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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第335页 > IXFR36N60P
PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
（电隔离背面）
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFR 36N60P
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
=
=
≤
≤
600
20
200
200
V
A
m
ns
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25° C
最大额定值
600
600
±30
±40
20
80
36
50
1.5
20
208
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
20..120/4.6..27
5
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
°
C
°C
°C
°C
°C
°C
V~
N /磅
g
ISOPLUS247 （ IXFR ）
E153432
G
D
S
孤立的标签
G =门
S =源
D
=漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
50/60赫兹， RMS 1分钟
安装力
特点
l
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
l
国际标准套餐
l
快恢复二极管
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
3.0
5.0
±100
25
250
200
V
V
nA
A
A
m
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= I
T
（注1 ）
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2006 IXYS所有权利
DS99395E(03/06)
IXFR 36N60P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
25
40
5800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
570
30
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS ，
I
D
= I
T
R
G
=2
（外部）
25
80
22
102
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
34
36
0.6
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
ISOPLUS247 （ IXFR ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= I
T
，脉冲测试
注1 ：测试电流I
T
= 18 A
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
36
80
1.5
200
0.8
6.0
A
A
V
ns
C
A
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFR 36N60P
图。 1.输出Characte r是抽动
@ 25
C
36
32
28
V
GS
= 10V
7V
90
80
70
60
6V
7V
V
GS
= 10V
8V
图。 2. EXTE NDE D输出Characte r是抽动
@ 25
C
I
D
- 安培
24
20
16
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5V
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
0
3
6
9
12
5V
15
18
21
24
27
30
6V
V
S
- V OLTS
图。 3.输出Characte r是抽动
@ 125
C
36
32
28
V
GS
= 10V
7V
3.1
2.8
V
GS
= 10V
V
S
- V OLTS
图。 4.
DS （上
)
规范艾莉婕d可我
D
= 18A
价值VS 。结テ米PE ATUR ê
I
D
- 安培
24
20
16
12
8
4
0
0
2
4
6
6V
R
S（O N）
- 归
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I
D
= 18A
I
D
= 36A
5V
V
S
- V OLTS
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 摄氏
图。 6.医生艾因 ú R R简吨VS 。 为e
率T e米P·E·R ATU
图。 5.
DS （ ON）
规范艾莉婕d可
3.4
3.0
I
D
= 18A价值VS 。我
D
22
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
20
18
16
R
S（O N）
- 归
2.6
2.2
1.8
1.4
T
J
= 25C
1.0
0.6
0
10
20
30
I
D
- 安培
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
- 一个mperes
40
50
60
70
80
90
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
2006 IXYS所有权利
IXFR 36N60P
图。 7.输入上将ittance
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
T
J
= 125C
25C
-40C
60
50
40
30
20
10
T
J
= -40C
25C
125C
70
图。 8.跨导
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
100
90
80
10
9
8
7
V
DS
= 300V
I
D
= 18A
I
G
= 10毫安
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
70
V
的s
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
60
50
40
30
20
10
0
0.4
0.5
0.6
0.7
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- 伏特
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. M的Axim ü米牛逼一个s ，即N t个牛逼 é R M人
再s是棕褐色的CE
1.00
图。 11.电容
10000
国际空间站
1000
电容 - 皮法
OSS
100
R
T H， J·C
-
C / W
30
35
40
0.10
F = 1MHz的
10
0
5
10
15
RSS
0.01
V
S
- 伏特
20
25
1
PULS ê宽度 - 米利斯EC哔声
10
100
1000
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
查看更多IXFR36N60PPDF信息
推荐型号
IRF740S
ICM7555IBA
IH5053MJE
ISPGAL22LV10-7LK
ICS1720M
IDT74FCT16270ATPAB
IDT709279L7GI
IDT7015S17GB
ISL6843
IRF7379
ISL28413FBZ-T13
IRKHF82-08FL
ILC6391CM-33
IDT29FCT53CLB
INA333AIDGKR
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IXFX180N15P
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