汽车MOSFET
PD - 96040
特点
l
l
l
l
l
l
IRF1404ZPbF
IRF1404ZSPbF
IRF1404ZLPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
G
V
DSS
= 40V
R
DS （ ON）
= 3.7m
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作
TURE ，开关速度快，提高了重复
雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计的一个非常有效和可靠的设备
在汽车应用中使用，各种
的其他应用程序。
I
D
= 75A
TO-220AB
IRF1404ZPbF
D
2
PAK
TO-262
IRF1404ZSPbF IRF1404ZLPbF
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
I
DM
马克斯。
180
120
75
710
200
单位
A
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
V
GS
栅极 - 源极电压
E
AS （限热）
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
E
AS
（测试）
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
d
1.3
± 20
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
雪崩电流
h
330
480
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
g
i
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
y
y
典型值。
马克斯。
0.75
–––
62
40
i
i
–––
0.50
–––
–––
k
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
j
www.irf.com
1
01/03/06
IRF1404Z/S/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
170
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.033
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
31
42
18
110
36
58
4.5
7.5
4340
1030
550
3300
920
1350
–––
–––
3.7
4.0
–––
20
250
200
-200
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
e
V
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 75A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 75A
R
G
= 3.0
V
GS
= 10V
e
e
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
34
75
A
750
1.3
42
51
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRF1404Z/S/LPbF
200
不限按包
160
ID ，漏电流（ A）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
2.0
ID = 75A
VGS = 10V
1.5
80
（归一化）
120
1.0
40
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.01
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
IRF1404ZS_L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
170
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.033
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
31
42
18
110
36
58
4.5
7.5
4340
1030
550
3300
920
1350
–––
–––
3.7
4.0
–––
20
250
200
-200
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
e
V
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 75A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 75A
R
G
= 3.0
V
GS
= 10V
e
e
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
34
75
A
750
1.3
42
51
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRF1404ZS_L
200
2.0
160
ID ，漏电流（ A）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
不限按包
ID = 75A
VGS = 10V
1.5
80
（归一化）
120
1.0
40
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.01
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
5
PD - 11371
汽车MOSFET
IRF1404Z
HEXFET
功率MOSFET
D
特点
●
●
●
●
●
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
V
DSS
= 40V
G
S
R
DS （ ON）
= 3.7m
I
D
= 75A
描述
专为汽车应用，这HEXFET
动力
MOSFET采用最新的加工技术，以实现极
低导通电阻每硅片面积。这种设计的附加功能
一个175 ℃的结的工作温度，快速开关速度和im-
事实证明重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该
设计一个非常有效和可靠的设备在汽车使用
应用程序和各种各样的其它应用。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
I
DM
马克斯。
190
130
75
750
220
单位
A
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
V
GS
E
AS （限热）
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
d
1.5
± 20
单脉冲雪崩能量测试值
h
320
480
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
g
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
y
y
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.67
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
3/5/03
IRF1404Z
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
170
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.033
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
31
42
18
110
36
58
4.5
7.5
4340
1030
550
3300
920
1350
–––
–––
3.7
4.0
–––
20
250
200
-200
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
e
V
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 75A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 75A
R
G
= 3.0
V
GS
= 10V
e
e
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
34
75
A
750
1.3
42
51
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.11mH
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。不属于
雪崩性能。
推荐使用高于此值。
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
测试，在生产该值。
2
www.irf.com
IRF1404Z
200
2.0
160
ID ，漏电流（ A）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
不限按包
ID = 75A
VGS = 10V
1.5
80
（归一化）
120
1.0
40
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.01
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
IRF1404ZS_L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
170
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.033
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
31
42
18
110
36
58
4.5
7.5
4340
1030
550
3300
920
1350
–––
–––
3.7
4.0
–––
20
250
200
-200
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
e
V
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 75A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 75A
R
G
= 3.0
V
GS
= 10V
e
e
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
34
75
A
750
1.3
42
51
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRF1404ZS_L
200
2.0
160
ID ，漏电流（ A）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
不限按包
ID = 75A
VGS = 10V
1.5
80
（归一化）
120
1.0
40
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.01
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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