IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
14安培低端超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护在整个
工作范围
高峰值输出电流： 14A峰值
宽工作电压范围： 4.5V至25V
高容性负载
驱动能力： 15nF的<30ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
概述
该IXDI414 / IXDN414是一种高速高电流的栅极驱动器
专门设计用于驱动的最大MOSFET和IGBT
他们最小的开关时间和最大的实际
频率限制。该IXDI / N414能源和汇的14A
少峰值电流而产生电压上升和下降时间
比为30ns ，以驱动最新IXYS MOSFET的&的IGBT 。该
驾驶员的输入与TTL兼容或CMOS ，并充分
免疫闭锁在整个工作范围内。设计
小的内部延迟，正在申请专利的电路几乎
消除晶体管的跨导和当前拍摄
通过。提高速度和驱动能力都进一步
通过非常低的增强，匹配的上升和下降时间。
该IXDN414被配置作为一个非反相栅极驱动器和
该IXDI414是一个反相栅极驱动器。
该IXDN414 / IXDI414全家都在标准的8引脚可用
P- DIP （ PI ） ， 5引脚TO -220 （ CI ， CM）和TO -263 （YI ， YM ）
表面贴装封装。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
图1 - IXDN414 14A非反向栅极驱动器功能框图
VCC
VCC
P
IN
防跨
传导
电路*
OUT
N
GND
GND
*专利申请中
版权所有 IXYS公司2001年
首次发行
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
图2 - IXDI414反相14A栅极驱动器功能框图
VCC
VCC
P
IN
防跨
传导
电路*
OUT
N
GND
GND
引脚说明与配置
符号
VCC
IN
OUT
功能
电源电压
输入
产量
描述
正电源电压输入。该引脚提供电源
整个芯片。范围此电压为4.5V至25V 。
输入信号TTL或CMOS兼容。
驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过一个连接
外部电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚
提供了整个芯片的接地参考。该引脚应
连接到低噪声模拟地平面，以获得最佳
性能。
1
2
3
4
5
VCC
OUT
GND
IN
NC
GND
地
九，二维X 4 1 4 Y I
九，二维X 4 1 4 C I
1 VCC
2年
3 NC
4 GND
I
X
D
X
4
1
4
VCC 8
出7
出6
GND 5
8引脚DIP （ PI ）
TO220 （ CI ， CM ）
TO263 （YI ， YM ）
订购信息
型号封装类型温度。范围
CON组fi guration
IXDN414PI
8引脚PDIP
-40 ° C至+ 85°C
IXDN414CI
5引脚TO- 220
IXDN414CM 5引脚TO- 220
-55 ° C至+ 125 ° C非反相
IXDN414YI
5引脚TO- 263
-40 ° C至+ 85°C
IXDN414YM
5引脚TO- 263
-55 ° C至+ 125°C
IXDI414PI
8引脚PDIP
-40 ° C至+ 85°C
IXDI414CI
5引脚TO- 220
IXDI414CM
5引脚TO- 220
-55 ° C至+ 125°C反相
IXDI414YI
5引脚TO- 263
-40 ° C至+ 85°C
IXDI414YM
5引脚TO- 263
-55 ° C至+ 125°C
注意：
安装或所有包焊片被连接到地
*专利申请中
2
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
功耗
T
例
≤85
C： TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
T
例
≤125
C： TO220 （ CM ） ， TO263 （ YM ）
16W
16W
975mW
2W
7.6mW /摄氏度
0.1W /摄氏度
工作额定值
参数
最高结温
工作温度范围
价值
150oC
-40oC至85oC
热阻抗（结到外壳）
TO220 （ CI ， CM ） ，
0.55oC/W
TO263 （YI ， YM ） （ θ
JC
)
价值
25V
-0.3V到
V CC + 0.3V
功耗，T
环境
≤25
摄氏度
8引脚PDIP （ PI ）
TO220 （ CI ， CM ） ， TO263 （YI ， YM ）
降额因子（到环境）
8引脚PDIP （ PI ）
TO220 （ CI ， CM ） ， TO263 （YI ， YM ）
储存温度
焊接焊接温度
（最多10秒）
-65 ℃至150℃
300摄氏度
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
25V .
