初步
集成
电路
系统公司
ICS843001I-23
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL / LVCMOS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
一个3.3V的LVPECL输出和一对
一路LVCMOS / LVTTL输出REF_OUT
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL单端输入
水晶和CLK范围： 17.5MHz - 29.54MHz
能够产生千兆/万兆以太网/ 12GbE ，光纤通道
（1GB / 4GB /万兆） ， PCI -E和SATA从25MHz晶体
VCO范围： 1.12GHz - 1.3GHz的
支持以下应用：
SONET ，以太网，光纤通道，串行ATA和HDTV
RMS相位抖动@ 622.08MHz的（ 12kHz的 - 20MHz的） ：
<1ps （典型值）的设计目标
电源模式：
V
CC
/V
CCO
3.3V/3.3V
3.3V/2.5V
2.5V/2.5V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS843001I - 23是一种高度灵活的，低
IC
S
相位噪声LVPECL / LVCMOS合成
HiPerClockS
它可以产生低抖动参考时钟
用于各种通信应用
并且是HiPerClocks的成员
TM
家庭
从ICS高性能时钟解决方案。
双晶界面允许合成器
支持多达三个通信标准在给定的
应用程序（即SONET与19.44MHz晶振，千兆/万兆
以太网和光纤通道使用25MHz晶振） 。该
RMS相位抖动性能通常比1ps的少，因此
使装置上可接受的用于在苛刻的
应用，如OC48 SONET，千兆/ 10Gb以太网
和SAN的应用。该ICS843001I -23封装在
小型24引脚TSSOP封装。
B
LOCK
D
IAGRAM
3
N2:N0
SEL0
下拉
P
IN
A
SSIGNMENT
SEL1
下拉
N
XTAL_IN0
000
001
010
011
100
101
110
111
÷2
÷4
÷5
÷6
÷8
（默认）
÷10
÷12
÷16
OSC
XTAL_OUT0
XTAL_IN1
00
11
OSC
XTAL_OUT1
CLK
下拉
01
相
探测器
VCO
10
01
00
V
CCO
_
LVCMOS
N0
N1
N2
V
CCO
_
LVPECL
Q
nQ
Q
V
EE
V
CCA
nQ
V
CC
XTAL_OUT1
XTAL_IN1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
REF_OUT
V
EE
OE_REF
M2
M1
M0
MR
SEL1
SEL0
CLK
XTAL_IN0
XTAL_OUT0
10
11
000
001
010
011
100
111
M
÷44
÷45
÷48
÷50
÷51
÷64
（默认）
ICS843001I-23
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
MR
下拉
M2:M0
上拉
3
REF_OUT
OE_REF
下拉
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征的基础上
最初的产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留随时更改任何电路或规格的权利
恕不另行通知。
843001AGI-23
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1
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集成
电路
系统公司
ICS843001I-23
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL / LVCMOS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
描述
输出电源引脚LVCMOS / LVTTL REF_OUT输出。
下拉输出分频器选择引脚。请参阅表3C 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
输出电源引脚LVPECL输出。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
负电源引脚。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT1是输出，
XTAL_IN1是输入。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT0是输出，
XTAL_IN0是输入。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入。
下拉输入MUX选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
复位造成真正的输出Q变为低电平和INVER泰德输出NQ到
下拉
高。当逻辑低电平时，内部分隔和输出是
启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
反馈分压器选择引脚。请参阅表3B 。
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
参考时钟输出使能。默认情况下低。请参阅表3E 。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
参考时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 3
4
5
6, 7
8, 23
9
10
11
12
13
14
15
16, 17
18
名字
V
CCO_CMOS
N0, N1
N2
V
CCO_LVPECL
Q， NQ
V
EE
V
CCA
V
CC
XTAL_OUT1,
XTAL_IN1
XTAL_OUT0,
XTAL_IN0
CLK
SEL0 ， SEL1
MR
输入
输入
动力
OUPUT
动力
动力
动力
输入
输入
输入
输入
输入
动力
19, 20 , 21
22
24
M0, M1, M2
OE_REF
REF_OUT
输入
输入
产量
注意：
上拉和下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
R
上拉
R
OUT
参数
输入电容
输入下拉电阻
输入上拉电阻
输出阻抗
REF_OUT
5
测试条件
最低
典型
4
51
51
7
12
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
Ω
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系统公司
ICS843001I-23
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL / LVCMOS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
输出频率
（兆赫）
74.25
74.25
155.52
622.08
311.04
125
156.25
25 0
312.5
625
187.5
100
150
75
106.25
159.375
212.5
T
ABLE
3A 。
OMMON
C
ONFIGURATIONS
T
ABLE
输入
XTAL输入（兆赫）
27
24.75
19.44
19.44
19.44
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
反馈
分频器
44
48
64
64
64
50
50
50
50
50
45
48
48
48
51
51
51
VCO （兆赫）
1188
1188
1244.16
1244.16
1244.16
1250
1250
1250
1250
1250
1125
1200
1200
1200
1275
1275
1275
N分频器值
16
16
8
2
4
10
8
5
4
2
6
12
8
16
12
8
6
应用
HDTV
HDTV
SONET
SONET
SONET
GIGE
10千兆以太网
GIGE
XGMII
10千兆以太网
12千兆以太网
PCI Express的
SATA
SATA
光纤通道
10千兆光纤通道
4千兆光纤通道
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
M O对
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
