IXFC14N60P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 14A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
6.0
0.6
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
14
42
1.5
A
A
V
参考文献： IXYS有限公司0177 R0
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
7
13
2500
215
13
23
27
70
26
36
16
12
0.21
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.00
° C / W
° C / W
ISOPLUS220
TM
（ IXFC ）大纲
V
DS
= 20V ，我
D
= 7A ，注1
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 7A
R
G
= 10Ω （外部）
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 7A
注意：
底部的散热片（引脚4）
从引脚电隔离
1,2，或3 。
200纳秒
nC
A
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFC14N60P
图。 1.输出特性
@ 25C
14
12
10
V
GS
= 10V
9V
30
27
24
21
8V
8
6
4
7V
2
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
7V
V
GS
= 10V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
18
15
12
9
6
8V
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
14
12
10
V
GS
= 10V
8V
3.2
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 7A价值
- 结温
V
GS
= 10V
2.8
R
DS （ ON）
- 归
2.4
I
D
= 14A
2.0
I
D
= 7A
1.6
1.2
0.8
I
D
- 安培
8
6
4
2
7V
6V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 7A价值
与漏电流
3.4
V
GS
= 10V
3.0
T
J
= 125C
图。 6，最大漏极电流与
外壳温度
9
8
7
R
DS （ ON）
- 归
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
I
D
- 安培
T
J
= 25C
6
5
4
3
2
1
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： T_14N60P （ 5J ） 08年12月22日-G
IXFC14N60P
图。 13.最大瞬态热阻抗
10.00
Z
（日） JC
- C / W
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2008 IXYS公司，保留所有权利。
IXYS REF ： T_14N60P （ 5J ） 08年12月22日-G
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