以前的数据表
指数
下一页数据表
IR51HD320
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压，电流都被定义成阳性的任何领先。
热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。
符号
V
IN
V
B
VO
V
RT
V
CT
I
CC
I
RT
dv / dt的
P
D
R
θJA
T
J
T
S
T
L
参数
德网络nition
高电压源
高侧浮动电源电压的绝对值
半桥输出电压
R
T
电压
C
T
电压
电源电流（注1 ）
R
T
输出电流
峰值二极管恢复的dv / dt
包装功耗@ T
A
≤
+25C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
---
-5
---
---
---
-55
-55
---
马克斯。
400
425
V
IN
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
25
5
4.0
2.00
60
150
150
300
单位
V
mA
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正确的操作的设备，应使用
在推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
VO
I
D
I
CC
T
A
注1 ：
参数
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高电压源
半桥输出电压
连续漏电流
(T
A
=
25C)
(T
A
=
85C)
电源电流（注1 ）
环境温度
分钟。
VO + 10
---
-5
---
---
---
-40
马克斯。
VO + V
钳
400
400
0.9
0.6
5
125
单位
V
A
mA
C
由于IR51HD320的应用程序对特异性脱线供电系统，该IC包含一个
该芯片V的齐纳二极管钳位结构
CC
和COM其具有的标称击穿电压
15.6V 。因此，在IC的电源电压通常是由电流馈源在V衍生
CC
领导
（典型地通过一个高值电阻器，连接在片V之间的装置
CC
与已整流线路
电压从V本地去耦电容
CC
以COM） ，并允许内部齐纳钳位
电路来确定标称电源电压。因此，该电路不应该由直流驱动，
的大于V低阻抗电源
钳
.
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR51HD320
功能框图
V
B
6
1
V
CC
2
R
T
3
C
T
IRFC320
IR2151
7
VO
IRFC320
V+
9
4
COM
铅定义
符号
V
CC
领导
描述
逻辑和内部栅极驱动电压。在15.6 V标称内部齐纳钳位二极管
包括允许的Vcc直接从V是电流馈入
IN
通常通过一个高值的装置
电阻器。
振荡器定时电阻输入;一个电阻从电路接入
T
到C
T
. R
T
是不同相
半桥输出（VO） 。
振荡器的定时电容输出;一电容器被从C连接
T
到COM以节目
根据下面的公式将振荡器频率：
1
R
T
C
T
f
=
1
.
4
× (
R
T
+
75
) ×
C
T
V
B
V
IN
VO
COM
其中， 75Ω为R的有效阻抗
T
输出级。
高侧栅极驱动浮动电源。对于引导操作高压快恢复二极管是
需要从V养活
CC
到V
B
.
高电压电源。
半桥输出。
逻辑和半桥回报偏低。
TO ORDER
国际整流器器
堪萨斯州街233 ， El Segundo的， CA 90245 USA
IRPLCFL1
POWIRLIGHT
TM
参考设计：紧凑型镇流器
特点
驱动13W紧凑型灯
110或220 Vac输入
高频率操作（ 34kHz ）
软启动与阴极预热
(45kHz)
灯泡拆卸保护
突发模式与自动重启
IR51H420集成半桥
该IRPLCFL1旨在作为一个参考
设计用作一个开发工具
加快客户产品上市时间。
电路原理图
IR51H420
R2
R1
AC1
VCC
Rt
CT COM
Vb
Vo
Vt
BR1
C4
R6
AC2
+
C1
N
+
C2
R3
D1
Q1
C6
C8
D2
R4
Q2
D4
D5
C9
日光灯
D6
C5
F2
F2
D3
C7
AC1 -N = 120 VAC输入
AC1 ， AC2 = 220 VAC输入
C3
+
R5
C10
F1
L1
F1
www.irf.com
1
功能说明
该电路被绕IR51H420镇流器驱动混合其中包含IR2151镇流器中心
驱动器IC和两个500伏的大小2 HEXFET在半桥式结构。用120伏交流线
输入（ AC1 - N）时，电压被整流并增加一倍，以便提供约300总线电压
伏。用220伏交流线输入（ AC1 -AC2 ） ，电压被整流而不是一倍，并再次
提供大约300总线电压volts.The起动电阻R2的尺寸使得它可以
供足够的电流来启动在IR51H420振荡器，但不足以引起分流
钳规范和保持恒定的振荡。在此约束下的功率耗散
电阻R2是足够低，使得1/4瓦单元就足够了。的电荷泵电路，由
电容器C10和二极管D5和D6 ，用于使得当IR51H420开始振荡，所述
电荷泵电路提供电流，以增加电压（VCC）的电压，以使分路钳位到
调节。如果灯从电路中移除不再有用于电荷泵的路径
