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PD-96149

IRF7704GPbF

HEXFET

功率MOSFET

l

l

l

l

l

l

l

超低导通电阻

P沟道MOSFET

超小型SOIC封装

薄型（ < 1.1毫米）

可在磁带卷&

LEAD -FREE

无卤

V

DSS

-40V

R

DS （ ON）

最大值（ mW）的

46@V

GS

= -10V

74@V

GS

= -4.5V

I

D

-4.6A

-3.7A

描述

HEXFET

国际整流器功率MOSFET

利用先进的加工技术，以实现EX-

tremely低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合加固装置的设计，即间

国家整流器是众所周知的，

提供thedesigner

9

!

＆ QUOT ;

#

29

!2T

"2T

#2B

'

＆放大器;

%

$

'29

&2T

%2T

$29

用一个非常有效和可靠的装置，用于

电池和负载管理。

采用TSSOP -8封装少45％的占位面积比

标准的SO- 8 。这使得TSSOP - 8的理想

其中，印刷电路板空间设备的应用

是十分宝贵的。低调（ <1.2毫米）允许它适应

易成非常薄的环境中，例如便携

电子和PCMCIA卡。

B

T

TSSOP-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-40

-4.6

-3.7

-19

1.5

1.0

12

± 20

-55到+ 150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

V

°C

热阻

参数

R

θJA

最大结点到环境

马克斯。

83

单位

° C / W

www.irf.com

1

04/23/08

IRF7704GPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-40

–––

–––

–––

-1.0

7.2

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.03

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

25

10

9.5

25

360

190

100

3150

250

200

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

46

V

GS

= -10V ，我

D

= -4.6A

m

74

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -3.7A

-3.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -10V ，我

D

= -4.6A

-10

V

DS

= -32V, V

GS

= 0V

A

-25

V

DS

= -32V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70°C

-100

V

GS

= -20V

nA

100

V

GS

= 20V

38

I

D

= -4.6A

15

NC V

DS

= -15V

14

V

GS

= -4.5V

–––

V

DD

= -20V

–––

I

D

= -1.0A

ns

–––

R

G

= 6.0

–––

V

GS

= -4.5V

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -25V

–––

= 1.0kHz

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

29

41

-1.5

A

-19

-1.2

44

62

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -1.5A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -1.5A

的di / dt = -100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

表面安装在1平方铜电路板

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

2

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IRF7704GPbF

1000

VGS

-15V

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

BOTTOM -2.7V

顶部

100

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

VGS

-15V

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

BOTTOM -2.7V

顶部

10

1

1

-2.70V

0.1

-2.70V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.01

0.1

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100.0

2.0

10.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 4.6A

-I D，漏 - 源电流

(Α

)

T J = 150℃

1.5

1.0

1.0

T J = 25°C

0.1

0.5

0.0

2.5

3.0

3.5

VDS = -25V

20μs的脉冲宽度

4.0

4.5

5.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF7704GPbF

5000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

12

I

D

=

-4.6A

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

DS

=-32V

V

DS

=-20V

4000

10

C，电容（pF ）

西塞

3000

COSS = C + Cgd的

ds

8

6

2000

4

1000

0

1

科斯

CRSS

10

100

2

0

0

10

20

30

40

50

60

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

100

-I

SD

，反向漏电流（ A）

10

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

10

100sec

T

J

= 150

°

C

1msec

1

10msec

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

1

10

100

1000

1

T

J

= 25

°

C

0.1

0.4

V

GS

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF7704GPbF

5.0

V

DS

4.0

R

D

V

GS

R

G

-I

D

，漏电流（ A）

D.U.T.

+

3.0

V

GS

2.0

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

1.0

图10A 。

开关时间测试电路

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

0.0

V

GS

25

50

T

C

，外壳温度（ ° C）

75

100

125

150

10%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

D = 0.50

热响应（Z

thJA

)

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.01

0.1

1

10

100

0.1

0.00001

0.0001

0.001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图10 。

典型的有效瞬态热阻抗，结到环境

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V

DD

5

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