PD - 94381E
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
C
IRGB6B60KD
IRGS6B60KD
IRGSL6B60KD
V
CES
= 600V
I
C
= 7.0A ，T
C
=100°C
特点
低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术。
低二极管VF 。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
超软二极管的反向恢复特性。
积极的VCE（on ）温度系数。
G
E
t
sc
>为10μs ，T
J
=150°C
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
卓越的均流并联运行。
N沟道
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 1.8V
TO-220AB
IRGB6B60KD
D
2
PAK
IRGS6B60KD
马克斯。
600
13
7.0
26
26
13
7.0
26
± 20
90
36
-55到+150
TO-262
IRGSL6B60KD
单位
V
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流？
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
A
V
W
°C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
结到环境（ PCB安装，稳态）
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
–––
1.44
马克斯。
1.4
4.4
–––
62
40
–––
单位
° C / W
g
www.irf.com
1
8/18/04
IRG/B/S/SL6B60KD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压600 ---
温度COEFF 。的击穿电压0.3 ---
集电极 - 发射极饱和电压
1.5 1.80
––– 2.20
栅极阈值电压
3.5 4.5
温度COEFF 。阈值电压的-10 ---
正向跨导
––– 3.0
零栅极电压集电极电流
––– 1.0
––– 200
二极管的正向压降
––– 1.25
––– 1.20
门极 - 发射极漏电流
––– –––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 150 ° C）
2.20
V
I
C
= 5.0A ，V
GE
= 15V
2.50
I
C
= 5.0A ，V
GE
= 15V,
T
J
= 150°C
5.5
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 150 ° C）
–––
S
V
CE
= 50V ，我
C
= 5.0A ， PW =为80μs
150
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.45
I
C
= 5.0A
1.40
V
I
C
= 5.0A
T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
Ref.Fig 。
5, 6,7
9,10,11
9,10,11
12
8
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Qg
QGE
QGC
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
EREC
t
rr
I
rr
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏压安全Operting区
短路安全Operting区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Ref.Fig 。
MAX 。单位
条件
–––
I
C
= 5.0A
–––
nC
V
CC
= 400V
CT1
–––
V
GE
= 15V
CT4
210
J
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
245
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω ， L = 1.4mH
455
LS = 150nH
T
J
= 25°C
CT4
34
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
26
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω L = 1.4mH
230
ns
LS = 150nH ，T
J
= 25°C
22
CT4
260
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
13,15
300
J
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω ， L = 1.4mH
WF1WF2
560
LS = 150nH
T
J
= 150°C
14, 16
37
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
CT4
26
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω L = 1.4mH
255
ns
LS = 150nH ，T
J
= 150°C
WF1
27
WF2
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
–––
F = 1.0MHz的
4
T
J
= 150℃，我
C
= 26A ， VP = 600V
完整的正方形
V
CC
= 500V, V
GE
= + 15V为0V ，
R
G
= 100
CT2
CT3
s
T
J
= 150 ° C， VP = 600V ，R
G
= 100
10 ––– –––
WF4
V
CC
= 360V, V
GE
= + 15V至0V
17,18,19
––– 90 175
J
T
J
= 150°C
20, 21
––– 70
80
ns
V
CC
= 400V ，我
F
= 5.0A ，L = 1.4mH
CT4,WF3
––– 10
14
A
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω ， LS = 150nH
典型值。
18.2
1.9
9.2
110
135
245
25
17
215
13.2
150
190
340
28
17
240
18
290
34
10
注意：
to
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PD - 94381E
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
C
IRGB6B60KD
IRGS6B60KD
IRGSL6B60KD
V
CES
= 600V
I
C
= 7.0A ，T
C
=100°C
特点
低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术。
低二极管VF 。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
超软二极管的反向恢复特性。
积极的VCE（on ）温度系数。
G
E
t
sc
>为10μs ，T
J
=150°C
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
卓越的均流并联运行。
N沟道
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 1.8V
TO-220AB
IRGB6B60KD
D
2
PAK
IRGS6B60KD
马克斯。
600
13
7.0
26
26
13
7.0
26
± 20
90
36
-55到+150
TO-262
IRGSL6B60KD
单位
V
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流？
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
A
V
W
°C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
结到环境（ PCB安装，稳态）
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
–––
1.44
马克斯。
1.4
4.4
–––
62
40
–––
单位
° C / W
g
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1
8/18/04
IRG/B/S/SL6B60KD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压600 ---
温度COEFF 。的击穿电压0.3 ---
集电极 - 发射极饱和电压
1.5 1.80
––– 2.20
栅极阈值电压
3.5 4.5
温度COEFF 。阈值电压的-10 ---
正向跨导
––– 3.0
零栅极电压集电极电流
––– 1.0
––– 200
二极管的正向压降
––– 1.25
––– 1.20
门极 - 发射极漏电流
––– –––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 150 ° C）
2.20
V
I
C
= 5.0A ，V
GE
= 15V
2.50
I
C
= 5.0A ，V
GE
= 15V,
T
J
= 150°C
5.5
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 150 ° C）
–––
S
V
CE
= 50V ，我
C
= 5.0A ， PW =为80μs
150
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.45
I
C
= 5.0A
1.40
V
I
C
= 5.0A
T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
Ref.Fig 。
5, 6,7
9,10,11
9,10,11
12
8
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Qg
QGE
QGC
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
EREC
t
rr
I
rr
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏压安全Operting区
短路安全Operting区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Ref.Fig 。
MAX 。单位
条件
–––
I
C
= 5.0A
–––
nC
V
CC
= 400V
CT1
–––
V
GE
= 15V
CT4
210
J
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
245
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω ， L = 1.4mH
455
LS = 150nH
T
J
= 25°C
CT4
34
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
26
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω L = 1.4mH
230
ns
LS = 150nH ，T
J
= 25°C
22
CT4
260
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
13,15
300
J
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω ， L = 1.4mH
WF1WF2
560
LS = 150nH
T
J
= 150°C
14, 16
37
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
CT4
26
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω L = 1.4mH
255
ns
LS = 150nH ，T
J
= 150°C
WF1
27
WF2
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
–––
F = 1.0MHz的
4
T
J
= 150℃，我
C
= 26A ， VP = 600V
完整的正方形
V
CC
= 500V, V
GE
= + 15V为0V ，
R
G
= 100
CT2
CT3
s
T
J
= 150 ° C， VP = 600V ，R
G
= 100
10 ––– –––
WF4
V
CC
= 360V, V
GE
= + 15V至0V
17,18,19
––– 90 175
J
T
J
= 150°C
20, 21
––– 70
80
ns
V
CC
= 400V ，我
F
= 5.0A ，L = 1.4mH
CT4,WF3
––– 10
14
A
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω ， LS = 150nH
典型值。
18.2
1.9
9.2
110
135
245
25
17
215
13.2
150
190
340
28
17
240
18
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