IDT54 / 74FCT827AT / BT / CT / DT ， IDT54 / 74FCT2827AT / BT / CT
高性能CMOS缓冲器
军用和商用温度范围
FAST CMOS 10位
缓冲器
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT827AT/BT/CT/DT
IDT54/74FCT2827AT/BT/CT
产品特点：
共同的特点：
低输入和输出泄漏
≤1A
（ MAX 。 ）
- CMOS功率水平
- 真正的TTL输入和输出的兼容性
– V
OH
= 3.3V （典型值）。
– V
OL
= 0.3V （典型值）。
- 符合或超过JEDEC标准规格18
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
和DESC上市（双标）
- 提供DIP ， SOIC ， SSOP ， QSOP ， CERPACK
和LCC封装
特点为FCT827T ：
- A， B，C和D的速度等级
- 高驱动输出（ -15mA我
OH
， 48毫安我
OL
)
特点为FCT2827T ：
- A， B和C的速度等级
- 电阻输出（ -15mA我
OH
， 12毫安我
OL
COM 。 ）
（ -12mA我
OH
， 12毫安我
OL
MIL ）。
降低系统的开关噪声
描述：
该FCT827T采用先进的双金属CMOS建
技术。
该FCT827T / FCT2827T 10位总线驱动器提供高
高性能总线接口缓冲宽数据/地址
路径或巴士载校验。 10位缓冲器具有NAND-
ED输出使获得最大的控制灵活性。
所有FCT827T高性能接口家人都
设计用于高电容负载驱动能力，而
在两个输入端提供低电容总线负载和
输出。所有输入都有钳位二极管接地，所有输出
低电容总线负载在高阻抗的设计
ANCE状态。
该FCT2827T具有平衡输出驱动器电流
限流电阻。这提供了较低的地面反弹，最小
冲和控制输出下降时间，减少了
对于外部串联终端电阻。 FCT2827T零件
插件替代FCT827T部分。
功能框图
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
OE
1
OE
2
2573 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1995
集成设备技术有限公司
1995年8月
DSC-4217/5
6.22
6.22
1
1
IDT54 / 74FCT827AT / BT / CT / DT ， IDT54 / 74FCT2827AT / BT / CT
高性能CMOS缓冲器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
指数
2573 DRW 02
D
8
D
9
GND
NC
OE
2
Y
9
Y
8
OE
1
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3 P24-1
4 D24-1
5 SO24-2
6 SO24-7
7 SO24-8
＆放大器;
8
E24-1
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
OE
2
D
2
D
3
D
4
NC
D
5
D
6
D
7
4 3 2
1 28 27 26
25
5
24
6
23
7
8
22
L28-1
9
21
20
10
19
11
1213 14 15 16 17 18
D
1
D
0
OE
1
NC
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
NC
Y
5
Y
6
Y
7
2573 DRW 03
DIP / SOIC / SSOP / QSOP / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
引脚说明
名字
I / O
功能表
(1)
输入
产量
D
I
L
H
X
X
Y
I
L
H
Z
Z
功能
透明
三态
2573 TBL 02
OE
I
D
I
Y
I
I
I
O
描述
当双方都低的输出
启用。当任一或两者都是
高电平的输出是高Z。
10位数据输入。
10位的数据输出。
2573 TBL 01
OE
1
L
L
H
X
OE
2
L
L
X
H
注意：
1. H =高电平，L =低，X =无关， Z =高阻抗
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
V
TERM(2)
端电压
-0.5到+7.0
关于
GND
V
TERM(3)
端电压
-0.5到
关于
V
CC
+0.5
GND
T
A
操作
0至+70
温度
T
BIAS
温度
-55到+125
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125
温度
P
T
功耗
0.5
I
OUT
DC输出
当前
-60到+120
军事
-0.5到+7.0
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
OUT
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
MAX 。 UNIT
10
pF
12
pF
2573 LNK 04
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
-60到+120
V
°C
°C
°C
W
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
2573 LNK 03
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。没有端子电压可能超过
V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
6.22
2
IDT54 / 74FCT827AT / BT / CT / DT ， IDT54 / 74FCT2827AT / BT / CT
高性能CMOS缓冲器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
I
I
V
IK
V
H
I
CC
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
(4)
输入低电平电流
(4)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(4)
输入高电流
(4)
钳位二极管电压
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
—
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
CC
=最大，V
I
= V
CC
（ MAX 。 ）
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
200
0.01
马克斯。
—
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
–1.2
—
1
单位
V
V
A
A
A
V
mV
mA
2573 LNK 05
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
输出驱动特性，可以用于FCT827T
符号
V
OH
参数
输出高电压
测试条件
(1)
V
CC
=最小值。
I
OH
= -6mA MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8mA COM'L 。
