【CMOS SyncFIFO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8,1024 ×8 ， 2】,IC型号IDT72240,IDT72240 PDF资料,IDT72240经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMOS SyncFIFO

64 x 8, 256 x 8, 512 x 8,

1024 ×8 ， 2048 ×8和4096 ×8个

集成设备技术有限公司

IDT72420

IDT72200

IDT72210

IDT72220

IDT72230

IDT72240

产品特点：

64× 8位组织（ IDT72420 ）

256 ×8位组织（ IDT72200 ）

512 ×8位组织（ IDT72210 ）

1024 ×8位组织（ IDT72220 ）

2048× 8位组织（ IDT72230 ）

4096 ×8位组织（ IDT72240 ）

12纳秒读取/写入周期时间（ IDT72420 /七万二千二百十分之七万二千二百）

15纳秒读取/写入周期时间（ IDT72220 /七万二千二百四分之七万二千二百三）

读写时钟可以是异步或

巧合

双口零落空时体系结构

空和满标志信号FIFO状态

设置为空+ 7几乎空，几乎满标志和

全7 ，分别

输出使能输出数据总线的高阻抗

状态

制作与先进的亚微米CMOS技术

可提供28引脚300密耳的塑料DIP和300万

陶瓷DIP

表面贴装产品请查看IDT72421 /

72201/72211/72221/72231/72241数据表

军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类

工业级温度范围（ -40

O

C至+ 85

O

C）是

可用，测试军事电气规范

描述：

该IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十分之七万二千二百三十

SyncFIFO 是非常高速，低功耗的先入，第一代

出（FIFO）存储器与时钟的读写控制。

该IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十分之七万二千二百三十有64 ，

256 ， 512 ， 1024 ， 2048 ，和4096× 8位的存储阵列， respec-

tively 。这些FIFO适用于各种数据的

缓冲的需要，如图形，局域网

（局域网），和处理器间通信。

这些FIFO中有8位的输入和输出端口。输入

端口由一个自由运行的时钟（ WCLK ）和写控制

使能引脚（ WEN）。数据被写入到同步FIFO

在每个时钟周期时，文中断言。的输出端口是

由另一个时钟引脚（ RCLK ）和读使能控制引脚

（ REN）。读时钟可连接到写时钟为单

时钟操作或两个时钟可以运行一个异步

另一种为双时钟运行。输出使能引脚（ OE ）是

设置在读出端口的输出的三态控制。

这些同步FIFO有两个终点标志，空

（ EF ）和满（ FF ）。两部分的标志，几乎空（ AE）和

几乎完全（ AF）中，提供了改进的系统控制。

部分（AE）标记被设置到空+ 7和全-7进行自动曝光和

AF分别。

该IDT72420 /七万二千二百一十分之七万二千二百/ 72230分之72220 / 72240顷fabri-

采用IDT的高速亚微米CMOS技术标识。

军用级产品的制造符合

MIL -STD- 883 ， B类的最新版本

功能框图

WCLK

D0 - D7

文

输入寄存器

旗

逻辑

RAM阵列

64 x 8

256 x 8

512 x 8

写控制

逻辑

EF

AE

AF

FF

写指针

读指针

读控制

逻辑

输出寄存器

复位逻辑

RCLK

RS

OE

Q0 - Q7

任

2680 DRW 01

IDT标志为注册商标， SyncFIFO是集成设备技术公司的商标。

军用和商用温度范围

1996

集成设备技术有限公司

有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。

1996年11月

DSC-2680/6

5.12

1

IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO

64 ×8 ， 256× 8 ， 512× 8,1024 ×8 ， 2048× 8和4096 ×8

军用和商用温度范围

引脚配置

D4

D3

D2

D1

D0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

DIP TOP

意见

P28-2

C28-1

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

D5

D6

D7

RS

文

WCLK

VCC

Q7

Q6

Q5

Q4

Q3

Q2

Q1

2680 DRW 02

AF

AE

GND

RCLK

任

OE

EF

FF

Q0

引脚说明

符号

D

0

- D

7

名字

数据输入

RESET

I / O

I

描述

数据输入，一个8位总线。

当

RS

被设置为低，内部读和写指针被设置为RAM的第一位置

阵，

FF

和

AF

变为高电平，并且

AE

和

EF

变低。最初的写操作之前，需要进行重置

上电后。

数据被写入FIFO的WCLK当低到高的转变

文

为有效。

当

文

