PD - 60024C
IR2125Z
限流单通道驱动器
特点
n
专为自举浮动通道
手术
充分运作，以+ 400V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
n
栅极驱动电压范围为12 18V
n
欠压锁定
n
电流检测和限制回路，以限制从动
功率晶体管的电流
n
错误牵头代表故障状态和亲
克关机时间
n
输出同相输入
产品概述
VOFFSET
IO +/-
VOUT
VCSth
吨/关（典型值）。
400V最大。
1A / 2A
12 - 18V
230毫伏
150 & 150纳秒
描述
该IR2125Z是一种高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器具有过电流限制
保护电路。专有GVIC和锁存免疫
CMOS技术使加固minilithic
consturction 。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出。传至输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最低驱动
跨导。
该保护电路检测过电流，在从动
功率晶体管，并限制栅极驱动电压。周期
通过循环关闭由外部编程
电容器直接控制的时间间隔
检测的过流限制条件之间
和锁存关断。浮置沟道可以用于
以驱动所述高的N沟道功率MOSFET或IGBT
或低侧配置，它的工作频率高达400伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下进行测量。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
ERR
V
CS
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
qJA
T
J
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
逻辑电源电压
误差信号电压
电流检测电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
-5
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
S
- 0.3
-0.3
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
V
S
+ 20
400
V
B
+ 0.3
20
V
CC
+ 0.3
V
B
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
100
125
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
www.irf.com
1
5/16/01
IR2125Z
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正常工作的设备应
推荐的条件下使用。在VS抵消收视率进行了测试与所有供应偏置
15V的差分。
符号
参数
分钟。
马克斯。
单位
VB
VS
VHO
VCC
VIN
VERR
VCS
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
逻辑输入电压
误差信号电压
电流检测信号电压
VS + 12
-5
VS
12
VSS
VSS
VS
VS + 18
400
VB
18
VCC
VCC
VB
V
动态电气特性
VBIAS （ VCC ， VBS ） = 15V ，和CL = 3300 PF和Ta = 25 ℃，除非另有规定。动态
电特性是使用通过6如图3所示的测试电路进行测量。
TJ = 25°C
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
t
cs
t
sd
t
ERR
参数
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
CS输出关断传播
延迟
关断传播延迟
CS犯错的上拉传播时间
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
150
150
43
26
0.7
1.7
9
TJ =
-55到125°C
马克斯。分钟。马克斯。单位
200
300
60
35
1.2
2.2
22
—
—
—
—
—
—
—
270
330
80
50
1.4
2.5
25
测试条件
ns
V
S
= 0V至400V
CL = 3300pF
s
V
S
= 0V至400V
C
ERR
= 270pF
典型连接
高达400V
V
CC
IN
V
CC
IN
ERR
COM
V
B
OUT
CS
V
S
TO
负载
2
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IR2125Z
静态电气特性
VBIAS （ VCC ， VBS） = 15V和Ta = 25 ℃，除非另有规定。在VIN ， VTH和IIN参数
参考COM 。 VO和IO的参数是参照VS.
TJ = 25°C
TJ =
-55到125°C
符号
参数
分钟。典型值。马克斯。分钟。马克斯。单位测试条件
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
I
CS +
I
CS-
V
IH
V
IL
V
ERR +
V
ERR -
V
CSTH
+
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
“高”CS偏置电流
“低”CS偏置电流
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1” ERR输入电压
逻辑“0” ERR输入电压
CS输入正向阈值
CS输入正向阈值
V
BS
电源过压正
门槛
V
BS
电源欠压负
门槛
V
BS
电源过压正
门槛
V
BS
电源欠压负
门槛
V
CC
电源过压正
门槛
V
CC
电源欠压负
门槛
V
CC
电源过压正
门槛
V
CC
电源欠压负
门槛
ERR定时充电电流
ERR上拉电流
ERR下拉电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输出高电平导通电阻
输出低导通电阻
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
150
130
8.5
7.7
19.8
19.1
8.3
7.3
20
19.3
40
8.0
16
VB-0.1
—
—
—
—
400
700
4
—
6
—
—
—
—
—
230
200
9.3
8.5
21.5
20.8
8.8
8.1
21.2
20.7
100
15
30
—
—
9
3
50
1000
1200
25
1.0
15
1.0
—
—
—
—
320
300
10
9.0
23
22.4
9.6
8.7
23
22.5
130
—
—
—
—
—
—
—
—
3.0
—
2.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
250
1300
1500
30
1.0
30
1.0
—
0.8
—
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
mA
A
V
mV
V
A
VB = VS = 400V
IN = CS = 0V或5V
IN = CS = 0V或5V
IN = 5V
IN = 0V
CS = 3V
CS = 0V
VCC = 10 20V
10V < VCC < 20V
10V < VCC < 20V
V
CSTH-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
BSOV +
V
BSOV-
V
CCUV +
V
CCUV -
V
CCOV +
V
CCOV -
I
ERR
I
ERR +
I
ERR-
V
OH
V
OL
R
on
，ON
R
on
，关
—
—
—
- VB -0.1 -
VS + 0.1 -
VS+0.1
—
—
—
—
—
—
V
IN = 5V ， CS = 3V
+
ERR < VERR
IN = 5V ， CS = 3V
+
ERR > VERR
IN = 0V
IN = 5V ， IO = 0A
IN = 0V ， IO = 0A
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PD - 60024C
