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ISL6210

数据表

2006年11月28日

FN6392.0

初步

双同步整流MOSFET

DRIVERS

该ISL6210集成了两个ISL6208A司机，是

优化驱动两个独立的电源通道，

同步整流降压转换器拓扑结构。这些

驱动程序结合了Intersil的ISL62xx多相PWM

控制器形成一个完整的单级核心电压

高效率表现在高稳压器解决方案

开关频率为先进的微处理器。

该IC是由一个单一的低电源电压（5V）施力，

高MOSFET栅极驱动器最大限度地降低开关损耗

电容和高开关频率的应用。

每个驱动器能够驱动一个3nF的负载小于

10ns的上升/下降时间。上部栅极驱动器的自举是

通过内部的低正向压降的二极管来实现，

降低实施成本，复杂性，并且使

使用更高的性能，成本效益的N通道

的MOSFET。自适应贯通保护集成

以防止这两个MOSFET同时导通。

该ISL6210拥有4A典型的灌电流低

栅极驱动器，增强了下MOSFET的栅极压紧

在第一阶段的节点能力的上升沿，防止权力

所造成的损失自导通的下MOSFET的因

交换节点的高dV / dt 。

该ISL6210还具有输入识别一个高

阻抗状态，与Intersil的多相一起工作

PWM控制器，以防止在负的瞬变

受控的输出电压时，操作暂停。这

特性省去了肖特基二极管，它可

可以用在电力系统保护负载从

负输出电压的损害。

特点

四5V N沟道MOSFET驱动器的两

同步整流桥

自适应贯通保护

- 主动栅极阈值监测

- 可编程死区时间

0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力

支持高开关频率

- 快速输出上升和下降

- 超低三态拖延时间（为20ns ）

低V

内置自举二极管

低偏置电源电流

上电复位

QFN封装

- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平

没有信息，产品外形

- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板

效率和稀释剂的个人资料

无铅加退火有（符合RoHS ）

应用

核心电压供应为英特尔和AMD？

微处理器

高频薄型高效率DC / DC

转换器

大电流低电压DC / DC转换器

同步整流用于隔离型电源

订购信息

部分

数

（注）

ISL6210CRZ

部分

记号

温度。

范围

(°C)

包

（无铅）

PKG 。

DWG 。＃

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62 10CRZ -10到+100 16 Ld的4×4 QFN L16.4x4