电容C10 。这使电压在IR51H420的电压Vcc开始下降。当在电压
在IR51H420的VCC低于负欠压锁定阈值振荡器停止
切换。在这一点上的电压将开始再次升高时的电压达到正
欠压锁定阈值时， IC即会重新开始振荡。如果没有安装在灯
电路会出现在Vcc没有路径提供电流电荷泵电路和电压将
再次跌破负的欠压锁定阈值。该电路将继续这一序列
无限期，直到电源被移走或灯被重新插入到电路中。如果一盏灯被重新插入
在电路中，指示灯将点亮。
以提供长寿命和确保软起动灯，阴极必须预先加热，使
其热电阻是约三至四倍的冷电阻值。这是
通过使用一个三步骤的启动顺序进行;这三个步骤是三种振荡频率
设置。振荡器开始以频率远高于LC电路的谐振点
由电感器L1和电容器C9形成的。这样做是为了确保在整个初始电压施加
灯是低于行使潜力。所述第二频率的步骤，在下面步骤1中，选择了
提供一个电流通过阴极足够大，以加热它们在预热时间，同时也
保持跨越低于执行潜在的灯上的电压。第三步骤是将
振荡器到最终运行频率。此时灯管两端的电压变大
够取得的弧和电路的谐振点移动下，电流在灯
由电感器L1的限制。
该频移是通过切换出用于编程不同的电容来实现
振荡器的频率。这些电容器切换通过与MOSFET的这是他们做空
定时开启时间不同。预热频率由下式确定：
f
ph
=
C
5
+
C
6
1.4(
R
6)(
C
5)(
C
6)
2
www.irf.com
预热时间通过由R3和C3和的电压组成的RC组合确定
齐纳二极管D1 。当C3两端的电压达到齐纳二极管D1 +的幅度
导通Q1的阈值时，电容C6被短路和频率转换到最终运行
频率。最终的运转频率由下式给出：
f
RUN
=
1
1.4(
R
6)(
C
5)
最后的元件值，在材料清单显示，被选为操作13瓦特紧凑
荧光灯在冷的4欧姆的阴极电阻。如果一盏灯被用于具有不同
阴极电阻为预热频率选择元件值将需要被改变。
镇流器电路的混合物在不同温度下操作，从25摄氏度到105摄氏度
小或中的工作特性没有变化。
红外系列集成半桥产品（ 9引脚SIP封装）
产品型号
IRxxH214 ， HD214
IRxxH224 ， HD224
IRxxH737 ， HD737
IRxxH310 ， HD310
IRxxH320 ， HD320
IRxxH420 ， HD420
最大
电压
250V
250V
300V
400V
400V
500V
RDS （ ON）
在25℃
2.0
1.1
0.75
3.6
1.8
3.0
目标应用
（规格仅适用于ZVS ）
110VAC ， 5W- 15W
110VAC ， 15W- 25W
110VAC ， 25W- 35W
220VAC ， 5W- 15W
220VAC ， 15W- 25W
220VAC ， 10W- 20W
1）集成电路选项半桥产品包括IR2101 ， IR2102 ， IR2103 ， IR2104 ， IR2151 ， IR2152 ，
IR2153 ， IR2154 。使用IC零件编号的最后两位数字为“XX”标志。
2）在“H”的选项仅包含控制IC和MOSFET半桥。 “高清”选项包含
控制IC ，自举二极管和MOSFET半桥。
www.irf.com
3
材料清单
REF 。
德。
U1
Q1,Q2
BR1
C1,C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8,C10
C9
R1
R2
R3,R4
R5
R6
D1
D2
D3
D4,D5,
D6
L1*
DESCR 。
IC
MOSFET
桥式整流器
10F/250V
1F/50V
2.2F/50V
1000pF的SMT1206
3300pF SMT1206
.1μF / 50V SMT1206
470pF的/ 1KV SMT1812
.01F/630V
1.0,1/2W
240KΩ ， 1 / 4W
1MΩ ， 1 / 8W SMT1206
2.2M,1/8W
SMT1206
20KΩ ， 1 / 8W SMT1206
7.5V稳压， SMT
SOD123
3.9V稳压， SMT
SOD123
二极管， 400V快
二极管，贴片DL35
2.5mH
数量
1
2
1
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
P / N
IR51H420
IRLML2402
DF10S
ECE-A2EU100W
ECE-A50Z1
ECE-A50Z2R2
ECU-U1H102KBM
ECU-U1H332KBM
ECU-V1H104KBW
102S43N471KV4E
MKP10
1.0H-ND
240KQBK-ND
ERJ-8GEY105
ERJ-8GEY225
ERJ-8GEYJ203
BZT52-C7V5DICT-ND
BZT52-C3V9DICT-ND
10BF40
1N4148
9677142009
MFG
IR
IR
IR
松下
松下
松下
松下
松下
松下
约翰森
电介质
WIMA
YAGEO
YAGEO
松下
松下
松下
二极管公司
二极管公司
IR
二极管公司
商Fair-Rite
DIST
IR
“
“
向Digi-Key
“
“
“
“
“
纽瓦克
TAW
向Digi-Key
“
“
“
“
“
“
IR
向Digi-Key
LODESTON
ê太平洋
电话号码
310-322-
3331
“
“
800-344-
