IS62WV6416DALL/DBLL
IS65WV6416DALL/DBLL
64K ×16低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 35ns的，为45nS ， 55ns
CMOS低功耗运行：
15 mW (typical) operating
1.5 W (typical) CMOS standby
TTL兼容接口电平
单电源
1.65V--2.2V V
dd
(62WV6416dALL)
2.3V--3.6V V
dd
(65WV6416dBLL)
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业和汽车温度支持
2CS选项可用
无铅可
2009年10月
are high-speed, 1M bit static RAMs organized as 64K words
by 16 bits. It is fabricated using
ISSI
的高性能
CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
描述
该
ISSI
IS62/65WV6416DALL and IS62/65WV6416DBLL
什么时候？
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消），或者当
CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both
LB和UB高，器件处于待机模式
在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE ）控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
The IS62/65WV6416DALL and IS62/65WV6416DBLL are
packaged in the JEDEC standard 48-pin mini BGA (6mm
x 8mm) and 44-Pin TSOP (TYPE II).
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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1
IS62WV6416DALL/DBLL
IS65WV6416DALL/DBLL
销刀豆网络gurations
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
（封装代码B）
1 2 3 4 5 6
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
2 CS选项（封装代码B2 ）
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
A2
CSI
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
NC
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
A2
CS1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
CS2
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A15
I/O0-I/O15
CS1, CS2
OE
WE
LB
UB
NC
V
dd
GND¤
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
Lower-byte Control (I/O0-I/O7)
Upper-byte Control (I/O8-I/O15)
无连接
动力
地
44针微型TSOP （ II型）
（封装代码T）
A4
A3
A2
A1
A0
CS1
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
2
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真值表
模式
未选择
输出禁用
读？
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
d
OUT
高-Z
高-Z
d
OUT
d
OUT
d
OUT
d
in
高-Z
d
in
高-Z
d
in
d
in
V
DD
当前
i
sB
1
, i
sB
2
i
sB
1
, i
sB
2
i
sB
1
, i
sB
2
i
CC
i
CC
i
CC
写
i
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
dd
t
英镑
P
t
参数
相对于GND端子电压
V
dd
涉及到GND
储存温度
功耗
价值
–0.5 to V
dd
+ 0.5
–0.3 to 4.0
–65 to +150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项：
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
in
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
in
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
2.测试条件：T已
A
= 25°C,
f = 1 MHz, V
dd
= 3.3V.
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AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
单位
(2.3V-3.6V)
0.4V to V
dd
- 0.3V
1V/ ns
单位
(3.3V + 5%)
0.4V to V
dd
- 0.3V
1V/ ns
单位
(1.65V-2.2V)
0.4V to V
dd
- 0.3V
1V/ ns
0.9V
See Figures 1 and 2
13500
10800
1.8V
输入和输出时序
VDD /2
VDD + 0.05
和参考电平（V
REF
) 2
输出负载
R1 (
)
R2 (
)
V
tm
(V)
See Figures 1 and 2
317
351
3.3V
See Figures 1 and 2
317
351
3.3V
AC测试负载
R1
VTM
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
R1
VTM
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
图1 。
图2中。
4
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DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 3.3V + 5%
符号
V
OH
V
OL
V
iH
V
iL
i
Li
i
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出泄漏
测试条件
V
dd
=
分钟，我
OH
=
–1 mA
V
dd
=
分钟，我
OL
=
2.1 mA
GNDベル
V
in
≤
V
dd
GNDベル
V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1.
V
iL
（分钟） = -0.3V DC ; V
iL
(min.) = –2.0V AC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
V
iH
（最大） = V
dd
+
0.3V直流电; V
iH
（最大） = V
dd
+
2.0V AC（脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 2.3V-3.6V
符号
V
OH
V
OL
V
iH
V
iL
i
Li
i
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出泄漏
测试条件
V
dd
=
分钟，我
OH
=
–1.0 mA
V
dd
=
分钟，我
OL
=
2.1 mA
GNDベル
V
in
≤
V
dd
GNDベル
V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
分钟。
1.8
—
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1.
V
iL
（分钟） = -0.3V DC ; V
iL
(min.) = –2.0V AC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
V
iH
（最大） = V
dd
+
0.3V直流电; V
iH
（最大） = V
dd
+
2.0V AC（脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 1.65V-2.2V
符号
V
OH
V
OL
V
iH
V
iL
(1)
i
Li
i
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出泄漏
测试条件
i
OH
=
-0.1 mA
i
OL
=
0.1 mA
GNDベル
V
in
≤
V
dd
V
DD
1.65-2.2V
1.65-2.2V
1.65-2.2V
1.65-2.2V
分钟。
1.4
—
1.4
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.2
V
dd
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GNDベル
V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
注意：
1.
V
iL
（分钟） = -0.3V DC ; V
iL
(min.) = –2.0V AC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
V
iH
（最大） = V
dd
+
0.3V直流电; V
iH
（最大） = V
dd
+
2.0V AC（脉冲宽度< 10纳秒） 。未经100％测试。
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