键是威世
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220PbF
SiHFR9220-E3
IRFR9220
SiHFR9220
DPAK （ TO- 252 ）
IIRFR9220TRLPbF
a
SiHFR9220TL-E3
a
IRFR9220TRL
a
SiHFR9220TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220TRRPbF
a
SiHFR9220TR-E3
a
IRFR9220TRR
a
SiHFR9220TR
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9220TRPbF
a
SiHFR9220T-E3
a
IRFR9220TR
a
SiHFR9220T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9220PbF
SiHFU9220-E3
IRFU9220
SiHFU9220
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 200
± 20
- 3.6
- 2.3
- 14
0.33
0.020
310
- 3.6
4.2
42
2.5
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
脉冲漏
I
DM
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
重复性雪崩电流
I
AR
a
E
AR
重复性雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
e
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 35 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 3.6 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 3.9 A， di / dt的
≤
95 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
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IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 2.2 A
b
- 200
-
- 2.0
-
-
-
-
1.1
-
- 0.22
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
1.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
DS
= - 50 V，I
D
= - 2.2 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
340
110
33
-
-
-
8.8
27
7.3
19
4.5
7.5
-
-
-
20
3.3
11
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 3.9 A，V
DS
= - 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 100 V，I
D
= - 3.9 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 24
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
150
0.97
- 3.6
A
- 14
- 6.3
300
2.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 3.6 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 3.9 ， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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3
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
IRFR9220 ， IRFU9220 ， SiHFR9220 ， SiHFU9220
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
- 10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
V
DD
图。 10A - 开关时间测试电路
t
D（上）
V
GS
10
%
t
r
t
D（关闭）
t
f
90
%
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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