ISL6210CRZ -T 62 10CRZ -10到+100 16 Ld的4×4 QFN L16.4x4

注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅

材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％

雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，

既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司

无铅产品分类MSL在无铅峰值回流

气温达到或超过的无铅要求

IPC / JEDEC J STD- 020 。

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

AMD是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL6210

引脚

ISL6210

（ 16 LD 4X4 QFN ）

顶视图

PHASE1

12 UGATE1

11 BOOT1

GND

PVCC 3

FCCM 4

保护地

LGATE2

PHASE2

10 BOOT2

UGATE2

PWM2

PWM1

GND 1

LGATE1 2

框图

ISL6210

PVCC

FCCM

BOOT1

UGATE1

VCC

拍摄开启

通过

保护

PHASE1

VCC

通道1

4.25K

PWM1

PVCC

LGATE1

保护地

VCC

控制

逻辑

保护地

BOOT2

UGATE2

PVCC

4.25K

PWM2

GND

拍摄开启

通过

保护

PHASE2

通道2

PVCC

LGATE2

保护地

PAD

QFN封装的底部垫

必须焊接到电路的接地。

FN6392.0

2006年11月28日

ISL6210

典型应用 - 多相转换器使用ISL6210栅驱动器

+5V

BOOT1

+12V

UGATE1

VCC

PHASE1

FCCM

双

司机

ISL6210

LGATE1

PVCC

+5V

BOOT2

+12V

+5V

VSEN

COMP

ISEN1

PGOOD

PWM1

PWM2

主要ISEN2

控制

ISL62xx

PWM1

PWM2

UGATE2

PHASE2

PAD

GND

LGATE2

VID

保护地

CORE

ISEN3

FCCM

PWM3

PWM4

GND

ISEN4

UGATE1

VCC

PHASE1

+5V

BOOT1

+12V

FCCM

双

司机

ISL6210

LGATE1

PVCC

+5V

BOOT2

+12V

UGATE2

PWM1

PWM2

LGATE2

PAD

GND

保护地

PHASE2

FN6392.0

2006年11月28日

ISL6210

绝对最大额定值

电源电压（ PVCC ， VCC ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至7V

输入电压（V

, V

PWM

）。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到VCC + 0.3V

BOOT电压（V

BOOT- GND

）。。。 -0.3V至33V （ DC ）或36V （ <200ns ）

引导到相电压（V

BOOT -PHASE

）。。。。。。 -0.3V至7V （ DC ）

-0.3V至9V （ <10ns ）

相电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V至30V （ DC ）

GND -8V （ <20ns脉冲宽度， 10μJ ）

UGATE电压。。。。。。。。。。。。。。。。 V

相

- 0.3V （ DC ）到V

BOOT

相

- 5V （ <20ns脉宽， 10μJ ）到V

BOOT

LGATE电压。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V （ DC ）到VCC + 0.3V

GND - 2.5V （ <20ns脉宽， 5μJ ）至VCC + 0.3V

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40 ° C至+ 125°C

HBM ESD额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2kV

热信息

热阻（注1及2 ）

（ ° C / W）

QFN封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。

8.5

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 - 65 ° C至+ 150°C

推荐工作条件

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 10 ° C至+ 100°C

最大工作结温。。。。。。。。。。。。。 + 125°C

电源电压VCC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5V

±10%

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。

“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。

电气规格

参数

电源电流

偏置电源电流

上电复位

POR上升

POR下降

迟滞

自举二极管

正向电压降

PWM输入

下沉阻抗

源阻抗

三态上升阈值

三态下降阈值

这些规范适用于对于T

= -10 ° C至+ 100 ° C，除非另有说明

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

μA

VCC

PWM引脚悬空，V

VCC

= 5V

170

2.6

3.4

3.0

400

4.2

PWM_SNK

PWM_SRC

VCC

= 5V ，正向偏置电流= 2毫安

0.3

0.60

0.7

8.0

8.3

VCC

= 5V

VCC

= 5V

1.08

3.4

10.4

10.6

1.3

3.65

1.5

3.98

kΩ

三态关机释抑时间

三态，以UG / LG传播上升

延迟

开关时间

（参见图1）

UGATE上升时间（注3 ）

LGATE上升时间（注3 ）

UGATE下降时间（注3 ）

LGATE下降时间（注3 ）

UGATE关断传播延迟

LGATE关断传播延迟

UGATE导通传播延迟

LGATE导通传播延迟

tSSHD

PT的

PDLU

或T

PDLL

+门下降时间

PDLU

PDLL

PDHU

PDHL

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ，输出空载

VCC

= 5V ，输出空载

VCC

= 5V ，输出空载;

SET

= 0Ω

VCC

= 5V ，输出空载;

SET

= 0Ω

8.0

4.0

FN6392.0

2006年11月28日

ISL6210

电气规格

参数

UGATE导通传播延迟

LGATE导通传播延迟

最小LGATE开启时间的DCM（注3）

产量

上驱动源电阻（注3 ）

上驱动源电流（注3 ）

上驱动吸收电阻（注3 ）

上驱动吸收电流（注3 ）

降低驱动源电阻（注3 ）

降低驱动源电流（注3 ）

较低的驱动吸收电阻（注3 ）

较低的驱动器吸收电流（注3 ）

注意：

3.通过特性保证。不是100 ％生产测试。

UG_SRC

UG_SCR

UG_SNK

LG_SRC

LG_SCR

LG_SNK

250毫安源电流

UGATE -PHASE

= 2.5V

250毫安灌电流

UGATE -PHASE

= 2.5V

250毫安源电流

LGATE

= 2.5V

250毫安灌电流

LGATE

= 2.5V

1.0

2.00

1.0

2.00

1.0

2.00

0.4

4.00

2.5

1.0

这些规范适用于对于T

= -10 ° C至+ 100 ° C，除非另有说明

（续）

符号

PDHU

PDHL

LGMIN

测试条件

VCC

= 5V ，输出空载;

SET

= 80kΩ

VCC

= 5V ，输出空载;

SET

= 80kΩ

民

典型值

400

最大

单位

功能引脚说明

数

名字

GND

LGATE1

PVCC

FCCM

保护地

LGATE2

功能

偏置和参考地。所有的信号都参考这个节点。

通道1.将低栅极驱动输出至低侧功率N沟道MOSFET的栅极。

该引脚提供电源都较低和较高的ISL6614栅极驱动器。它的工作范围为+ 5V至12V 。将高

品质低ESR陶瓷电容此引脚与GND 。

逻辑控制输入，这将迫使连续导通模式（ HIGH状态）或允许不连续导通模式

（低电平状态）。放置一个串联电阻在此输入将使开关死区时间进行编程。

它既是低的栅极驱动器的电源接地回路。

通道2.将低栅极驱动输出至低侧功率N沟道MOSFET的栅极。

逻辑控制输入，使（高电平状态）或禁用（低态）的IC 。关断电流为<1μA 。

PHASE2将此引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的通道2.该引脚漏极

提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。

通道2连接的UGATE2上栅极驱动输出的高端电源N沟道MOSFET栅极。

BOOT2

浮动自举电源引脚用于通道2的上栅极驱动连接该引脚之间的自举电容

在PHASE2引脚。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部自举

在说明的指导，选择电容值器件部分。

浮动自举电源引脚通道1的上栅极驱动连接该引脚之间的自举电容

相位缓冲销。自举电容器提供打开上部MOSFET的电荷。看到内部自举

在说明的指导，选择电容值器件部分。

BOOT1

不适用

通道1连接的UGATE1上栅极驱动输出的高端电源N沟道MOSFET栅极。

PHASE1将此引脚连接到上层MOSFET的源极和下MOSFET的通道1 ，该引脚漏极

提供了用于上部栅极驱动器的返回路径。

VCC

PWM1

PWM2

PAD

该引脚连接到+ 5V偏置电源。它提供电源，内部模拟电路。将高品质的低ESR陶瓷

电容此引脚与GND 。

PWM信号是控制输入为信道1的驱动程序。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看看

根据描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接到控制器的PWM输出。

PWM信号是控制输入为通道2的司机。 PWM信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看看

根据描述的三态PWM输入部分的进一步细节。该引脚连接到控制器的PWM输出。

通过散热增强型连接来连接该端口的电源地平面（ GND ）。

FN6392.0

2006年11月28日