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
=最小值。
I
OL
= 32毫安MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 48毫安COM'L 。
(3)
V
CC
=最大，V
O
= GND
分钟。
2.4
2.0
—
–60
典型值。
(2)
3.3
3.0
0.3
–120
马克斯。
—
—
0.5
–225
单位
V
V
V
mA
2573 LNK 06
V
OL
I
OS
输出低电压
短路电流
输出驱动特性，可以用于FCT2827T
符号
I
ODL
I
ODH
V
OH
V
OL
参数
输出低电流
输出高电流
输出高电压
输出低电压
测试条件
(1)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
OUT
= 1.5V
(3)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
OUT
= 1.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
I
OL
= 12毫安
分钟。
16
–16
2.4
—
典型值。
(2)
48
–48
3.3
0.3
马克斯。
—
—
—
0.50
单位
mA
mA
V
V
2573 LNK 07
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.测试限制这个参数是
±5A
在T
A
= –55°C.
6.22
3
IDT54 / 74FCT827AT / BT / CT / DT ， IDT54 / 74FCT2827AT / BT / CT
高性能CMOS缓冲器
军用和商用温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
1
=
OE
2
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
分钟。
—
—
—
典型值。
(2)
0.5
0.15
0.06
马克斯。
2.0
0.25
0.12
单位
mA
毫安/
兆赫
动态电源电流
(4)
V
IN
= V
CC
FCT827T
V
IN
= GND
FCT2827T
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
FCT827T
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
0.6
1.8
0.9
3.0
1.2
5.0
3.2
3.5
2.2
4.5
3.2
6.0
(5)
3.4
(5)
14.0
(5)
11.4
(5)
mA
V
IN
= GND FCT2827T
V
IN
= 3.4V
FCT827T
OE
1
=
OE
2
= GND
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
V
IN
= GND FCT2827T
V
IN
= V
CC
FCT827T
V
IN
= GND FCT2827T
V
IN
= 3.4V
FCT827T
OE
1
=
OE
2
= GND
八位切换
V
IN
= GND FCT2827T
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP /
2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2573 TBL 08
6.22
4
IDT54 / 74FCT827AT / BT / CT / DT ， IDT54 / 74FCT2827AT / BT / CT
高性能CMOS缓冲器
军用和商用温度范围
开关特性在工作范围
FCT827AT/FCT2827AT
Com'l 。
符号
参数
条件
(1)
分钟。
(2)
马克斯。
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
FCT827BT/FCT2827BT
Com'l 。
分钟。
(2)
马克斯。
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
单位
t
PLH
t
PHL
传播延迟
D
I
为Y
I
t
PZH
t
PZL
输出使能时间
OE
I
为Y
I
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
OE
I
为Y
I
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(3)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(3)
R
L
= 500
C
L
= 5pF的
(3)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
8.0
15.0
12.0
23.0
9.0
10.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
9.0
17.0
13.0
25.0
9.0
10.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
5.0
13.0
8.0
15.0
6.0
7.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
6.5
14.0
9.0
16.0
7.0
8.0
ns
ns
ns
2573 TBL 09
FCT827CT/FCT2827CT
Com'l 。
符号
参数
条件
(1)
分钟。
(2)
马克斯。
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
Com'l 。
分钟。
(2)
FCT827DT
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
单位
马克斯。
t
PLH
t
PHL
传播延迟
D
I
为Y
I
t
PZH
t
PZL
输出使能时间
OE
I
为Y
I
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
OE
I
为Y
I
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(3)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(3)
R
L
= 500
C
L
= 5pF的
(3)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.4
10.0
7.0
14.0
5.7
6.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
5.0
11.0
8.0
15.0
6.7
7.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
3.8
7.5
5.0
9.0
4.3
4.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
注意事项：
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证，但不是在传输延迟测试。
3.这些条件保证，但未经测试。
2573 TBL 10
6.22
5
QQ：2880707522 复制
