HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ,低吨
rr
, HDMOS
TM
家庭
IXFH 13 N50
V
DSS
= 500 V
IXFM 13 N50
I
D(续)
= 13 A
R
DS ( ON)
= 0.4
W
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / MS ,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±20
±30
13
52
13
18
5
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
AD TO- 247 ( IXFH )
( TAB )
TO- 204 AA ( IXFM )
D
G
W
°C
°C
°C
°C
G =门,
S =源,
D =排水,
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克, TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
q
q
q
q
q
q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
0.4
V
V
nA
mA
mA
W
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
应用
DC- DC转换器
不间断电源( UPS )
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
q
q
q
q
q
q
q
q
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
女士,
占空比
2 %
q
q
优势
易与1螺钉安装( TO- 247 )
(隔绝安装螺纹孔)
节省空间
高功率密度
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
91524D (10/95)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH 13N50
IXFH 13N50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
7.5
9.0
2800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
300
70
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
,
I
D
= 0.5 I
D25
, R
G
= 4.7
W
(外部)
27
76
32
110
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
15
40
30
40
100
60
120
25
50
0.7
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 ( IXFH )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ,
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
13
52
1.5
250
350
0.6
1.25
9
15
A
A
V
ns
ns
mC
mC
A
A
J
K
L
M
N
1.5 2.49
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
女士,
占空比
2 %
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
TO- 204 AA ( IXFM )大纲
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40 9.14
0.97 1.09
1.53 2.92
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 25.90
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4