PD -95597
IRG4IBC30KDPbF
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
高达25kHz的高开关速度进行了优化
与低V
CE （ON）的
短路额定值为10μs @ 125°C ，V
GE
= 15V
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
上一代产品
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 220 FULLPAK
无铅
C
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.21V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 9.2A
N沟道
好处
第4代的IGBT可提供最高效率
最大限度地提高系统的功率密度
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED
TM
二极管与IGBT的性能进行了优化。
最小化的恢复特性降低EMI噪音
设计超过的功率处理能力
等效行业标准的IGBT
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
ISOL
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
RMS的隔离电压，终端到表壳， T = 1分
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
的TO-220 FULLP
AK
马克斯。
600
17
9.2
34
34
9.2
34
10
2500
± 20
45
18
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
2.0 (0.07)
马克斯。
2.8
3.7
65
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
7/27/04
IRG4IBC30KDPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
集电极 - 发射极击穿电压？ 600 -
V
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.54 - V /°C的
集电极 - 发射极饱和电压
2.21 2.7
2.88
V
2.36
栅极阈值电压
3.0
6.0
温度COEFF 。阈值电压
-12
- 毫伏/°C的
正向跨导
5.4 8.1
S
零栅极电压集电极电流
250
A
2500
二极管的正向压降
1.4 1.7
V
1.3 1.6
门极 - 发射极漏电流
- ±100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 16A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
I
C
= 28A
I
C
= 16A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 16A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
C
= 12A
参见图。 13
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
10
TYP 。 MAX 。单位
条件
67 100
I
C
= 16A
11
16
nC
V
CC
= 400V
参见图8
25
37
V
GE
= 15V
60
42
T
J
= 25°C
ns
160 250
I
C
= 16A ，V
CC
= 480V
80 120
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
0.60
能量损失包括"tail"
0.58
兆焦耳和二极管反向恢复
1.18 1.6
参见图。 9,10,14
s
V
CC
= 360V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 10 , V
CPK
< 500V
58
T
J
= 150°C,
参见图。 10,11,18
42
I
C
= 16A ，V
CC
= 480V
ns
210
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
160
能量损失包括"tail"
1.69
兆焦耳和二极管反向恢复
7.5
nH
从包装测量5毫米
920
V
GE
= 0V
110
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
27
= 1.0MHz的
42
60
ns
T
J
= 25°C见图
80 120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
3.5 6.0
A
T
J
= 25°C见图
5.6
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
80 180
nC
T
J
= 25°C
参见图。
220 600
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200Aμs
180
A / μs的牛逼
J
= 25°C
参见图。
160
T
J
= 125°C
17
2
www.irf.com