为低电平时，数据被写入FIFO的WCLK每低到高的转变。

数据将不被写入到FIFO中，如果

FF

是低的。

数据输出为8位总线。

数据从FIFO中读取RCLK时的低到高的转变

任

为有效。

当

任

为低电平时，数据从FIFO中读取RCLK每低到高的转变。

数据将不会被从FIFO读出，如果

EF

是低的。

当

OE

为低电平时，数据输出总线是有效的。如果

OE

为高电平时，输出的数据总线将在一个

高阻抗状态。

当

EF

为低时，所述的FIFO是空的，进一步的数据读出从输出被抑制。当

EF

为高电平时， FIFO不为空。

EF

同步到RCLK 。

当

AE

为LOW时，FIFO几乎是空的基于偏移空+ 7。

AE

同步

到RCLK 。

当

AF

为低电平时，FIFO几乎充满基于偏移全-7。

WCLK 。

RS

WCLK

写时钟

写使能

数据输出

读时钟

读使能

OUTPUT ENABLE

空标志

几乎空

旗

几乎满标志

满标志

动力

地

I

O

I

O

文

Q

0

- Q

7

RCLK

任

OE

EF

AE

AF

FF

V

CC

GND

AF

被同步到

当

FF

为低电平时，FIFO为满并且进一步的数据写入到输入被禁止。当

FF

is

HIGH时，FIFO未满。

FF

同步到WCLK 。

一个+5伏电源引脚。

一0伏接地引脚。

2680 TBL 01

5.12

2

IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO

64 ×8 ， 256× 8 ， 512× 8,1024 ×8 ， 2048× 8和4096 ×8

军用和商用温度范围

绝对最大额定值

(1)

符号

V

TERM

等级

军事

-0.5 + 7.0

单位

V

端电压-0.5 + 7.0

关于

GND

操作

0至+ 70

温度

-55 + 125

在偏置

存储

-55 + 125

温度

DC输出

50

当前

推荐工作条件

符号

V

CCM

V

CCC

GND

V

IH

V

IH

V

IL

参数

军用电源电压

供应商

电压

电源电压

输入高电压

军事

输入低电压

商业&军事

分钟。

4.5

0

2.0

2.2

—

典型值。

5.0

0

—

马克斯。

5.5

0

—

0.8

单位

V

2680 TBL 03

2680 TBL 02

T

A

T

BIAS

T

英镑

I

OUT

注意：

-55 + 125

-65到+ 135

50

°C

mA

电容

(T

A

= + 25°C ， F = 1.0兆赫）

符号

C

在（2）

参数

输入电容

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

10

单位

pF

2680 TBL 04

1.强调超过绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值

该器件在这些或任何其它的条件和功能操作

超过上述业务部门所标明的这个规范

不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作

期间可能会影响其可靠性。

C

输出（ 1 ，2）

输出电容

注意事项：

1.输出取消。（

OE

=高）

2.特征值，而不是目前的测试。

DC电气特性

（商业： V

CC

= 5V

±

10%, T

A

= 0 ° C至+ 70°C ;军事： V

CC

= 5V

±

10%, T

A

= -55 ° C至+ 125°C ）

IDT72420

IDT72200

IDT72210

t

CLK

= 12，15 ，20，25 ，35， 50纳秒

分钟。

典型值。

马克斯。

–1

–10

2.4

—

1

10

—

0.4

80

IDT72420

IDT72200

IDT72210

军事

t

CLK

= 20， 25,35 ， 50纳秒

分钟。

典型值。

马克斯。

–10

2.4

—

10

—

0.4

100

符号

I

LI(1)

I

LO(2)

V

OH

V

OL

I

CC1(3)

参数

输入漏电流（任何输入）

输出漏电流

输出逻辑“1”的电压，I

OH

= -2毫安

输出逻辑“ 0 ”电压，I

OL

= 8毫安

有源电源电流

单位

A

V

mA

2680 TBL 05

符号

I

LI(1)

I

LO(2)

V

OH

V

OL

I

CC1(4)

参数

输入漏电流（任何输入）

输出漏电流

输出逻辑“1”的电压，I

OH

= -2毫安

输出逻辑“ 0 ”电压，I

OL

= 8毫安

有源电源电流

IDT72220

IDT72230

IDT72240

t

CLK

= 15 ，20，25 ，35， 50纳秒

分钟。

典型值。

马克斯。

–1

–10

2.4

—

1

10

—

0.4

80

IDT72220

IDT72230

IDT72240

军事

t

CLK

= 25 ，35， 50纳秒

分钟。

典型值。

马克斯。

–10

2.4

—

10

—

0.4

100

单位

A

V

mA

2680 TBL 06

注意事项：

1.测量0.4

≤

V

IN

≤

V

CC

.

