IS61C5128AL/AS
IS64C5128AL/AS
512K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速： （ IS61 / 64C5128AL ）
高速存取时间： 10ns的， 12纳秒
低有功功率： 150毫瓦（典型值）
低待机功耗： 10毫瓦（典型值）
CMOS待机
低功耗： （ IS61 / 64C5128AS ）
高速存取时间： 25ns的
低有功功率： 75毫瓦（典型值）
低待机功耗： 1毫瓦（典型值）
CMOS待机
TTL兼容接口电平
单5V ±10 ％电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
提供36引脚SOJ （ 400万） ， 32针
sTSOP -I ， 32引脚SOP ， 44引脚TSOP -II和32
脚TSOP -II封装
商用，工业和汽车温度
TURE适用范围
无铅可
2008年3月
描述
该
ISSI
IS61C5128AL / AS和IS64C5128AL / AS是高
速度快，
4,194,304-bit
静态RAM组织为524,288
字由8位。他们使用的是制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量
存取时间快12纳秒的低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61C5128AL / AS和IS64C5128AL / AS包装
在JEDEC标准的36引脚SOJ （ 400万） ， 32引脚sTSOP-
我， 32引脚SOP ， 44引脚TSOP -II和32引脚TSOP -II封装
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
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版本B
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1
IS61C5128AL/AS
IS64C5128AL/AS
HIGH SPEED （ IS61 / 64C5128AL ）引脚配置
36引脚SOJ （ 400密耳）
44针TSOP （ II型）
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
VDD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
VDD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
引脚说明
A0-A18
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
无连接
2
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版本B
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IS61C5128AL/AS
IS64C5128AL/AS
低功耗（ IS61 / 64C5128AS ）引脚配置
32针sTSOP （I型）
32引脚SOP
32针TSOP （II型）
A11
A9
A8
A13
WE
A18
A15
V
DD
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
A18
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
A0-A18
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入1
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
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3
IS61C5128AL/AS
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
IS64C5128AL/AS
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I / O引脚
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些或
任何其他条件超过上述业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 5.0V.
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–2
–5
–1
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
5
1
2
5
单位
V
V
V
V
A
I
LO
输出漏
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
输出禁用
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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IS61C5128AL/AS
IS64C5128AL/AS
经营范围：高速OPTION（ IS61 / 64C5128AL ）
范围
广告
产业
汽车
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
V
DD
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
速度快（纳秒）
10
10
12
经营范围：低功耗选项（ IS61 / 64C5128AS ）
范围
广告
产业
汽车
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
V
DD
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
速度快（纳秒）
25
25
25
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