IRFB/S/SL3806PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
60
––– –––
––– 0.075 –––
––– 12.6 15.8
2.0
–––
4.0
––– –––
20
––– ––– 250
––– ––– 100
––– ––– -100
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5mAc
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
f
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
μA V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
R
G（ INT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
41
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 25A
I
D
= 25A
V
DS
= 30V
V
GS
= 10V
f
I
D
= 25A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
–––
22
5.0
6.3
28.3
0.79
6.3
40
49
47
1150
130
67
190
230
–––
30
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
有效的输出电容（能源相关）H ---
–––
有效的输出电容（时间相关）G
ns
pF
V
DD
= 39V
I
D
= 25A
R
G
= 20
V
GS
= 10V
f
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
h
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
g
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
c
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
43
170
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
––– –––
1.3
V
–––
22
33
ns
–––
26
39
–––
17
26
nC
T
J
= 125°C
–––
24
36
–––
1.4
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 25A ，V
GS
= 0V
f
V
R
= 51V,
T
J
= 25°C
I
F
= 25A
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
f
T
J
= 25°C
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.23mH
R
G
= 25, I
AS
= 25A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐
使用高于此值。
I
SD
≤
25A ， di / dt的
≤
1580A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
2
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1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
4.5V
10
10
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
图2 。
典型的输出特性
2.5
ID = 25A
VGS = 10V
2.0
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1
VDS = 25V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
7
8
9
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，C DS短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12.0
ID = 25A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
C，电容（pF ）
1000
西塞
科斯
CRSS
8.0
6.0
100
4.0
2.0
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0.0
0
5
10
15
20
25
Q G，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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3
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1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
100
1msec
100sec
10
10msec
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
DC
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
45
40
35
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
80
ID = 5毫安
75
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
70
65
60
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
0.4
0.3
0.3
能量（ μJ ）
图10 。
漏极至源极击穿电压
300
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
250
ID
顶部
2.8A
5.1A
BOTTOM 25A
200
0.2
0.2
0.1
0.1
0.0
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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10
热响应（Z thJC ）° C / W
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
0.1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.6086 0.00026
0.9926
0.5203
0.001228
0.00812
τ
2
0.01
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
CI-
τi /日
Ci
τi /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
100
占空比=单脉冲
0.01
雪崩电流（ A）
10
0.05
0.10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
Τ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
环境温度为150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
1.0E-03
TAV （秒）
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
80
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 ％占空比
ID = 25A
60
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