2.

OE

≥

V

IH

, 0.4

≤

V

OUT

≤

V

CC

.

3 & 4 。

测量是用卸载输出。经测试，在f

CLK

= 20 MH

Z

.

（ 3 ）典型I

CC1

= 30 + (f

CLK

* 0.5 /兆赫） + （六

CLK

*C

L

* 0.02 / MHz的- pF）的毫安

（ 4 ）典型I

CC1

= 32 + (f

CLK

* 0.6 /兆赫） + （六

CLK

*C

L

* 0.02 / MHz的- pF）的毫安

f

CLK

= 1 / t

CLK

C

L

=外部容性负载（ 30 pF的典型值）

5.12

3

IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO

64 ×8 ， 256× 8 ， 512× 8,1024 ×8 ， 2048× 8和4096 ×8

军用和商用温度范围

AC电气特性

（商业： V

CC

= 5V

±

10%, T

A

= 0 ° C至+ 70°C ;军事： V

CC

= 5V

±

10%, T

A

= -55 ° C至+ 125°C ）

通信。 &米尔。

72200L12 72200L15 72200L20 72200L25

72210L12 72210L15 72210L20 72210L25

72420L12 72420L15 72420L20 72420L25

符号

f

S

t

A

t

CLK

t

CLKH

t

CLKL

t

DS

t

DH

t

ENS

t

ENH

t

RS

t

RSS

t

RSR

t

RSF

t

OLZ

t

OE

t

OHZ

t

WFF

t

REF

t

AF

t

AE

参数

时钟周期频率

数据访问时间

时钟周期时间

时钟高电平时间

时钟低电平时间

数据建立时间

数据保持时间

使建立时间

能保持时间

复位脉冲

宽度

(1)

复位建立时间

复位恢复时间

重置为国旗和输出时间

输出使能，以在低Z输出

(2)

输出使能到输出有效

输出使能到输出高-Z

(2)

写时钟为全旗

读时钟为空标志

写时钟，以几乎满标志

读时钟到几乎空标志

— 83.3

2

12

5

3

0.5

3

0.5

12

—

0

3

—

5

22

8

—

12

—

7

8

—

— 66.7

2

15

6

4

1

4

1

15

—

0

3

—

6

28

10

—

15

—

8

10

—

2

20

8

5

1

5

1

20

—

0

3

—

8

35

50

12

—

20

—

10

12

—

3

25

10

6

1

6

1

25

—

0

3

—

10

40

15

—

25

—

13

15

—

通信。

72200L35

72210L35

72420L35

— 28.6

3

35

14

8

2

8

2

35

—

0

3

—

12

42

20

—

35

—

15

20

—

通讯/英里

72200L50

72210L50

72420L50

Min.Max 。单位

— 20

3

25

50 —

20 —

10 —

2

—

10 —

50 —

— 50

0

3

—

28

兆赫

ns

MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。

— 30

15 —

45 —

t

SKEW1

读时钟&之间的偏移时间

写时钟为空标志&满标志

t

SKEW2

读时钟&之间的偏移时间

写时钟为几乎空标志&

几乎满标志

注意事项：

1.脉冲宽度小于最小值是不允许的。

2.价值由设计保证，目前尚未进行测试。

2680 TBL 07

5.12

4

IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO

64 ×8 ， 256× 8 ， 512× 8,1024 ×8 ， 2048× 8和4096 ×8

军用和商用温度范围

AC电气特性

（商业： V

CC

= 5V

±

10%, T

A

= 0 ° C至+ 70°C ;军事： V

CC

= 5V

±

10%, T

A

= -55 ° C至+ 125°C ）

72220L12

72220L15

72230L12

72230L15

72240L12

72240L15

分钟。马克斯。分钟。马克斯。

—

2

12

5

3

.5

3

.5

(1)