所有电压测量相对于GND 。设备配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
(1)
上升时间
下降时间
(1)
测试条件
民
3.5
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
V
CC
为18V
8引脚DIP （ PI ）
（由PKG功耗有限公司）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
600
600
14
3
4
27
25
33
34
25
3
10
10
1000
1000
V
m
m
A
A
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
22
20
30
31
18
1
0
导通时间的传播
(1)
延迟
关断时间的传播
(1)
延迟
电源电压
电源电流
(1)
请参阅图3a和3b
注1 ：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数的设备可能会造成永久性损坏设备。
典型值指示该装置的目的是功能性的条件，但不保证特定的性能极限。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。长期在绝对最大额定条件下工作会
影响器件的可靠性。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序时，
和装配组件。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
3
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
图3a - 特性测试图
5.0V
0V
10uF
25V
VCC
0V
IXDI414
VCC
0V
IXDN414
15nF
安捷伦1147A
电流探头
图3b - 时序图
非反相（ IXDN414 ）时序图
5V
90%
输入2.5V
10%
0V
t
ONDLY
PW
民
t
R
t
OFFDLY
t
F
VCC
90%
产量
10%
0V
反相（ IXDI414 ）时序图
5V
90%
输入2.5V
10%
0V
t
ONDLY
VCC
90%
产量
10%
0V
PW
民
t
F
t
OFFDLY
t
R
4
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
典型性能特性
图。 4
40
上升时间与电源电压
图。五
40
下降时间与电源电压
30
CL = 15000 pF的
30
上升时间（纳秒）
下降时间（纳秒）
20
7500 pF的
20
CL = 15000 pF的
7500 pF的
10
3600 pF的
10
3600 pF的
0
8
10
12
14
16
18
0
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
图。 6
40
35
40
30
25
电源电压（ V）
图。 7
50
上升和下降时间与外壳温度
C
L
= 15 nF的，V
cc
= 18V
上升时间与负载电容
8V
10V
12V
t
R
上升时间（纳秒）
时间（纳秒）
t
F
20
15
10
30
18V
14V 16V
20
10
5
0
-40
0
0k
-20
0
20
40
60
80
100
120
5k
10k
15k
20k
温度（℃）
图。 8
40
负载电容（PF ）
图。 9
3.2
3.0
下降时间与负载电容
最大/最小输入与外壳温度
V
CC
= 18V
L
=15nF
14V 12V
30
8V
10V
2.8
最小输入高电平
最大/最小输入电压（V ）
2.6
2.4
2.2
2.0
下降时间（纳秒）
16V18V
20
最大输入低电平
10
1.8
1.6
-60
0
0k
-40
-20
0
20
40
60
80
100
5k
10k
15k
20k
负载电容（PF ）
5
温度（
o
C)
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
14安培低端超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护在整个
工作范围
高峰值输出电流： 14A峰值
宽工作电压范围： 4.5V至25V
高容性负载
驱动能力： 15nF的<30ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
概述
该IXDI414 / IXDN414是一种高速高电流的栅极驱动器
专门设计用于驱动的最大MOSFET和IGBT
他们最小的开关时间和最大的实际
频率限制。该IXDI / N414能源和汇的14A
少峰值电流而产生电压上升和下降时间
比为30ns ，以驱动最新IXYS MOSFET的&的IGBT 。该
驾驶员的输入与TTL兼容或CMOS ，并充分
免疫闭锁在整个工作范围内。设计
小的内部延迟，正在申请专利的电路几乎
消除晶体管的跨导和当前拍摄
通过。提高速度和驱动能力都进一步
通过非常低的增强，匹配的上升和下降时间。
该IXDN414被配置作为一个非反相栅极驱动器和
该IXDI414是一个反相栅极驱动器。
该IXDN414 / IXDI414全家都在标准的8引脚可用
P- DIP （ PI ） ， 5引脚TO -220 （ CI ， CM）和TO -263 （YI ， YM ）
表面贴装封装。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
图1 - IXDN414 14A非反向栅极驱动器功能框图
VCC
VCC
P
IN
防跨
传导
电路*
OUT
N
GND
GND
*专利申请中
版权所有 IXYS公司2001年
首次发行
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
图2 - IXDI414反相14A栅极驱动器功能框图
VCC
VCC
P
IN
防跨
传导
电路*
OUT
N
GND
GND
引脚说明与配置
符号
VCC
IN
OUT
功能
电源电压
输入
产量
描述
正电源电压输入。该引脚提供电源
整个芯片。范围此电压为4.5V至25V 。
输入信号TTL或CMOS兼容。
驱动器输出。对于应用程序而言，这个引脚通过一个连接
外部电阻的MOSFET / IGBT的栅极。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚
提供了整个芯片的接地参考。该引脚应
连接到低噪声模拟地平面，以获得最佳
性能。
1
2
3
4
5
VCC
OUT
GND
IN
NC
GND
地
九，二维X 4 1 4 Y I
九，二维X 4 1 4 C I
1 VCC
2年
3 NC
4 GND
I
X
D
X
4
1
4
VCC 8
出7
