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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第9页 > IXBH10N170
高电压，高增益
BIMOSFET
TM
单片
双极型晶体管MOS
初步数据表
IXBH 10N170
IXBT 10N170
V
CES
= 1700 V
I
C25
=
20 A
V
CE （ SAT ）
= 3.8 V
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 33
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
1700
1700
±20
±30
20
10
40
I
CM
=
20
V
CES
= 1350
140
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
V
V
V
V
A
A
A
A
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
TO- 268 （ IXBT ）
G
E
（ TAB ）
的TO- 247的AD
（ IXBH ）
G
C（ TAB ）
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
G =门，
E =发射器，
特点
高阻断电压
JEDEC TO -268表面
JEDEC TO- 247 AD
低传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
应用
交流电机调速
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
电容放电电路
优势
高功率密度
适于表面安装
易与1个螺丝安装，
（隔绝安装螺纹孔）
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
最高选项卡下的10秒贴片焊接设备
M
d
重量
安装扭矩（ M3 ） （ TO- 247 ）
的TO- 247的AD
TO-268
1.13/10Nm/lb.in.
6
4
g
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1700
0.10
3.0
- 0.24
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
%/K
5.0
V
%/K
10
100
±100
T
J
= 125°C
3.4
4.1
3.8
A
A
nA
V
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
= 250
A,
V
GE
= 0 V
温度系数
I
C
= 250
A,
V
CE
= V
GE
温度系数
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
版权所有 2003 IXYS所有权利。
DS99048(05/03)
IXBH 10N170
IXBT 10N170
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
4.0
6.5
700
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
40
12
30
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
6
10
35
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 56
28
500
1000
6
35
28
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 56
0.7
600
1200
8
S
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.89 K / W
TO- 268外形
e
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
(TO-247)
0.25
K / W
反向二极管
符号
V
F
I
RM
t
rr
测试条件
I
F
t
I
F
v
R
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3.0
10
360
V
A
ns
= I
C90
, V
GE
= 0 V ，脉冲测试，
< 300我们，占空比 < 2 ％
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 50 A /美
= 100 V
闵推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
IXBH 10N170
IXBT 10N170
图。 1.输出特性
@ 25度。
20
1
8
1
6
V
摹ê
= 17V
15V
13V
11V
9V
70
60
50
V
摹ê
= 17V
15V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25度。
I
C
- 安培
1
2
1
0
8
6
4
2
0
1
2
3
4
I
C
- 安培
1
4
40
30
20
1
0
0
1
3V
11V
7V
9V
7V
5
6
0
2
4
6
8
1
0
1
2
1
4
1
6
V
权证
- 伏特
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125度。
20
1
8
1
6
1
4
V
GE
= 17V
15V
13V
11V
9V
1
.8
图。 V 4.温度依赖性
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15V
V
权证（SAT）
- 归
1
.6
1
.4
1
.2
I
C
= 16A
1
0.8
0.6
I
C
= 32A
I
C
- 安培
1
2
1
0
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
6
7V
I
C
= 8A
-50
-25
0
25
50
75
1
00
1
25
1
50
7
8
V
权证
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与栅极至Emiiter电压
1
0
9
8
T
J
= 25
C
20
1
7.5
1
5
图。 6.输入导纳
V
权证
- 伏特
7
6
5
4
3
5A
2
6
7
8
9
1
0
1
1
1
2
1
3
1
4
1
5
10A
I
C
= 20A
I
C
- 安培
1
2.5
1
0
7.5
5
2.5
0
4
5
6
7
8
9
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
V
摹ê
- 伏特
版权所有 2003 IXYS所有权利。
V
摹ê
- 伏特
IXBH 10N170
IXBT 10N170
图。 7.跨导
9
8
7
T
J
= -40
C
25
C
125
C
25
30
图。 8.正向电压降
征二极管
T
J
= 25
C
g
F小号
- 西门子
6
5
4
3
2
1
0
0
2.5
5
7.5
1
0
1
2.5
1
5
1
7.5
20
I
F
- 安培
20
1
5
1
0
5
0
0.5
1
1
.5
2
2.5
3
T
J
= 125
C
I
C
- 安培
V
F
- 伏特
图。 9.依赖的E
关闭
R上
G
1
5
1
4
1
3
I
C
= 20A
1
5
1
4
1
3
图。 10.依赖的E
关闭
关于我
C
T
J
= 125
C
V
摹ê
= 15V
V
权证
= 1360V
E
关闭
- 毫焦耳
E
关闭
- 毫焦耳
1
2
1
1
1
0
9
8
7
0
1
2
R
G
= 100欧姆
1
1
1
0
9
8
7
R
G
= 10欧姆
T
J
= 125
C
V
GE
= 15V
V
权证
= 1360V
I
C
= 10A
20
R
G
- 欧姆
40
60
80
1
00
1
0
1
2
1
4
1
6
1
8
20
I
C
- 安培
图。 11.依赖的E
关闭
温度
1
7
1
5
因此，盖线 - R的
G
= 100欧姆
虚线 - R的
G
= 10欧姆
1
5
图。 12.栅极电荷
1
2
V
权证
= 600V
I
C
= 10A
I
G
= 10毫安
E
关闭
- 毫焦耳
V
摹ê
- 伏特
1
3
I
C
= 20A
1
1
9
7
5
0
25
50
75
1
00
1
25
1
50
V
摹ê
= 15V
V
权证
= 1360V
I
C
= 10A
9
6
3
0
0
5
1
0
1
5
20
25
30
T
J
- 摄氏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
Q
G
- nanocoulombs
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
IXBH 10N170
IXBT 10N170
图。 13.最大瞬态热
阻力
1
C I ES
0.9
F = 100万赫兹
0.8
图。 12.电容
1
000
电容 - pF的
R
（ TH） J·C
- （ C / W）
0.7
0.6
0.5
0.4
1
00
OES
RES
1
0
0
5
1
0
1
5
20
25
30
35
40
0.3
0.2
1
1
0
1
00
1
000
V
权证
- 伏特
脉冲宽度 - 毫秒
版权所有 2003 IXYS所有权利。
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推荐型号
IRF2204STRL
IP7812G
IL711-2
ICSSSTUF32864AYHLF-T
IDT542541DTQB
IDT70V7519S
ISL6522ACBZ
IRKNF111-04DM
ISD33120PD
IDT70V9369L7PF
IT127-TO71
IDT71257S35CB
ISL4485
ICS840021AGIT
IDT7130SA25TFGI
IDT54FCT2827DTL
IDT72240
IRKL57-10A
ISD33075SD
IN74ACT245
供货商
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    IXBH10N170
    -
    -
    -
    -
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IXBH10N170
IXYS(艾赛斯)
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18000
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只做原装 正品现货
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IXYS/艾赛斯
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2025+
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【原装优势★★★绝对有货】
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