符号参数

fS

tA

TCLK

TCLKH

TCLKL

TDS

TDH

TENS

tENH

TRS

TRSS

TRSR

TRSF

TOLZ

TOE

tOHZ

tWFF

TREF

TAF

TAE

时钟周期频率

数据访问时间

时钟周期时间

时钟高电平时间

时钟低电平时间

数据建立时间

数据保持时间

使建立时间

能保持时间

复位脉冲宽度

商业&军事

72220L20

72220L25

72230L20

72230L25

72240L20

72240L25

分钟。马克斯。分钟。马克斯。

—

2

20

8

5

1

5

1

20

—

0

3

—

8

50

12

—

20

—

10

12

—

3

25

10

6

1

6

1

25

—

0

3

—

10

40

15

—

25

—

13

15

—

通信。

72220L35

72230L35

72240L35

分钟。马克斯。

—

3

35

14

8

2

8

2

35

—

0

3

—

12

28.6

20

—

35

—

15

20

—

通讯/米尔。

72220L50

72230L50

72240L50

分钟。马克斯。

—

3

50

20

10

2

10

2

50

—

0

3

—

15

20

25

—

50

—

23

30

—

单位

兆赫

ns

83.3

8

—

12

—

7

8

—

2

15

6

4

1

4

1

15

—

0

3

—

6

66.7

10

—

15

—

8

10

—

12

—

0

3

(2)

复位建立时间

复位恢复时间

重置为国旗和输出时间

输出使能，以在低Z输出

(2)

输出使能到输出有效

输出使能到输出高-Z

写时钟为全旗

读时钟为空标志

写时钟，以几乎满标志

读时钟到几乎空标志

3

—

5

读时钟之间tSKEW1偏移时间

&写时钟为空标志&

满标志

读时钟&之间tSKEW2偏移时间

写时钟为几乎空标志

&几乎满标志

22

—

28

—

35

—

40

—

42

—

45

—

ns

注意事项：

1.脉冲宽度小于最小值是不允许的。

2.价值由设计保证，目前尚未进行测试。

2680 TBL 08

5V

1.1K

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升/下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

GND到3.0V

3ns

1.5V

见图1

2680 TBL 09

D.U.T.

680

30pF*

2680 DRW 03

或等效电路

图1.输出负载

*包括夹具和范围电容。

5.12

5

CMOS SyncFIFO

64 x 8, 256 x 8,

512 x 8, 1,024 x 8,

2048 ×8 ，4096 ×8

产品特点：

IDT72420

IDT72200

IDT72210

IDT72220

IDT72230

IDT72240

描述：

该IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十分之七万二千二百三十SyncFIFO 很

高速，低功耗的先入先出（ FIFO ）存储器与时钟

读取和写入控制。这些器件具有64 ，256， 512 ， 1024 ， 2048 ，

和4096 ×8位的存储阵列，分别。这些FIFO适用

对于各种各样的数据缓冲的需要，如图形，当地

网（LAN ），和处理器间通信。

这些FIFO中有8位的输入和输出端口。输入端口是

通过一个自由运行的时钟（ WCLK ），和一个写控制的使能引脚（ WEN）。

数据被写入到同步FIFO在每个时钟周期当

文

is

断言。输出端口由另一个时钟引脚（ RCLK ）和一个控制

读使能引脚（ REN）。读时钟可以绑在写时钟为

单个时钟操作或两个时钟可以运行一个异步

另一种为双时钟运行。一输出使能引脚（OE ）设置在

对于输出的三态控制的读端口。

这些同步FIFO有两个端点标志，空（ EF ）和全

（FF）。两部分的标志，几乎空（ AE）和几乎全部（ AF ），是

提供改进的系统控制。部分（AE）标志被设置为

空+ 7和全7

AE

和

AF

分别。

这些FIFO使用IDT的高速亚微米CMOS捏造

技术。

64× 8位组织（ IDT72420 ）

256 ×8位组织（ IDT72200 ）

512 ×8位组织（ IDT72210 ）

1,024× 8位组织（ IDT72220 ）

2048 ×8位组织（ IDT72230 ）

4096 ×8位组织（ IDT72240 ）

10纳秒读取/写入周期时间（ IDT72420 /七万二千二百十分之七万二千二百/七万二千二百三十〇分之七万二千二百二十零/

72240)

