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PD - 95970
IRG4BC30FD-SPbF
快CoPack IGBT
具有绝缘栅双极型晶体管
超快二极管
C
V
CES
= 600V
G
E
特点
??快速:用于中等工作频率优化
( 1-5千赫在硬开关, >20kHz在谐振模式下) 。
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代。
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快,超软
恢复反并联二极管对桥配置。
无铅
V
CE ( ON) (典型值) 。
=
1.59V
@V
GE
= 15V ,我
C
= 17A
N沟道
好处
第四代IGBT的报价最高的效率提供。
?? IGBT的具体应用条件进行了优化。
?? HEXFRED二极管与IGBT的性能进行了优化。
最小化的恢复特性要求少/无
不压井作业。
设计成为一个& ]下拉式& QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外IGBT的。
D
2
PAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流( Ref.Fig.C.T.5 )
钳位感性负载电流
马克斯。
600
31
17
120
120
12
120
±20
100
42
-55到+150
单位
V
A
d
c
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
V
W
°C
P
D
@ T
C
= 100 ° C最大功率耗散
热/机械特性
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到案例 - IGBT
案件到水槽,平面,脂表面
重量
结到环境( PCB安装,稳态)
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.50
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
1.2
–––
40
–––
单位
° C / W
g
克(盎司)。
www.irf.com
1
12/02/04
IRG4BC30FD-SPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE (ON)的
V
GE (日)
V
GE (日)
/T
J
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
集电极 - 发射极电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
e
分钟。典型值。马克斯。单位
600
3.0
6.1
0.69
1.59
1.99
1.7
-11
10
1.4
1.3
1.8
6.0
250
2500
1.7
1.6
±100
nA
V
V
V
条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安
I
C
= 17A
V
I
C
= 31A
I
C
= 17A ,T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
s V
CE
= 100V ,我
C
= 17A
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
f
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
I
F
= 12A
I
F
= 12A ,T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
参见图。 13
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
( REC )M
/ DT
总栅极电荷(导通)
门极 - 发射极电荷(导通)
栅极 - 集电极费(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。典型值。马克斯。单位
51
7.9
19
42
26
230
160
0.63
1.39
2.02
42
27
310
310
3.2
7.5
1100
74
14
42
80
3.5
5.6
80
220
180
120
77
12
28
350
230
3.9
60
120
6.0
10
180
600
nC
A
ns
pF
nH
ns
ns
nC
I
C
= 17A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
条件
参见图。 8
I
C
= 17A ,V
CC
= 480V
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
能量损失inlcude "tail"和
二极管的反向恢复。
毫焦耳参见图。 9 , 10 , 11 , 18
参见图。 9,10,11,18
I
C
= 17A ,V
CC
= 480V
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
能量损失inlcude "tail"和
毫焦耳二极管的反向恢复。
从包装测量5毫米
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1.0MHz的
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
A / μs的牛逼
J
= 25°C
T
J
= 125°C
参见图。
14
参见图。
15
参见图。
16
参见图。
17
的di / dt 200A / μs的
V
R
= 200V
I
F
= 12A
参见图。 7
T
J
= 150°C
2
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