非常低功耗的1.8V
8K / 4K ×16的双端口
静态RAM
特点
◆
◆
IDT70P258/248L
◆
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
??工业： 55ns （最大）
低功耗工作
IDT70P258/248L
主动： 27MW （典型值）。
待机： 3.6
W（典型值）。
单独的上层字节和低字节控制为多路
总线兼容性
IDT70P258 / 248轻松扩展数据总线宽度为32位或
更多使用主/从选择当级联多
一个以上的设备
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
支持3.0V ， 2.5V和1.8V的I / O
M / S = V
DD
为
忙
法师输出标志
M / S = V
SS
为
忙
输入从机上
输入读寄存器
输出驱动器注册
忙
和中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
LVTTL兼容，采用1.8V单电源（ ± 100mV的）电源
可在100球0.5毫米间距BGA
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）
功能框图
读/写
L
UB
L
读/写
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
0L
-I / O
7L
忙
L
(2,3)
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
R
(2,3)
,
A
12L
(1)
A
0L
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
解码器
A
12R
(1)
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
IRR
0
，内部收益率
1
输入
阅读注册
和
产量
驱动器注册
SFEN
13
13
CE
R
OE
R
读/写
R
ODR
0
-
ODR
4
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
(3)
INT
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
INT
R
(3)
5675 DRW 01
M / S
注意事项：
1. A
12X
是NC的IDT70P248 。
2. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
3.
忙
输出和
INT
输出的非三态推挽。
2004年4月
1
DSC-5675/4
2004集成设备技术有限公司
IDT70P258/248L
低功耗1.8V 8K / 4K ×16双口静态RAM
工业温度范围
描述
该IDT70P258 / 248是一个非常低的功率8K / 4K ×16双端口
静态RAM 。该IDT70P258 / 248被设计为用作一个独立的
128 / 64K位的双端口SRAM或作为一个组合主/从双核
端口SRAM的32位或更多的字系统。采用IDT MASTER /
在32位或更宽的存储器系统从动双端口SRAM方法
应用结果在全速无错操作，而不需要
额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造，
这些设备通常在功率仅为27MW操作。
该IDT70P258 / 248封装在一个100球0.5mm-节距球
网格阵列。该包是一个1mm厚和设计，以适应于无线
手机应用。
销刀豆网络gurations
(2,3,4)
70P258/248BY
BY-100
09/04/03
100球0.5mm间距BGA
顶视图
(5)
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A1
A
5R
B1
A
8R
B2
A
11R
B3
UB
R
B4
VSS
B5
SEM
R
I / O
15R
I / O
12R
I / O
10R
B6
B7
B8
B9
VSS
B10
A
3R
C1
A
4R
C2
A
7R
C3
A
9R
C4
CE
R
C5
读/写
R
C6
OE
R
C7
V
DD
C8
I / O
9R
I / O
6R
C9
C10
A
0R
D1
A
1R
D2
A
2R
D3
A
6R
D4
LB
R
D5
IRR
1
D6
I / O
14R
I / O
11R
I / O
7R
D7
D8
D9
VSS
D10
ODR
4
ODR
2
忙
R
INT
R
E1
E2
E3
E4
A
10R
E5
A
12R
(1)
E6
I / O
13R
I / O
8R
E7
E8
I / O
5R
E9
I / O
2R
E10
VSS
F1
M / S
F2
ODR
3
F3
INT
L
F4
VSS
F5
VSS
F6
I / O
4R
F7
V
DD
F8
I / O
1R
F9
VSS
F10
SFEN
ODR
1
忙
L
G1
G2
G3
A
1L
G4
V
DD
G5
VSS
G6
I / O
3R
G7
I / O
0R
I / O
15L
V
DDQL
G8
G9
G10
ODR
0
H1
A
2L
H2
A
5L
H3
A
12L
(1)
H4
OE
L
H5
I / O
3L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
14L
I / O
13L
H6
H7
H8
H9
H10
,
A
0L
J1
A
4L
J2
A
9L
J3
LB
L
J4
CE
L
J5
I / O
1L
V
DDQL
J6
J7
NC
J8
NC
J9
I / O
10L
J10
A
3L
K1
A
7L
K2
A
10L
K3
IRR
0
K4
V
DD
K5
VSS
K6
I / O
4L
K7
I / O
6L
K8
I / O
8L
K9
I / O
9L
K10
A
6L
A
8L
A
11L
UB
L
SEM
L
读/写
L
I / O
0L
I / O
2L
I / O
5L
I / O
7L
5675 DRW 02B
注意事项：
1. A
12X
是NC的IDT70P248 。
2.所有V
DD
引脚必须连接到电源。
3.所有V
SS
引脚必须连接到接地电源。
4. BY100-1包体约为6× 6× 1mm时，焊球间距0.5mm左右。
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.42
2
IDT70P258/248L
低功耗1.8V 8K / 4K ×16双口静态RAM
工业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
12L
(1)
I / O
0L
- I / O
15L
SEM
L
UB
L
LB
L
INT
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
12R
(1)
I / O
0R
- I / O
15R
SEM
R
UB
R
LB
R
INT
R
忙
R
IRR
0
，内部收益率
1
ODR
0
- ODR
4
SFEN
(2)
M / S
V
DD
V
DDQL
V
SS
正确的端口
名字
芯片使能（输入）
读/写使能（输入）
输出使能（输入）
地址（输入）
数据输入/输出
信号使能（输入）
高字节选择（输入）
低字节选择（输入）
中断标志（输出）
忙标志
输入读寄存器（输入）
输出驱动寄存器（输出）
特殊功能使能（输入）
主机或从机选择（输入）
电源（ 1.8V ） （输入）
左侧端口I / O电源电压
（ 3.0V ） （输入）
地（ 0V ） （输入）
5675 TBL 01
注意：
1. A
12X
是NC的IDT70P248 。
2.
