HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
IXFH 13 N50
V
DSS
= 500 V
IXFM 13 N50
I
D（续）
= 13 A
R
DS （ ON）
= 0.4
W
t
rr
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±20
±30
13
52
13
18
5
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 204 AA （ IXFM ）
D
G
W
°C
°C
°C
°C
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
q
q
q
q
q
q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
0.4
V
V
nA
mA
mA
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
应用
DC- DC转换器
不间断电源（ UPS ）
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
q
q
q
q
q
q
q
q
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
q
q
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
91524D (10/95)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH 13N50
IXFH 13N50
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
7.5
9.0
2800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
300
70
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
,
I
D
= 0.5 I
D25
, R
G
= 4.7
W
（外部）
27
76
32
110
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
15
40
30
40
100
60
120
25
50
0.7
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
13
52
1.5
250
350
0.6
1.25
9
15
A
A
V
ns
ns
mC
mC
A
A
J
K
L
M
N
1.5 2.49
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
TO- 204 AA （ IXFM ）大纲
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
毫米
分钟。马克斯。
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40 9.14
0.97 1.09
1.53 2.92
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 25.90
英寸
分钟。马克斯。
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
QQ：2881677436 复制