IR2125Z
限流单通道驱动器
特点
n
专为自举浮动通道
手术
充分运作，以+ 400V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
n
栅极驱动电压范围为12 18V
n
欠压锁定
n
电流检测和限制回路，以限制从动
功率晶体管的电流
n
错误牵头代表故障状态和亲
克关机时间
n
输出同相输入
产品概述
VOFFSET
IO +/-
VOUT
VCSth
吨/关（典型值）。
400V最大。
1A / 2A
12 - 18V
230毫伏
150 & 150纳秒
描述
该IR2125Z是一种高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器具有过电流限制
保护电路。专有GVIC和锁存免疫
CMOS技术使加固minilithic
consturction 。逻辑输入与标准兼容的
CMOS或LSTTL输出。传至输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最低驱动
跨导。
该保护电路检测过电流，在从动
功率晶体管，并限制栅极驱动电压。周期
通过循环关闭由外部编程
电容器直接控制的时间间隔
检测的过流限制条件之间
和锁存关断。浮置沟道可以用于
以驱动所述高的N沟道功率MOSFET或IGBT
或低侧配置，它的工作频率高达400伏。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下进行测量。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
ERR
V
CS
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
qJA
T
J
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
逻辑电源电压
误差信号电压
电流检测电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
-5
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
S
- 0.3
-0.3
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
V
S
+ 20
400
V
B
+ 0.3
20
V
CC
+ 0.3
V
B
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
100
125
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
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5/16/01
IR2125Z
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正常工作的设备应
推荐的条件下使用。在VS抵消收视率进行了测试与所有供应偏置
15V的差分。
符号
参数
分钟。
马克斯。
单位
VB
VS
VHO
VCC
VIN
VERR
VCS
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
逻辑输入电压
误差信号电压
电流检测信号电压
VS + 12
-5
VS
12
VSS
VSS
VS
VS + 18
400
VB
18
VCC
VCC
VB
V
动态电气特性
VBIAS （ VCC ， VBS ） = 15V ，和CL = 3300 PF和Ta = 25 ℃，除非另有规定。动态
电特性是使用通过6如图3所示的测试电路进行测量。
TJ = 25°C
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
t
cs
t
sd
t
ERR
参数
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
CS输出关断传播
延迟
关断传播延迟
CS犯错的上拉传播时间
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
150
150
43
26
0.7
1.7
9
TJ =
-55到125°C
马克斯。分钟。马克斯。单位
200
300
60
35
1.2
2.2
22
—
—
—
—
—
—
—
270
330
80
50
1.4
2.5
25
测试条件
ns
V
S
= 0V至400V
CL = 3300pF
s
V
S
= 0V至400V
C
ERR
= 270pF
典型连接
高达400V
V
CC
IN
V
CC
IN
ERR
COM
V
B
OUT
CS
V
S
TO
负载
2
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IR2125Z
静态电气特性
VBIAS （ VCC ， VBS） = 15V和Ta = 25 ℃，除非另有规定。在VIN ， VTH和IIN参数
参考COM 。 VO和IO的参数是参照VS.
TJ = 25°C
TJ =
-55到125°C
符号
参数
分钟。典型值。马克斯。分钟。马克斯。单位测试条件
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
I
CS +
I
CS-
V
IH
V
IL
V
ERR +
V
ERR -
V
CSTH
+
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
“高”CS偏置电流
“低”CS偏置电流
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1” ERR输入电压
逻辑“0” ERR输入电压
CS输入正向阈值
CS输入正向阈值
V
BS
电源过压正
门槛
V
BS
电源欠压负
门槛
V
BS
电源过压正
门槛
V
BS
电源欠压负
门槛
V
CC
电源过压正
门槛
V
CC
电源欠压负
门槛
V
CC
电源过压正
门槛
V
CC
电源欠压负
门槛
ERR定时充电电流
ERR上拉电流
ERR下拉电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输出高电平导通电阻
输出低导通电阻
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
150
130
8.5
7.7
19.8
19.1
8.3
7.3
20
19.3
40
8.0
16
VB-0.1
—
—
—
—
400
700
4
—
6
—
—
—
—
—
230
200
9.3
8.5
21.5
20.8
8.8
8.1
21.2
20.7
100
15
30
—
—
9
3
50
1000
1200
25
1.0
15
1.0
—
—
—
—
320
300
10
9.0
23
22.4
9.6
8.7
23
22.5
130
—
—
—
—
—
—
—
—
3.0
—
2.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
250
1300
1500
30
1.0
30
1.0
—
0.8
—
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
mA
A
V
mV
V
A
VB = VS = 400V
IN = CS = 0V或5V
IN = CS = 0V或5V
IN = 5V
IN = 0V
CS = 3V
CS = 0V
VCC = 10 20V
10V < VCC < 20V
10V < VCC < 20V
V
CSTH-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
BSOV +
V
BSOV-
V
CCUV +
V
CCUV -
V
CCOV +
V
CCOV -
I
ERR
I
ERR +
I
ERR-
V
OH
V
OL
R
on
，ON
R
on
，关
—
—
—
- VB -0.1 -
VS + 0.1 -
VS+0.1
—
—
—
—
—
—
V
IN = 5V ， CS = 3V
+
ERR < VERR
IN = 5V ， CS = 3V
+
ERR > VERR
IN = 0V
IN = 5V ， IO = 0A
IN = 0V ， IO = 0A
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