SFEN
激活时，无论
CE
L
= V
IL
or
CE
R
= V
IL
.
SFEN
处于非活动状态时，
CE
L
=
CE
R
= V
IH
.
真理表I ：非争用的读/写控制
输入
(1)
CE
H
X
L
L
L
L
L
L
X
读/写
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
I / O
8-15
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
高-Z
输出
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
高-Z
模式
取消：关闭电源
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
5675 TBL 02
注意：
1. A
0L
— A
12L
≠
A
0R
— A
12R
6.42
3
IDT70P258/248L
低功耗1.8V 8K / 4K ×16双口静态RAM
工业温度范围
事实表二：信号灯读/写控制
(1)
输入
CE
H
X
H
X
L
L
读/写
H
H
↑
↑
X
X
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
I / O
8-15
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
____
____
输出
I / O
0-7
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
____
____
模式
在信号灯标记读取数据
在信号灯标记读取数据
写
IN0
到信号灯标志
写
IN0
到信号灯标志
不允许
不允许
5675 TBL 03
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O的（我的读/ O
0
-I / O
15
） 。这八个信号灯由A处理
0
-A
2
.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
BIAS
(3)
T
英镑
T
JN
I
OUT
（为
V
DDQL
= 3.0V)
I
OUT
（为
V
DDQL
= 1.8V)
等级
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
结温
直流输出电流
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到V
DDMAX
+0.3V
(4)
-55到+125
-65到+150
+150
20
20
单位
V
o
C
C
C
o
o
mA
mA
5675 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安期间超过V
TERM
= V
DD
+ 0.3V
.
3.环境温度下的直流偏置。没有交流的条件。芯片取消。
4. V
DDQLMAX
+ 0.3V左口。
6.42
4
IDT70P258/248L
低功耗1.8V 8K / 4K ×16双口静态RAM
工业温度范围
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
11
单位
pF
pF
5675 TBL 07
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
产业
环境
温度
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
V
DD
1.8V
+
100mV
5675 TBL 05
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
建议的直流工作条件
(V
DDQL
= 3.0V ± 300mV的）
符号
V
DD
V
DDQL
V
SS
V
国际人道法
V
生病
V
国际卫生条例
V
ILR
参数
电源电压
(4)
左侧端口电源电压
地
输入高电压（V
DDQL
= 3.0V)
低输入电压（V
DDQL
= 3.0V)
输入高电压
(3)
输入低电压
(3)
分钟。
1.7
2.7
0
2.0
-0.2
1.2
-0.2
典型值。
1.8
3.0
0
___
马克斯。
1.9
3.3
0
V
DDQL
+ 0.2
0.6
V
DD
+ 0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
5675 TBL 06
___
___
___
建议的直流工作条件
(V
DDQL
= 2.5V ± 100mV的）
符号
V
DD
V
DDQL
V
SS
V
国际人道法
V
生病
V
国际卫生条例
V
ILR
参数
电源电压
(4)
左侧端口电源电压
地
输入高电压（V
DDQL
= 2.5V)
低输入电压（V
DDQL
= 2.5V)
输入高电压
(3)
输入低电压
(3)
分钟。
1.7
2.4
0
1.7
-0.3
1.2
-0.2
典型值。
1.8
2.5
0
___
马克斯。
1.9
2.6
0
V
DDQL
+ 0.3
0.7
V
DD
+ 0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
5675 TBL 06_5
___
___
___
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V.
3.
SFEN
工作在1.8V V
IH
和V
IL
电压电平。
4. M / S运行在V
DD
和V
SS
电压电平。
6.42
5
QQ：2881677436 复制
