3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
特点
◆
◆
◆
IDT71V424S
IDT71V424L
描述
该IDT71V424是组织了4,194,304位高速静态RAM
为512K X 8.采用IDT的高性能比较，高可靠性制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种高具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。
该IDT71V424有一个输出使能引脚，以最快的速度运行
为5ns ，有地址的访问时间以最快的速度为10ns 。所有的双向输入和
在IDT71V424的输出为TTL兼容和操作是从一个
3.3V单电源供电。全静态异步电路时，需要
无时钟或刷新操作。
该IDT71V424封装在一个36引脚， 400万塑料SOJ和44-
针， 400万TSOP 。
◆
◆
◆
◆
◆
512K ×8先进的高速CMOS静态RAM
JEDEC中心电源/ GND引脚排列，可降低噪音
平等的机会和周期时间
- 商业和工业10/ 12 / 15ns的
单3.3V电源
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
TTL兼容
通过芯片取消低功耗
可提供36引脚， 400万塑料SOJ包装，
44针， 400万TSOP 。
功能框图
A
0
A
18
地址
解码器
4,194,304-BIT
存储阵列
I / O
0
- I / O
7
8
I / O控制
8
8
WE
OE
CS
控制
逻辑
3622 DRW 01
2004年7月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-3622/06
IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
引脚配置
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I / O 0
I / O 1
V
DD
V
SS
I / O 2
I / O 3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I / O 7
I / O 6
V
SS
V
DD
I / O 5
I / O 4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
3622 DRW 02
引脚配置
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/00
I/01
V
DD
V
SS
I/02
I/03
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SO44-2
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/07
I/06
V
SS
V
DD
I/05
I/04
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
SO36-1
SOJ
顶视图
TSOP
顶视图
引脚说明
A
0
– A
18
CS
WE
OE
I / O
0
- I / O
7
V
DD
V
SS
地址输入
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
3.3V电源
地
输入
输入
输入
输入
I / O
动力
GND
3622 TBL 02
3622 DRW 11
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
7
8
单位
pF
pF
3622 TBL 03
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
真值表
(1,2)
CS
L
L
L
H
V
HC
(3)
OE
L
X
H
X
X
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3622 TBL 01
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
-0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤V
LC
.
6.42
2
IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
电源电压相对于
V
SS
端电压相对
到V
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
-55到+125
-55到+125
1
50
单位
V
V
o
o
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3622 TBL 05
C
C
W
mA
3622 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(2)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
DD
+0.3
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3622 TBL 06
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
注意事项：
1. V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2V的脉宽小于5ns的，每循环一次。
2. V
IL
（分） = -2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
DC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
IDT71V424
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
=最大，V
IN
= V
SS
到V
DD
V
DD
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
MAX 。 UNIT
5
5
0.4
___
A
A
V
V
3622 TBL 07
2.4
DC电气特性
(1, 2, 3)
(V
DD
=分钟。至最大，V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
– 0.2V)
71V424S / L 10
符号
I
CC
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
LC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(4)
动态待机电源电流
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(4)
全部备用电源电流（静态）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值， F = 0
(4)
S
L
S
L
S
L
Com'l 。
180
165
60
55
20
10
IND 。
(5)
180
___
71V424S / L 12
Com'l 。
170
155
55
50
20
10
IND 。
(5)
170
155
55
50
20
10
71V424S / L 15
单位
Com'l 。
160
145
50
45
20
10
IND 。
(5)
160
145
50
45
20
10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3622 TBL 08
60
___
I
SB
20
___
I
SB1
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2.所有输入0.2V （低）和V之间的切换
DD
- 0.2V （高） 。
3.电源规格是初步。
4. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
仅5标准功率为10ns （ S10 ）的速度等级。
6.42
3
IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
参见图1 ，图2和3
3622 TBL 09
AC测试负载
+1.5V
50
I / O
Z
0
= 50
30pF
3622 DRW 03
3.3V
320
数据
OUT
5pF*
350
3622 DRW 04
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
7
6
t
AA,
t
ACS
（典型， NS ） 5
4
3
2
1
8 20
40
60 80 100 120 140 160 180 200
电容（pF）
图3.输出电容降额
3622 DRW 05
6.42
4
IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 3.3V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
71V424S/L10
(2)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
写使能在高阻输出
10
8
8
0
8
0
6
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
71V424S/L12
分钟。
马克斯。
71V424S/L15
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
10
____
____
____
12
____
____
____
15
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
4
____
4
____
4
____
5
5
____
6
6
____
7
7
____
____
____
____
0
____
0
____
0
____
5
____
6
____
7
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
____
____
____
10
12
15
12
8
8
0
8
0
6
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
15
10
10
0
10
0
7
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3622 TBL 10
____
____
____
6
7
7
注意事项：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
2 0 ° C至仅适用于低功耗为10ns （ L10 ）速度等级+ 70 ° C温度范围。
6.42
5
3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