出6
GND 5
8引脚DIP （ PI ）
TO220 （ CI ， CM ）
TO263 （YI ， YM ）
订购信息
型号封装类型温度。范围
CON组fi guration
IXDN414PI
8引脚PDIP
-40 ° C至+ 85°C
IXDN414CI
5引脚TO- 220
IXDN414CM 5引脚TO- 220
-55 ° C至+ 125 ° C非反相
IXDN414YI
5引脚TO- 263
-40 ° C至+ 85°C
IXDN414YM
5引脚TO- 263
-55 ° C至+ 125°C
IXDI414PI
8引脚PDIP
-40 ° C至+ 85°C
IXDI414CI
5引脚TO- 220
IXDI414CM
5引脚TO- 220
-55 ° C至+ 125°C反相
IXDI414YI
5引脚TO- 263
-40 ° C至+ 85°C
IXDI414YM
5引脚TO- 263
-55 ° C至+ 125°C
注意：
安装或所有包焊片被连接到地
*专利申请中
2
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
功耗
T
例
≤85
C： TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
T
例
≤125
C： TO220 （ CM ） ， TO263 （ YM ）
16W
16W
975mW
2W
7.6mW /摄氏度
0.1W /摄氏度
工作额定值
参数
最高结温
工作温度范围
价值
150oC
-40oC至85oC
热阻抗（结到外壳）
TO220 （ CI ， CM ） ，
0.55oC/W
TO263 （YI ， YM ） （ θ
JC
)
价值
25V
-0.3V到
V CC + 0.3V
功耗，T
环境
≤25
摄氏度
8引脚PDIP （ PI ）
TO220 （ CI ， CM ） ， TO263 （YI ， YM ）
降额因子（到环境）
8引脚PDIP （ PI ）
TO220 （ CI ， CM ） ， TO263 （YI ， YM ）
储存温度
焊接焊接温度
（最多10秒）
-65 ℃至150℃
300摄氏度
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 4.5V
≤
V
CC
≤
25V .
所有电压测量相对于GND 。设备配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
(1)
上升时间
下降时间
(1)
测试条件
民
3.5
典型值
最大
0.8
单位
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- 0.025
V
CC
+ 0.3
10
0.025
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 18V
V
CC
为18V
8引脚DIP （ PI ）
（由PKG功耗有限公司）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
C
L
= 15nF VCC = 18V
4.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
CC
600
600
14
3
4
27
25
33
34
25
3
10
10
1000
1000
V
m
m
A
A
A
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
22
20
30
31
18
1
0
导通时间的传播
(1)
延迟
关断时间的传播
(1)
延迟
电源电压
电源电流
(1)
请参阅图3a和3b
注1 ：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数的设备可能会造成永久性损坏设备。
典型值指示该装置的目的是功能性的条件，但不保证特定的性能极限。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。长期在绝对最大额定条件下工作会
影响器件的可靠性。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序时，
和装配组件。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
3
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
图3a - 特性测试图
5.0V
0V
10uF
25V
VCC
0V
IXDI414
VCC
0V
IXDN414
15nF
安捷伦1147A
电流探头
图3b - 时序图
非反相（ IXDN414 ）时序图
5V
90%
输入2.5V
10%
0V
t
ONDLY
PW
民
t
R
t
OFFDLY
t
F
VCC
90%
产量
10%
0V
反相（ IXDI414 ）时序图
5V
90%
输入2.5V
10%
0V
t
ONDLY
VCC
90%
产量
10%
0V
PW
民
t
F
t
OFFDLY
t
R
4
IXDN414PI / N414CI / N414CM / N414YI / N414YM
IXDI414PI / I414CI / I414CM / I414YI / I414YM
典型性能特性
图。 4
40
上升时间与电源电压
图。五
40
下降时间与电源电压
30
CL = 15000 pF的
30
上升时间（纳秒）
下降时间（纳秒）
20
7500 pF的
20
CL = 15000 pF的
7500 pF的
10
3600 pF的
10
3600 pF的
0
8
10
12
14
16
18
0
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
图。 6
40
35
40
30
25
电源电压（ V）
图。 7
50
上升和下降时间与外壳温度
C
L
= 15 nF的，V
cc
= 18V
上升时间与负载电容
8V
10V
12V
t
R
上升时间（纳秒）
时间（纳秒）
t
F
20
15
10
30
18V
14V 16V
20
10
5
0
-40
0
0k
-20
0
20
40
60
80
100
120
5k
10k
15k
20k
温度（℃）
图。 8
40
负载电容（PF ）
图。 9
3.2
3.0
下降时间与负载电容
最大/最小输入与外壳温度
V
CC
= 18V
L
=15nF
14V 12V
30
8V
10V
2.8
最小输入高电平
最大/最小输入电压（V ）
2.6
2.4
2.2
2.0
下降时间（纳秒）
16V18V
20
最大输入低电平
10
1.8
1.6
-60
0
0k
-40
-20
0
20
40
60
80
100
5k
10k
15k
20k
负载电容（PF ）
5
温度（
o
C)