M2
0
0
0
0
1
1
M1
0
0
1
1
0
1
M0
0
1
0
1
0
1
64
M分频器
价值
44
45
48
50
51
（默认）
T
ABLE
3C 。 P
ROGRAMMABLE
N 2 O
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
N2
0
0
0
0
1
1
1
1
N1
0
0
1
1
0
0
1
1
N0
0
1
0
1
0
1
0
1
分频值
2
4
5
6
8
（默认）
10
12
16
输入频率
最低
25.5
24.9
23.3
22.4
22.0
17.5
最大
29.54
28.88
27.08
26.0
25.49
20.31
T
ABLE
3D 。 B
YPASS
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
SEL1
0
0
1
1
SEL0
0
1
0
1
参考输入
XTAL0
XTAL1
CL
CLK
PLL模式
活跃
活跃
活跃
绕行
T
ABLE
3E 。 OE_REF
安输出
F
油膏
T
ABLE
输入
OE_REF
0
1
产量
REF_OUT
高阻
活跃
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集成
电路
系统公司
ICS843001I-23
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL / LVCMOS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
-0.5V到V
CCO
+ 0.5V
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
（ LVPECL ）
连续电流
浪涌电流
产出，V
O
（ LVCMOS ）
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_LVPECL ，
V
CCO_LVCMOS
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO_LVPECL
V
CCO_LVCMOS
I
EE
I
CCA
I
CCO_LVPECL
I
CCO_LVCMOS
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
输出电源电流
OE_REF = 0
OE_REF = 1， REF_OUT = 29.54MHz
OE_REF = 0
OE_REF = 1， REF_OUT = 29.54MHz
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
3.3
待定
待定
5
待定
待定
最大
3.465
3.465
3.465
3.465
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V±5%, V
CCO_LVPECL ，
V
CCO_LVCMOS
= 2.5V±5%,
TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO_LVPECL
V
CCO_LVCMOS
I
EE
I
CCA
I
CCO_LVPECL
I
CCO_LVCMOS
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
2.625
2.625
典型
3.3
3.3
2.5
2.5
待定
待定
待定
待定
待定
最大
3.465
3.465
2.625
2.625
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
OE_REF = 0
OE_REF = 1， REF_OUT = 29.54MHz
OE_REF = 0
OE_REF = 1， REF_OUT = 29.54MHz
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ICS843001I-23
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL / LVCMOS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
2.625
2.625
2.625
2.625
OE_REF = 0
OE_REF = 1， REF_OUT = 29.54MHz
OE_REF = 0
OE_REF = 1， REF_OUT = 29.54MHz
典型
2.5
2.5
2.5
2.5
待定
待定
5
待定
待定
最大
2.625
2.625
2.625
2.625
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_LVPECL ，
V
CCO_LVCMOS
= 2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO_LVPECL
V
CCO_LVCMOS
I
EE
I
CCA
I
CCO_LVPECL
I
CCO_LVCMOS
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
输出电源电流
T
ABLE
4D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_LVCMOS
= 3.3V±5%
OR
2.5V±5%,
OR
V
CC
= V
CCA
= 3.3V±5%, V
CCO_LVCMOS
= 2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
输入低电压
CLK ， SEL0 ， SEL1 ，
OE_REF ， MR， N0 ， N1
N2 ， M0 ： M2
CLK ， SEL0 ， SEL1 ，
OE_REF ， MR， N0 ， N1
N2 ， M0 ： M2
REF_OUT
REF_OUT
测试条件
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 2.5V
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 2.5V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
CC
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
CCO_LVCMOS
= 3.465V
V
CCO_LVCMOS
= 2.625V
V
CCO_LVCMOS
= 3.465V
最小典型
2
1.7
-0.3
-0.3
最大
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.8
0.7
150
5
-5
-150
2. 6
1. 8
0.5
TB
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V / ns的
I
IH
输入
HIGH CURRENT
I
IL
输入
低电流
V
OH
V
OL
输出高
电压;注1
输出低
电压;注1
或2.625V
输入边沿速率CLK
20% - 80%
Δ
V/
ΔT
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO _LVCMOS
/ 2 。参见参数测量信息科
"Output负载测试电路Diagram"图。
T
ABLE
4E 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_LVPECL
= 3.3V±5%
OR
2.5V±5%,
OR
V
CC
= V
CCA
= 3.3V±5%, V
CCO_LVPECL
= 2.5V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
测试条件
最低
V
CCO_LVPECL
- 1.4
V
CCO_LVPECL
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO_LVPECL
- 0.9
V
CCO_LVPECL
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO_LVPECL
- 2V.
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www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。 B 2006年1月6日
QQ：2880707522 复制
