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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第638页 > IXFT60N25Q
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
低栅极电荷和电容
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-264
TO-247
TO-264
TO-268
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFH 60N25Q
IXFK 60N25Q
IXFT 60N25Q
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
= 250 V
= 60 A
= 47毫瓦
250纳秒
最大额定值
250
250
±20
±30
60
240
60
45
1.5
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
G
S
（ TAB ）
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
S
D（ TAB ）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
0.9 / 6牛米/ lb.in 。
6
10
4
g
g
g
G =门
S =源
TAB =漏
特点
低栅极电荷
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
250
2
4
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
50
1
V
V
nA
mA
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
47毫瓦
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98630 (6/99)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFH 60N25Q IXFK 60N25Q
IXFT 60N25Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
22
35
5100
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1000
400
27
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2.0
W
（外部）
60
80
25
180
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
39
90
0.35
TO-247
TO-264
0.25
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
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-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
1.5 2.49
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
60
240
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
1
8
TO- 268AA （ IXFT ） （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
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.045 .057
.75
.83
.016 .026
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.624 .632
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0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
低栅极电荷和电容
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-264
TO-247
TO-264
TO-268
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFH 60N25Q
IXFK 60N25Q
IXFT 60N25Q
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
= 250 V
= 60 A
= 47毫瓦
250纳秒
最大额定值
250
250
±20
±30
60
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60
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1.5
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
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W
°C
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
G
S
（ TAB ）
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
S
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1.13 / 10牛米/ lb.in 。
0.9 / 6牛米/ lb.in 。
6
10
4
g
g
g
G =门
S =源
TAB =漏
特点
低栅极电荷
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
250
2
4
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
50
1
V
V
nA
mA
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
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, V
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V
DS
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DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
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= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
47毫瓦
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98630 (6/99)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFH 60N25Q IXFK 60N25Q
IXFT 60N25Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
22
35
5100
V
GS
= 0 V, V
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1000
400
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= 10 V, V
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, I
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D25
R
G
= 2.0
W
（外部）
60
80
25
180
V
GS
= 10 V, V
DS
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DSS
, I
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39
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0.35
TO-247
TO-264
0.25
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
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4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
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0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
1.5 2.49
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
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240
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
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E
e
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K
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P
Q
Q1
R
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T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
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0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
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3.17
6.07
8.38
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1.78
6.04
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BSC
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0.25
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3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
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.056
.094
.106
.114
.122
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.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
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GS
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脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
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F
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= 100 V
1
8
TO- 268AA （ IXFT ） （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
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2
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D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
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分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
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1.45
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2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
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.83
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0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
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4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
查看更多IXFT60N25QPDF信息
推荐型号
IDT54FCT2533ATD
IR15-21C/L10
IDT70V5378S200BC
IMP8-3B0-02-A-XXX
IM2415HS1W
IMIC9714AT
IDT54FCT162344ATEB
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IRKUF82-08CM
ISL6843CBZ
IRKTF101-08HP
ISL6151CB-T
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IRKH170-12
IBM0436A41DLAB-4
IDT7282L15
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IS62LV12816L-55B
ISL6210CRZ
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封装
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