4539
“
“
“
“
“
310-681-
6674
818-846-
3911
800-344-
4539
“
“
“
“
“
“
310-322-
3331
800-344-
4539
714-970-
0900
* 210变成30 ＃伤口上FAIR -RITE梭芯
4
www.irf.com
初步数据表号PD60083
I
IR51H(D)224
IR51H(D)320
IR51H(D)420
自振荡半桥
特点
在半桥结构的输出功率MOSFET
设计为引导操作的高侧栅极驱动器
自举二极管的集成封装（ HD型）
两个功率MOSFET精确的时序控制
s
匹配延迟以得到50％的占空比
1.2us匹配的死区时间
内部振荡器，可编程频率
产品概述
VIN（最大） 250V （ IR51H （D）的224）
400V （ IR51H （ D） 310 ）
500V （ IR51H （ D） 420 ）
占空比
50%
死区时间
RDS （ ON）
1.2s
1.1W （ IR51H （ D） 224 ）
3.0W （ IR51H （ D） 310 ）
3.6W （ IR51H （ D） 420 ）
2.0W
f
=
1
1
.
4
× (
R
T
+
75
) ×
C
T
15.6V齐纳二极管钳位Vcc的用于脱机运行
半桥输出的相位差为R
T
微功率启动
PD （ TA = 25
o
C)
包
描述
该IR51H （D ） XXX齐全的高电压，高转速，自
振荡半桥电路。专有的HVIC和锁存im-
免疫性CMOS技术，随着HEXFET
动力
MOSFET技术，使坚固耐用的单封装construc-
化。前端具有一个可编程的振荡器，其功能
相似于在CMOS 555定时器。供给到控制
电路有一个齐纳二极管钳位，以简化脱机操作。输出
特征在一个半桥式配置2 HEXFETs与IN-
ternally设置死区时间设计为最小交叉传导
半桥。传播延迟的高侧和低侧
功率MOSFET相匹配，以简化
在占空比为50％的应用程序使用。该
设备可运行在高达500伏。
典型连接
直流母线
VIN
D1
IR51H(D)XXX
1
VCC
V
B
6
外
快恢复二极管D1是
不需要HD型
2
R
T
3
C
T
4
R
T
V
IN
9
C
T
VO
7
COM
TO ，
负载
COM
IR51H(D)224
IR51H(D)320
IR51H(D)420
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压，电流都被定义成阳性的任何
导致。热电阻和功率耗散额定值是根据董事会测量和安装
静止空气条件。
符号
V
IN
德网络nition
高电压源
-224
-320
-420
最低
- 0.3
- 0.3
- 0.3
VO - 0.3
-0.3
- 0.3
- 0.3
—
-5
—
—
—
-55
-55
—
最大
250
400
500
武+2.5
V
IN
+ 0.3
V
cc
+ 0.3
V
cc
+ 0.3
25
5
3.5
2.00
60
150
150
300
单位
V
B
V
O
V
RT
V
CT
I
cc
I
RT
dv / dt的
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
高压侧浮动电源
半桥输出
R
T
电压
C
T
电压
电源电流（注1 ）
R
T
输出电流
峰值二极管恢复
封装的功率耗散@ TA
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
V
mA
V / ns的
W
o
C / W
o
C
注1 ：
该IC包含V的齐纳二极管钳位结构
CC
和COM具有15.6V的额定击穿电压。
请注意，此电源引脚不应该由DC ，低阻抗电源大于在V驱动
钳
在电气特性规定
2
IR51H(D)224
IR51H(D)320
IR51H(D)420
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作，应使用的设备
在推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高电压源
-224
-320
-420
-224
-320
-420
-224
-320
-420
最低
VO + 10
—
—
—
-3.0 （注2 ）
—
—
—
—
—
—
（注3）
-40
最大
VO + V钳位
250
400
500
V
IN
1.1
0.9
0.7
0.7
0.6
0.5
5
125
单位
V
V
O
I
D
半桥输出电压
连续漏电流（ TA = 25 ° C）
A
（ TA = 85°C ）
I
CC
T
A
电源电流
环境温度
mA
°C
注2 ：
应当小心，以避免开关条件，其中在V
S
节点感应苍蝇在地下超过5V 。
注3 ：
足够大的电流，应供给至V
CC
引线的IC ，以保持内部15.6V齐纳二极管钳位的
电压在这个领先优势。
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 12V ， TA = 25
o
C除非另有规定ED 。
符号定义
TRR
反向恢复时间（ MOSFET体二极管）
-224
-320
-420
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