读写时钟可以是异步还是巧合

双口零落空时体系结构

空和满标志信号FIFO状态

几乎空和几乎全部的标志设置为空+ 7和Full - 7 ，

分别

输出使能输出数据总线的高阻抗状态

制作与先进的亚微米CMOS技术

可提供28引脚300密耳的塑料DIP

表面贴装产品请查看IDT72421 / 72211分之72201 /

72221/72231/72241数据表

工业级温度范围（？ 40 ° C至+ 85°C ），可

°

绿色部分可用，请参阅订购信息

功能框图

D0 - D7

WCLK

文

输入寄存器

旗

逻辑

RAM阵列

64 x 8, 256 x 8,

512 x 8, 1,024 x 8,

2,048 x 8, 4,096 x 8

EF

AE

AF

FF

写控制

逻辑

写指针

读指针

读控制

逻辑

输出寄存器

复位逻辑

RCLK

RS

OE

Q0 - Q7

任

2680 drw01

IDT和IDT标志是集成设备技术，Inc的商标的SyncFIFO是集成设备技术公司的商标。

商业级温度范围

2006年2月

DSC-2680/4

2006

1

IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO

64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8, 2,048 x 8, 4,096 x 8

商业级温度范围

引脚配置

D4

D3

D2

D1

D0

AF

AE

GND

RCLK

任

OE

EF

FF

Q0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

D5

D6

D7

RS

文

WCLK

VCC

Q7

Q6

Q5

Q4

Q3

Q2

Q1

2680 drw02

薄塑料DIP （ P28-2 ，订货代码： TP ）

顶视图

引脚说明

符号

D

0

- D

7

RS

WCLK

文

Q

0

- Q

7

RCLK

任

OE

EF

AE

AF

FF

V

CC

GND

名字

数据输入

RESET

写时钟

写使能

数据输出

读时钟

读使能

OUTPUT ENABLE

空标志

几乎空标志

几乎满标志

满标志

动力

地

I / O

I

O

I

O

描述

数据输入，一个8位总线。

当

RS

置为低电平，内部读和写指针被设置到RAM阵列的第一位置，

FF

和

AF

go

高，并

AE

和

EF

变低。上电后最初的写操作之前，需要进行重置。

数据被写入FIFO的WCLK当低到高的转变

文

为有效。

当

文

为低电平时，数据被写入FIFO的WCLK每低到高的转变。数据将不被写入

到FIFO中，如果

FF

是低的。

数据输出为8位总线。

数据从FIFO中读取RCLK时的低到高的转变

任

为有效。

当

任

为低电平时，数据从FIFO中读取RCLK每低到高的转变。数据将不会被从读

FIFO中，如果

EF

是低的。

当

OE

为低电平时，数据输出总线是有效的。如果

OE

为高电平时，输出数据总线将处于高阻抗

状态。

当

EF

为低时，所述的FIFO是空的，进一步的数据读出从输出被抑制。当

EF

为高电平时，FIFO

是不是空的。

EF

同步到RCLK 。

当

AE

为LOW时，FIFO几乎是空的基于偏移空+ 7。

AE

同步到RCLK 。

当

AF

为低电平时，FIFO几乎充满基于偏移全-7。

AF

同步到WCLK 。

当

FF

为低电平时，FIFO为满并且进一步的数据写入到输入被禁止。当

FF

为高电平时， FIFO不

满。

FF

同步到WCLK 。

一个+5伏电源引脚。

一0伏接地引脚。

2

2006年2月10日

IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO

64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8, 2,048 x 8, 4,096 x 8

商业级温度范围

绝对最大额定值

(1)

符号

V

TERM

T

英镑

I

OUT

注意：

1.强调超过绝对最大额定值可能会导致

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作

该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能会影响其可靠性。

等级

与端电压

对于GND

储存温度

直流输出电流

Com'l & Ind'l

-0.5到+7.0

-55到+125

-50到+50

单位

V

°C

mA

推荐工作

条件

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

T

A

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

工作温度

分钟。

4.5

0

2.0

—

0

典型值。马克斯。

5.0

5.5

0

—

0

—

0.8

70

单位

V

°C

DC电气特性

（商业： V

CC

= 5V ±10 ％，T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C）

IDT72420

IDT72200

IDT72210

IDT72220

IDT72230

IDT72240

t

CLK

= 10，15， 25纳秒

典型值。

—

符号

I

LI

(1)

I

LO

(2)

V

OH

V

OL

I

CC1

(3,4,5)

I

CC2

(3,6)

参数

输入漏电流（任何输入）

输出漏电流

输出逻辑“1”的电压，I

OH

= -2毫安

输出逻辑“ 0 ”电压，I

OL

= 8毫安

有源电源电流

待机电流

分钟。

–1

–10

2.4

—

马克斯。

1

10

—

0.4

40

5

注意事项：

1.测量0.4

≤

V

IN

≤

V

CC

.

