IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
14
2.7
7.8
单身
D
特点
250
1.1
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR224 / SiHFR224 ）
直铅（ IRFU224 / SiHFU224 ）
可用磁带和卷轴
快速开关
易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
第三代功率MOSFET组成的Vishay提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波solderig技术。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224PbF
SiHFR224-E3
IRFR224
SiHFR224
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224TRPbF
a
SiHFR224T-E3
a
IRFR224TR
a
SiHFR224T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224TRLPbF
a
SiHFR224TL-E3
a
IRFR224TRL
a
SiHFR224TL
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU224PbF
SiHFU224-E3
IRFU224
SiHFU224
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
250
± 20
3.8
2.4
15
0.33
0.020
130
3.8
4.2
42
2.5
4.8
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
文档编号： 91271
S-挂起-REV 。 A， 17军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
符号
T
J
, T
英镑
极限
- 55至+ 150
260
d
单位
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ;起始物为
J
= 25 ° C，L = 14 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 3.8 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
3.8 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1 “方形板（ FR-4或G- 10材料）。
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
-
马克斯。
50
110
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 2.3 A
b
250
-
2.0
-
-
-
-
1.5
-
0.36
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.1
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
260
77
15
-
-
-
7.0
13
20
12
4.5
7.5
-
-
-
14
2.7
7.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.4 A，V
DS
= 200 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= 125 V，I
D
= 4.4 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 28
Ω,
参见图。 10
B，C
-
-
-
-
-
S
G
www.vishay.com
2
文档编号： 91271
S-挂起-REV 。 A， 17军08
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
200
0.93
3.8
A
15
1.8
400
1.9
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.8 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 4.4 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
文档编号： 91271
S-挂起-REV 。 A， 17军08
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
www.vishay.com
3
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
www.vishay.com
4
文档编号： 91271
S-挂起-REV 。 A， 17军08
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
变化
t
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
t
p
V
DD
D.U.T.
I
AS
10
V
t
p
0.01
Ω
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
www.vishay.com
5
V
DS
+
-
V
DD
V
DS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
文档编号： 91271
S-挂起-REV 。 A， 17军08
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
14
2.7
7.8
单身
D
特点
250
1.1
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR224 / SiHFR224 ）
直铅（ IRFU224 / SiHFU224 ）
可用磁带和卷轴
快速开关
易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
第三代功率MOSFET组成的Vishay提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波solderig技术。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224PbF
SiHFR224-E3
IRFR224
SiHFR224
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224TRPbF
a
SiHFR224T-E3
a
IRFR224TR
a
SiHFR224T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224TRLPbF
a
SiHFR224TL-E3
a
IRFR224TRL
a
SiHFR224TL
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU224PbF
SiHFU224-E3
IRFU224
SiHFU224
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
250
± 20
3.8
2.4
15
0.33
0.020
130
3.8
4.2
42
2.5
4.8
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
www.kersemi.com
1
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
符号
T
J
, T
英镑
极限
- 55至+ 150
260
d
单位
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ;起始物为
J
= 25 ° C，L = 14 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 3.8 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
3.8 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1 “方形板（ FR-4或G- 10材料）。
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
-
马克斯。
50
110
3.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.3 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 2.3 A
b
250
-
2.0
-
-
-
-
1.5
-
0.36
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.1
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
260
77
15
-
-
-
7.0
13
20
12
4.5
7.5
-
-
-
14
2.7
7.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.4 A，V
DS
= 200 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= 125 V，I
D
= 4.4 A,
R
G
= 18
Ω,
R
D
= 28
Ω,
参见图。 10
B，C
-
-
-
-
-
S
G
www.kersemi.com
2
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
200
0.93
3.8
A
15
1.8
400
1.9
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.8 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 4.4 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
www.kersemi.com
3
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
www.kersemi.com
4
IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
变化
t
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
t
p
V
DD
D.U.T.
I
AS
10
V
t
p
0.01
Ω
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
www.kersemi.com
5
V
DS
+
-
V
DD
V
DS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