200
270
240
0.7
0.6
0.5
50
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
单位测试条件
ns
I
F
=1.1A
I
F
=900mA
的di / dt
I
F
=700mA
=100
I
F
=1.1A
I
F
= 900毫安A / μs的
I
F
=700mA
FOSC = 20 kHz的
QRR
D
反向恢复电荷（ MOSFET体二极管） -224
-320
-420
R
T
占空比
C
%
3
IR51H(D)224
IR51H(D)320
IR51H(D)420
功能框图
V
D1
B
VIN
6
9
1
VCC
H
2
R
T
O
IRFCxxx
IR2151
V
S
7
VO
L
3
C
T
O
IRFCxxx
4
COM
快恢复二极管D1是
在IR51HDXXX成立仅
铅定义
符号
V
CC
R
T
C
T
铅说明
逻辑和内部栅极驱动电压。在15.6 V公称内部齐纳钳位二极管包括
以允许在V
CC
通常通过一个高值电阻器的装置，以直接从VIN电流馈入。
振荡器定时电阻输出;一个电阻从电路接入
T
到C
T
。 RT是不同相的半
电桥输出（VO） 。
振荡器的定时电容输入;一电容器被从C连接
T
到COM以编程
根据下面的方程振荡器频率：
f
=
1
1
.
4
× (
R
T
+
75
) ×
C
T
V
B
V
IN
VO
COM
C
T
PIN还调用关机函数（见注2 ）其中75Ω是R的有效阻抗
T
输出级。
高侧栅极驱动浮动电源。对于引导操作高压快恢复二极管需要
从V饲料
CC
到V
B
。 （HD型电路把这种二极管） 。
高电压源
半桥输出
逻辑和半桥回报偏低
5
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR51HD320
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压，电流都被定义成阳性的任何领先。
热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。
符号
V
IN
V
B
VO
V
RT
V
CT
I
CC
I
RT
dv / dt的
P
D
R
θJA
T
J
T
S
T
L
参数
德网络nition
高电压源
高侧浮动电源电压的绝对值
半桥输出电压
R
T
电压
C
T
电压
电源电流（注1 ）
R
T
输出电流
峰值二极管恢复的dv / dt
包装功耗@ T
A
≤
+25C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
---
-5
---
---
---
-55
-55
---
马克斯。
400
425
V
IN
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
25
5
4.0
2.00
60
150
150
300
单位
V
mA
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图如图1所示。为了正确的操作的设备，应使用
在推荐的条件。
符号
V
B
V
IN
VO
I
D
I
CC
T
A
注1 ：
参数
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高电压源
半桥输出电压
连续漏电流
(T
A
=
25C)
(T
A
=
85C)
电源电流（注1 ）
环境温度
分钟。
VO + 10
---
-5
---
---
---
-40
马克斯。
VO + V
钳
400
400
0.9
0.6
5
125
单位
V
A
mA
C
由于IR51HD320的应用程序对特异性脱线供电系统，该IC包含一个
该芯片V的齐纳二极管钳位结构
CC
和COM其具有的标称击穿电压
15.6V 。因此，在IC的电源电压通常是由电流馈源在V衍生
CC
领导
（典型地通过一个高值电阻器，连接在片V之间的装置
CC
与已整流线路
电压从V本地去耦电容
CC
以COM） ，并允许内部齐纳钳位
电路来确定标称电源电压。因此，该电路不应该由直流驱动，
的大于V低阻抗电源
钳
.
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR51HD320
功能框图
V
B
6
1
V
CC
2
R
T
3
C
T
IRFC320
IR2151
7
VO
IRFC320
V+
9
4
COM
铅定义
符号
V
CC
领导
描述
逻辑和内部栅极驱动电压。在15.6 V标称内部齐纳钳位二极管
包括允许的Vcc直接从V是电流馈入
IN
通常通过一个高值的装置
电阻器。
振荡器定时电阻输入;一个电阻从电路接入
T
到C
T
. R
T
是不同相
半桥输出（VO） 。
振荡器的定时电容输出;一电容器被从C连接
T
到COM以节目
根据下面的公式将振荡器频率：
1
R
T
C
T
f
=
1
.
4
× (
R
T
+
75
) ×
C
T
V
B
V
IN
VO
COM
其中， 75Ω为R的有效阻抗
T
输出级。
高侧栅极驱动浮动电源。对于引导操作高压快恢复二极管是
需要从V养活
CC
到V
B
.
高电压电源。
半桥输出。
逻辑和半桥回报偏低。
TO ORDER
QQ：2880707522 复制