2.

OE

≥

V

IH ，

0.4

≤

V

OUT

≤

V

CC

.

3.测试与产出开放（I

OUT

= 0).

4. RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。

5.我典型

CC1

= 1.7 + 0.7*f

S

+ 0.02*C

L

*f

S

（单位为mA）。

这些方程是有效的在下列条件下：

V

CC

= 5V ，T

A

= 25

°

C，F

S

= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平），数据在f开关

S

/2, C

L

=容性负载（单位为pF ）。

6.所有输入= V

CC

- 0.2V或GND + 0.2V ，除RCLK和WCLK ，这在20 MHz的切换。

3

2006年2月10日

IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO

64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8, 2,048 x 8, 4,096 x 8

商业级温度范围

AC电气特性

（商业： V

CC

= 5V ±10 ％，T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C）

IDT72420L10

IDT72200L10

IDT72210L10

IDT72220L10

IDT72230L10

IDT72240L10

分钟。

马克斯。

—

100

2

10

4.5

3

0.5

3

0.5

10

8

—

0

2

—

4

10

6.5

—

10

—

6

6.5

—

IDT72420L15

IDT72200L15

IDT72210L15

IDT72220L15

IDT72230L15

IDT72240L15

分钟。

马克斯。

—

66.7

2

15

6

4

1

4

1

15

10

—

0

3

—

6

15

10

—

15

—

8

10

—

IDT72420L25

IDT72200L25

IDT72210L25

IDT72220L25

IDT72230L25

IDT72240L25

分钟。

马克斯。

—

40

2

25

10

6

1

6

1

15

—

0

3

—

10

18

15

—

25

—

13

15

—

符号

参数

时钟周期频率

f

S

t

A

t

CLK

t

CLKH

t

CLKL

t

DS

t

DH

t

ENS

t

ENH

t

RS

t

RSS

t

RSR

t

RSF

t

OLZ

t

OE

t

OHZ

t

WFF

t

REF

t

AF

t

AE

t

SKEW1

t

SKEW2

数据访问时间

时钟周期时间

时钟高电平时间

时钟低电平时间

数据建立时间

数据保持时间

使建立时间

能保持时间

复位脉冲宽度

(1)

复位设置时间

复位恢复时间

重置为国旗和输出时间

输出使能，以在低Z输出

(2)

输出使能到输出有效

输出使能到输出高-Z

(2)

写时钟为全旗

读时钟为空标志

写时钟，以几乎满标志

读时钟到几乎空标志

读时钟&写时钟之间的偏移时间

空标志&满标志

读时钟&写时钟之间的偏移时间

几乎空标志&几乎满标志

单位

兆赫

ns

注意事项：

1.脉冲宽度小于最小值是不允许的。

2.价值由设计保证，目前尚未进行测试。

电容

(T

A

= + 25°C ， F = 1.0兆赫）

符号

C

IN

(2)

(1, 2)

参数

输入电容

输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

10

单位

pF

D.U.T.

680

5V

1.1K

C

OUT

注意事项：

1.输出取消。（ OE

≥

VIH ）

2.特征值，而不是目前的测试。

30pF*

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升/下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

GND到3.0V

3ns

1.5V

见图1

4

2680 drw03

或等效电路

图1.输出负载

*包括夹具和范围电容。

2006年2月10日

IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO

64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8, 2,048 x 8, 4,096 x 8

商业级温度范围

信号说明

输入：

DATA IN （D

0

–D

7

)