特点
◆
◆
◆
IDT71V424S
IDT71V424L
描述
该IDT71V424是组织了4,194,304位高速静态RAM
为512K X 8.采用IDT的高性能比较，高可靠性制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种高具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。
该IDT71V424有一个输出使能引脚，以最快的速度运行
为5ns ，有地址的访问时间以最快的速度为10ns 。所有的双向输入和
在IDT71V424的输出为TTL兼容和操作是从一个
3.3V单电源供电。全静态异步电路时，需要
无时钟或刷新操作。
该IDT71V424封装在一个36引脚， 400万塑料SOJ和44-
针， 400万TSOP 。
◆
◆
◆
◆
◆
512K ×8先进的高速CMOS静态RAM
JEDEC中心电源/ GND引脚排列，可降低噪音
平等的机会和周期时间
- 商业和工业10/ 12 / 15ns的
单3.3V电源
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
TTL兼容
通过芯片取消低功耗
可提供36引脚， 400万塑料SOJ包装，
44针， 400万TSOP 。
功能框图
A
0
A
18
地址
解码器
4,194,304-BIT
存储阵列
I / O
0
- I / O
7
8
I / O控制
8
8
WE
OE
CS
控制
逻辑
3622 DRW 01
2004年7月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-3622/06
IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
引脚配置
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I / O 0
I / O 1
V
DD
V
SS
I / O 2
I / O 3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I / O 7
I / O 6
V
SS
V
DD
I / O 5
I / O 4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
3622 DRW 02
引脚配置
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/00
I/01
V
DD
V
SS
I/02
I/03
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SO44-2
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/07
I/06
V
SS
V
DD
I/05
I/04
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
SO36-1
SOJ
顶视图
TSOP
顶视图
引脚说明
A
0
– A
18
CS
WE
OE
I / O
0
- I / O
7
V
DD
V
SS
地址输入
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
3.3V电源
地
输入
输入
输入
输入
I / O
动力
GND
3622 TBL 02
3622 DRW 11
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
7
8
单位
pF
pF
3622 TBL 03
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
真值表
(1,2)
CS
L
L
L
H
V
HC
(3)
OE
L
X
H
X
X
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3622 TBL 01
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
-0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤V
LC
.
6.42
2
IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
电源电压相对于
V
SS
端电压相对
到V
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
-55到+125
-55到+125
1
50
单位
V
V
o
o
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3622 TBL 05
C
C
W
mA
3622 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(2)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
DD
+0.3
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3622 TBL 06
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
注意事项：
1. V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2V的脉宽小于5ns的，每循环一次。
2. V
IL
（分） = -2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
DC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
IDT71V424
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
=最大，V
IN
= V
SS
到V
DD
V
DD
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
MAX 。 UNIT
5
5
0.4
___
A
A
V
V
3622 TBL 07
2.4
DC电气特性
(1, 2, 3)
(V
DD
=分钟。至最大，V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
– 0.2V)
71V424S / L 10
符号
I
CC
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
LC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(4)
动态待机电源电流
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(4)
全部备用电源电流（静态）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值， F = 0
(4)
S
L
S
L
S
L
Com'l 。
180
165
60
55
20
10
IND 。
(5)
180
___
71V424S / L 12
Com'l 。
170
155
55
50
20
10
IND 。
(5)
170
155
55
50
20
10
71V424S / L 15
单位
Com'l 。
160
145
50
45
20
10
IND 。
(5)
160
145
50
45
20
10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3622 TBL 08
60
___
I
SB
20
___
I
SB1
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2.所有输入0.2V （低）和V之间的切换
DD
- 0.2V （高） 。
3.电源规格是初步。
4. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
仅5标准功率为10ns （ S10 ）的速度等级。
6.42
3
IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
参见图1 ，图2和3
3622 TBL 09
AC测试负载
+1.5V
50
I / O
Z
0
= 50
30pF
3622 DRW 03
3.3V
320
数据
OUT
5pF*
350
3622 DRW 04
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
7
6
t
AA,
t
ACS
（典型， NS ） 5
4
3
2
1
8 20
40
60 80 100 120 140 160 180 200
电容（pF）
图3.输出电容降额
3622 DRW 05
6.42
4
IDT71V424S ， IDT71V424L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 512K ×8位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 3.3V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
71V424S/L10
(2)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
写使能在高阻输出
10
8
8
0
8
0
6
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
71V424S/L12
分钟。
马克斯。
71V424S/L15
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
10
____
____
____
12
____
____
____
15
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
4
____
4
____
4
____
5
5
____
6
6
____
7
7
____
____
____
____
0
____
0
____
0
____
5
____
6
____
7
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
____
____
____
10
12
15
12
8
8
0
8
0
6
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
15
10
10
0
10
0
7
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3622 TBL 10
____
____
____
6
7
7
注意事项：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
2 0 ° C至仅适用于低功耗为10ns （ L10 ）速度等级+ 70 ° C温度范围。
6.42
5
