安捷伦IAM - 93516高线性度
集成的GaAs混频器
数据表
描述
安捷伦科技公司IAM-
93516是一款高线性度的GaAs
FET混频器采用0.5微米
增强型PHEMT
技术。该器件的房子
在一个3x3的LPCC包。该
IAM - 93516还内置LO
缓冲放大器和一个IF
服务于放大级
作为一个理想的解决方案
减少电路板空间，并
提供卓越的高IIP3 ，
增益和隔离用低
LO驱动功率。该装置是
设计有一个差动
配置，以提供良好的
抗干扰能力。 LO端口
是50欧姆的匹配，并且可以是
驱动差分或单
结束。级间匹配
混频器之间引入
和放大器级，以允许
在所希望的设备调谐
RF和LO频率。该
级间匹配可以是
简单的低通，高通或
中频陷阱。
放大器的输出端口是
200欧姆的匹配，并充分
差。简单
在RF端口匹配
提供了最佳的输入
回波损耗，噪声系数和
IIP3性能。
在IAM - 93516是理想
适用于频率下降
转换为基站
射频卡接收器，微波
链路接收器， MMDS ，
调制和解调
对于接收机和一般
用电阻FET混频器，
需要高线性度。
所有器件100 ％的RF和
DC测试。
应用
频率下变频器
基站射频卡，
微波链路的收发器，并
MMDS
调制和解调
接收器
通用电阻FET
混频器，用于其他高线性度
应用
特点
DC = 5V @ 111毫安（典型值）。
RF = 1.91千兆赫，针
RF
= -10 dBm的;
LO = 1.7千兆赫，引脚
LO
= 0 dBm的;
IF = 210 MHz的，除非另有
特定网络版
高线性度： 23.1 dBm的IIP3 （典型值）
转换增益：9.3 dB（典型）
低噪声系数： 11.6分贝
宽波段操作：
400-3000 MHz射频& LO输入
70 - 300 MHz的IF输出
全差分或单端
手术
高P1dB为19.3 dB（典型）
在稳定的射频性能
LO功率
低电流消耗： 5V @
111毫安典型
优异的均匀度在产品
特定网络阳离子
采用3mm x 3mm X 0.9毫米LPCC
包
MTTF > 300年
[1]
MSL - 1和无铅。
引脚连接和封装标识
级间匹配
VDD +
5
MIX_OUT + 3
2 RF +
1 IFA_IN +
VDD +
14
6
LO +
LO缓冲器
2
-
LO -
7
混频器
3pF
MIX_OUT -
11 RF - 12 IFA_IN -
280欧姆
3pF
扩音器
IF +
16
13
IF -
10
顶视图
注意：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“M2” =器件代码
的“x” =月代码表示制造月份
级间匹配
1.0绝对最大额定值
[1]
符号
V
D
针
RF
针
LO
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
电源电压
[2]
CW RF输入功率
CW LO输入功率
储存温度
热阻
[4]
[2]
[2]
单位
V
DBM
DBM
°C
°C
° C / W
绝对最大
7
30
18
150
-65到150
39
通道温度
注意事项：
1.操作该设备，这些参数中的任何一个以上的可能会造成永久性的损害。
2.立志在DC静态条件下和T
A
= 25°C.