- 为8位宽度的数据的数据输入端。

控制：

复位（RS） -

复位完成时复位（ RS ）输入

带到一个低状态。在复位过程中，内部读写指针

设置为所述第一位置。经过前写上电复位要求

操作可以发生。的满标志（ FF ）和几乎满标志（ AF ）会

被复位到高电平吨后

RSF

。空标志（ EF）和几乎空标志

（自动曝光）将被重置为低电平吨后

RSF

。在复位过程中，输出寄存器

初始化为全零。

写时钟（ WCLK ） -

写周期在低到高启动

写时钟（ WCLK ）的过渡。数据建立时间和保持时间必须满足

就在写时钟的低到高的转变。全旗

（ FF ）和几乎满标志（ AF）是相对于同步到LOW-

写时钟的到高的转变。

写和读时钟可以是异步或重合。

写使能（ WEN ） -

当写使能（ WEN ）为低电平时，数据可

被装入输入寄存器和RAM阵列上的低到高

每一个写时钟（ WCLK ）的过渡。数据被存储在RAM阵列中

顺序地和独立地为任何在外出时的读操作。

当写使能（ WEN ）为高电平，输入寄存器保持之前

数据并没有新的数据被允许加载到寄存器中。

为了防止数据溢出，满标志（ FF）将变低，抑制

进一步的写操作。当完成一个有效的读取周期中，全

标志（ FF）会去吨后高

WFF

，允许一个有效的写操作开始。写

使能（ WEN）将被忽略，当FIFO满。

读时钟（ RCLK ） -

数据可以被读出上的低到输出

读时钟（ RCLK ）高的过渡。空标志（ EF ）和

几乎空标志（AE）是相对于同步到低到高

读时钟的过渡。

写和读时钟可以是异步或重合。

读使能（REN ） -

当读使能（ REN）为低电平时，数据被读取

从RAM阵列到输出寄存器上的低到高的转变

读时钟（ RCLK ）。

当读使能（ REN ）为高电平时，输出寄存器保存

先前的数据，并没有新的数据被允许加载到寄存器中。

当所有的数据已被从FIFO中，空标志（ EF ）读会

变为低电平，抑制进一步的读取操作。一次有效的写操作具有

已经完成，空标志（ EF）将前往吨后高

REF

和一个有效

阅读可以开始。读使能（ REN）被忽略，当FIFO为空。

输出使能（ OE ） -

当输出使能（ OE ）有效（ LOW ）

在并行输出缓冲器的输出寄存器接收数据。当

输出使能（ OE ）被禁用（高电平）时，Q输出的数据总线是在高

阻抗状态。

输出：

满标志（ FF ） -

的满标志（ FF）将变低，抑制了进一步的写

操作中，当该装置是满的。如果没有读取复位后执行

（ RS ），在满标志（ FF）将变低64写的IDT72420 ， 256后

为IDT72200写道， 512写的IDT72210 ， 1024写的

IDT72220 ， 2048写的IDT72230 ，和4096写的IDT72240 。

的满标志（ FF），则相对于同步到低到高

写时钟（ WCLK ）的过渡。

空标志（ EF ） -

空标志（ EF）将变低，进一步抑制

读操作中，当读指针等于写指针，

指示设备是空的。

空标志（ EF ）相对于同步到低到高

读时钟（ RCLK ）的过渡。

几乎满标志（ AF ） -

在几乎满标志（ AF）将变为低电平时，

在FIFO达到几乎满状态。如果没有读出之后执行

复位（ RS ），在几乎满标志（ AF） 57后将变为低电平写的

IDT72420 ， 249写的IDT72200 ， 505写的IDT72210 ， 1017

为IDT72220写道， 2041写的IDT72230和4089写的

该IDT72240 。

在几乎满标志（ AF）相对于同步到低到

写时钟（ WCLK ）的高电平跳变。

几乎空标志（ AE ） -

在几乎空标志（ AE）将变低

当FIFO达到近空的条件。如果没有读操作

复位（ RS ）后进行，在几乎空标志（ AE）会后高

8写的IDT72420 ， IDT72200 ， IDT72210 ， IDT72220 ， IDT72230和

IDT72240.

概-空标志（AE）是相对于同步到LOW-

读时钟（ RCLK ）中到高的转变。

数据输出（Q

0

–Q

7

) —

数据输出为8位宽度的数据。

表1 ??的状态标志

IDT72420

0

1至7中

8 56

57至63

64

IDT72200

0

1至7中

8至248

249至255

256

词FIFO数

IDT72210

IDT72220

0

1至7中

8至504

505到511

512

0

1至7中

8到1016

1017 1023

1,024

IDT72230

0

1至7中

8 2,040

2041至2047

2,048

IDT72240

0

1至7中

8 4,088

4089至4095

4,096

FF

H

L

AF

H

L

AE

L

H

EF

L

H

5

2006年2月10日