3.委员会（包肚）温度T
B
为25℃ 。减免25毫瓦/°C，对于T
B
> 130 ℃。
利用红外成像方法和150测量4通道到电路板的热阻
o
C型液晶测量方法。
2.0产品一致性分发图
[5,6]
400
Stdev=0.74
180
150 STDEV = 0.14
频率
180
150 STDEV = 0.5
120
标准-3
+ 3标准
频率
300
频率
120
90
60
30
200
标准-3
3性病
90
60
30
0
标准-3
3性病
100
0
107
108
109
110
Id
111
112
113
114
0
8.8
9.0
9.2
9.4
9.6
9.8
21
22
23
24
25
图1.身份证（毫安）
[7]
额定= 111.2毫安
图2.增益（ dB）的
[8]
额定= 9.4分贝
图3的IIP3 （ dBm的）
[8]
额定= 23.1dBm
2
3.0 IAM - 93516电气规格
[6,8]
T
A
= 25
o
C， DC = 5V ， RF频率= 1.91GHz ，引脚
RF
= -10dBm ， LO频率= 1.7GHz的，针
LO
= 0dBm的（除非另有规定）
符号
Id
[7]
G
C
IIP3
[8]
NF
P1dB
RL
RF
RL
LO
RL
IF
ISOL
L-R
ISOL
L-1
ISOL
的r-升
参数和测试条件
器件的电流
转换增益
输出三阶截点
SSB噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
RF端口回波损耗
LO端口回波损耗
IF端口回波损耗
LO-RF隔离
LO- IF隔离
RF- IF隔离
单位
mA
dB
DBM
dB
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分钟。
95.0
7.9
20.5
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
111.2
9.4
23.1
11.6
19.3
12.0
20.0
11.0
26.0
20.0
32.0
马克斯。
125.0
10.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
注意事项：
5.分布数据样本大小是从3个不同的晶片拍取510样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
间的上限和下限的任何地方。
6.测量在生产测试板，它代表最佳增益， IIP3 ， NF ， P1dB为和隔离之间的权衡作出。董事会亏损
0.1分贝在RF输入和IF放大器的输出都得到了补偿。 0.57分贝的，将其从所述桃红的供给S-所得平衡 - 不平衡变换器的损失
参数文件也被补偿。总的IF放大器的输出损失0.67分贝。
7.器件电流的测量，而不LO信号。在LO =为0dBm ，目前约6降低到7毫安。
8.增益， P1dB为，隔离和回波损耗测试条件：F
RF
= 1.91GHz ，女
LO
= 1.7GHz的，女
IF
= 210MHz时钟频率下，针
RF
= -10dBm ，引脚
LO
=为0dBm 。
IIP3测试条件：F
RF1
= 1.91GHz ，女
RF2
= 1.89GHz ，女
LO
= 1.7GHz的，引脚
RF
= -10dBm ，引脚
LO
=为0dBm 。
4.0 IAM - 93516的典型表现
[9,10]
T
A
= 25
o
C， DC = 5V ， RF频率= 1.91GHz ，引脚
RF
= -10dBm ， LO频率= 1.7GHz的（除非另有说明）
1nH
39nH
22欧姆
18pF
0.4pF
LO +
1.5pF
级间匹配
40nH
平衡 - 不平衡变压器
TOKO B4F
617DB-1018
IF
3.3nH
1.5nH
RF
1.5pF
LO -
级间匹配
1nH
39nH
22欧姆
18pF
1000pF
3.3nH
1000pF
0.4pF
1.5pF
40nH
图4. IAM - 93516演示板原理图进行优化调整以F
RF
= 1.91GHz和F
LO
= 1.7GHz的
3
40
35
30
25
20
15
-14
25 C
-40 C
85 C
35
30
Isolation_LO_RF （ dB）的
Isolation_RF_IF （ dB）的
25
20
25 C
15
-40 C
85 C
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
10
-14
-12
-10
-8
LO功率（dBm ）
-6
-4
-2
LO功率（dBm ）
0
2
4
6
图11. RF- IF隔离与LO功率和温度
图12. LO- RF隔离与LO功率和温度
12
10
28
27
26
25
IIP3 （ dBm的）
转换增益（dB ）
8
6
4
2
0
1.6
24
23
22
21
20
19
LO = -3dBm
LO=0dBm
LO=3dBm
1.7
1.8
1.9
2
射频频率（ GHz）的
2.1
2.2
LO = -3dBm
LO=0dBm
LO=3dBm
1.7
1.8
1.9
射频频率（ GHz）的
2.0
2.1
2.2
18
1.6
图13.转换增益与频率的RF和LO功率为固定IF
频率
[11]
图14. IIP3主场迎战RF频率和LO功率为固定的中频频率
[11]
45
40
Isolation_LO_IF （ dB）的
26
24
22
Isolation_RF_IF （ dB）的
35
30
25
20
15
1.6
1.7
1.8
1.9
2
2.1
2.2
射频频率（ GHz）的
LO=-3dBm
LO=0dBm
LO=3dBm
20
18
16
14
12
10
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
LO频率（GHz ）
LO = -3dBm
LO=0dBm
LO=3dBm
图15. RF- IF隔离与频率的射频和LO功率为固定IF
频率
图16. LO- IF隔离与LO频率和LO功率为固定IF
频率
5
